鑠思百檢測(cè)

DETECTION OF TECHNICAL SOUSEPAD

電子背散射EBSD

u設(shè)備型號(hào)

nordlysnano

樣品準(zhǔn)備須知！??！

1，可以直接做EBSD數(shù)據(jù)采集的樣品的基本要求：樣品能產(chǎn)生計(jì)算機(jī)可以識(shí)別且能正確標(biāo)定的菊池衍射花樣、表面平整、清潔、無(wú)殘余應(yīng)力、導(dǎo)電性良好、尺寸合適，數(shù)據(jù)采集處理需提供樣品中各相的物相以及晶體結(jié)構(gòu)及原子占位信息，元素種類(lèi)等，以及晶體學(xué)信息：晶體學(xué)數(shù)據(jù)庫(kù)，ICCD，或者皮爾斯手冊(cè)，再就是XRD標(biāo)定用的PDF卡片里面。若不符合直接測(cè)試要求，需要選擇合適的制樣方法。

2，樣品尺寸要求：形狀規(guī)整，尺寸不宜太大，長(zhǎng)<10mm，寬<10mm，厚度<5mm，測(cè)試面需要表面光滑，沒(méi)有明顯劃痕。其他特殊需求請(qǐng)聯(lián)系當(dāng)?shù)仨?xiàng)目經(jīng)理。

3，樣品的制備條件參考：

金屬樣品：機(jī)械拋光+化學(xué)侵蝕（硬度較高、原子序數(shù)大）；機(jī)械拋光+電解拋光（純金屬/第二相細(xì)小的合金）；

金屬基復(fù)合材料：同上或者氬離子拋光（拋光區(qū)域較小，一般800*800微米左右）

陶瓷樣品：機(jī)械拋光、 氬離子拋光

4，測(cè)試面需要標(biāo)記清楚，如需要特殊區(qū)域定位，請(qǐng)附上SEM圖片或者光學(xué)圖片給出具體定位信息；

5，寄送樣品請(qǐng)固定好樣品，測(cè)試面不要觸碰到任何表面，避免表面劃傷?。?！

6，送樣前請(qǐng)一定跟工程師（15071040697）確認(rèn)后再下單

樣品測(cè)試填寫(xiě)要求注意事項(xiàng)

1.樣品數(shù)量：填寫(xiě)需要測(cè)試樣品的數(shù)量

2.樣品編號(hào)(名稱(chēng))：請(qǐng)輸入該組樣品編號(hào)，以逗號(hào)分隔，例如1,2,3

3.樣品組分及原始狀態(tài)：示例：樣品為鎳基高溫合金（Ni-Cr-Co-Al-Ti），狀態(tài)為退火態(tài)。

4.樣品類(lèi)型：金屬樣品/金屬基復(fù)合材料/陶瓷樣品/其他（請(qǐng)?jiān)敿?xì)說(shuō)明）

5.試樣大?。ㄩL(zhǎng)寬高）：必填

6.試樣形狀與觀察面：例如:1#樣品(Inconel617)∶待觀察平面(拋光面)，長(zhǎng)邊為17mm，短邊為7mm。沿7mm方向?yàn)檐埾?RD)，沿17mm方向?yàn)檐埫娣ㄏ?ND)，大面法線為橫向(TD)。(可提供簡(jiǎn)圖)

是否需要制樣：需要制樣/無(wú)需制樣，直接測(cè)

無(wú)需制樣，直接測(cè)：若無(wú)需實(shí)驗(yàn)室制樣，請(qǐng)自行終拋出可直接上機(jī)測(cè)試的樣品； 若需實(shí)驗(yàn)室制樣，請(qǐng)自行用2000號(hào)砂紙磨樣。

如需要制樣請(qǐng)選擇制樣方式：電解拋光/振動(dòng)拋光/氬離子拋光

氬離子拋光一般區(qū)域較?。?00*800微米左右區(qū)域）；制樣面即后面的數(shù)據(jù)采集面，如需處理多個(gè)面，請(qǐng)分組添加樣品，并在測(cè)試單中描述清楚。

采集區(qū)域個(gè)數(shù)：600元/視圖（一般采集時(shí)間半小時(shí)內(nèi)，超時(shí)后根據(jù)具體情況收取費(fèi)用），每個(gè)視圖指一個(gè)區(qū)域一個(gè)倍數(shù)下，如果一個(gè)區(qū)域需要多個(gè)倍數(shù)，則為多個(gè)視圖，視圖大小一般為微米級(jí)，區(qū)域越大，采集時(shí)間越長(zhǎng)，最大區(qū)域一般<1mm，如采集時(shí)間、步長(zhǎng)等有要求，請(qǐng)?zhí)崆奥?lián)系工程師（15071040697）確定。

想要得到的數(shù)據(jù)：極圖/反極圖//取向成像圖取向分布函數(shù)圖(ODF)/取向差分布圖/晶粒尺寸分布圖/相圖/花樣質(zhì)量圖/晶界/其他/

需要提供的其他信息：

1. 物相晶體學(xué)信息及占位信息（是否有CIF文件）

晶體學(xué)信息：

占位信息：

2. 掃描要求（最好附上相應(yīng)的SEM照片，確定數(shù)據(jù)采集區(qū)域大小/標(biāo)尺/放大倍數(shù)/選區(qū)個(gè)數(shù)）

3. 數(shù)據(jù)處理要求（請(qǐng)?zhí)峁﹨⒖紙D）

電子背散射EBSD

項(xiàng)目簡(jiǎn)介

EBSD具體分析功能：

1，微觀組織分析：晶粒尺寸、均勻性、孿晶的體積分?jǐn)?shù)、再結(jié)晶晶粒以及亞晶、晶界特性分析、相鑒定、相分布等；

2，取向分析：相鄰晶粒的取向分析，晶粒和相鄰孿晶的取向分析，孿晶以及相鄰孿晶的取向分析，織構(gòu)分析，取向差分析等。

樣品要求

1.可以直接做EBSD數(shù)據(jù)采集的樣品的基本要求：樣品能產(chǎn)生計(jì)算機(jī)可以識(shí)別且能正確標(biāo)定的菊池衍射花樣、表面平整、清潔、無(wú)殘余應(yīng)力、導(dǎo)電性良好、尺寸合適，數(shù)據(jù)采集處理需提供樣品中各相的物相以及晶體結(jié)構(gòu)及原子占位信息，元素種類(lèi)等，以及晶體學(xué)信息：晶體學(xué)數(shù)據(jù)庫(kù)，ICCD，或者皮爾斯手冊(cè)，再就是XRD標(biāo)定用的PDF卡片里面。若不符合直接測(cè)試要求，需要選擇合適的制樣方法。

2.樣品尺寸要求：形狀規(guī)整，尺寸不易太大，長(zhǎng)：<8mm，寬<8mm，厚度<3mm左右，測(cè)試面需要表面光滑，沒(méi)有明顯劃痕。若尺寸較大，請(qǐng)?zhí)崆熬€切割好，若需要我們線切割，請(qǐng)聯(lián)系工程師。

結(jié)果展示

u項(xiàng)目簡(jiǎn)介

1. OIM analysis中如何將schmidt map顏色映射到反極圖中

原文鏈接：EBSD數(shù)據(jù)分析教程——OIM analysis中如何將schmidt map顏色映射到反極圖中

u測(cè)試提示：

1.可開(kāi)正規(guī)測(cè)試發(fā)票，附帶測(cè)試清單。

2.有腐蝕性，毒性，或其他有危害性等特殊樣品要事先告知測(cè)試人員，測(cè)試人員也要告知樣品方哪些樣品不能測(cè)或會(huì)對(duì)儀器產(chǎn)生損傷，測(cè)試后會(huì)對(duì)樣品產(chǎn)生哪些變化；

3.客戶需提供詳細(xì)的樣品資料，包括元素，主要成分和詳細(xì)測(cè)試參數(shù)及條件。和測(cè)試人員充分討論，商定最終測(cè)試條件；

4.測(cè)試人員與顧客通過(guò)QQ，微信或郵件溝通，出現(xiàn)測(cè)試糾紛，郵件或聊天記錄將作為重要的仲裁依據(jù)；請(qǐng)加QQ和技術(shù)人員交流。QQ：82187958。微信：15071040697

5.杜絕測(cè)試、解析和合成違反國(guó)家相關(guān)法律法規(guī)的樣品，一經(jīng)發(fā)現(xiàn)將追究其法律責(zé)任。