差分密度（Charge density difference）

價格：

￥0.00

15071040697 預(yù)約

預(yù)約詳情

第一性原理

樣品準備須知！??！

1.請務(wù)必確認方案內(nèi)容，最后結(jié)果交付以方案內(nèi)容為準（除卻中間有意外，另行溝通情況），凡是在結(jié)果交付后，另外補加的要求，需另外評估是否收費。

2.在計算初期確認模型時，請務(wù)必仔細認真確認該模型，結(jié)果交付后，不接受因為模型問題提出的更改模型的售后要求。

3.請務(wù)必確認信息提供準確且沒有遺漏，信息盡量提供全面，如果在計算開始以后，又增加信息，視情況協(xié)商對原方案的影響以及收費情況。

4.對于軟件版權(quán)問題，需要自己解決，如果需要我方解決，請?zhí)崆皽贤ㄕf明，我們盡量解決，但不必須確保解決，不接受因此不付款的理由。

5.最后結(jié)果交付內(nèi)容包括：計算方法（不是計算結(jié)果的分析）的說明，最終的結(jié)構(gòu)文件，某些涉及作圖所需的數(shù)據(jù)。除以上內(nèi)容之外，有其他要求，請?zhí)崆罢f明。交付結(jié)果后，另外提出的要求，我們會盡量協(xié)助解決，但不保證一定能解決。

6.
我們保證計算結(jié)果的真實性和有效性，但是無法保證計算結(jié)果一定符合您的預(yù)期，請務(wù)必確認該風險。

7.
我們不承擔拒稿責任哦，但是我們會盡量協(xié)助解決審稿意見的問題，涉及需要補算的內(nèi)容，需要另評估收費。

8.
交付結(jié)果后，請在一周內(nèi)反饋結(jié)果問題。長時間不查看結(jié)果，結(jié)果問題反饋時間距離交付結(jié)果時間太久的，我們視情況進行問題的解答（因為源數(shù)據(jù)不一定還有保留，所以一定要及時反饋哦）。

9.
再次提醒：有不懂的可以多交流，但是交付結(jié)果后，請不要以“我不懂計算”為理由，提出不對應(yīng)原方案的另外的要求，我們最終交付結(jié)果均以方案為核對參考。

樣品測試填寫要求注意事項

1.請問您是研究什么方向的呢

電催化、光催化、熱催化、電池、半導體、能源、其他

2.是否已經(jīng)有對接老師和您溝通好需求，現(xiàn)在需要下單了？

已經(jīng)溝通好需求，現(xiàn)在需要下單、還沒有溝通，這是我的新需求

3.請再簡單描述下您的計算內(nèi)容

4.提醒：下單支付完畢才會安排計算，支付完發(fā)單號給對接工程師哦

項目簡介

第一性原理計算的基本思想是將多個原子構(gòu)成的體系看成是由多個電子和原子核組成的系統(tǒng)，并根據(jù)量子力學的基本原理對問題進行最大限度的“非經(jīng)驗性”處理。它只需要5個基本常數(shù)（m0，e，h，c，kB）就可以計算出體系的能量和電子結(jié)構(gòu)等物理性質(zhì)。它可以確定已知材料的結(jié)構(gòu)和基礎(chǔ)性質(zhì)，并實現(xiàn)原子級別的精準控制，是現(xiàn)階段解決實驗理論問題和預(yù)測新材料結(jié)構(gòu)性能的有力工具。并且，第一性原理計算不需要開展真實的實驗，極大地節(jié)省了實驗成本，現(xiàn)已被廣泛應(yīng)用于化學、物理、生命科學和材料學等領(lǐng)域。

適合的研究方向包括但不限于：催化、電池、半導體、金屬材料、非金屬材料、合金、納米材料等

可以計算的體系包括但不限于：晶體、非晶、二維材料、表面、界面、固體等

常用軟件：VASP，MS，CP2K，QE等

可以計算的內(nèi)容包括但不限于：

材料的幾何結(jié)構(gòu)參數(shù)（如鍵長、鍵角、二面角、晶格常數(shù)、原子位置等）

材料的電子結(jié)構(gòu)信息（如電荷密度、電荷差分密度、態(tài)密度、能帶、費米能級、功函數(shù)、ELF等）

材料的光學性質(zhì)（如介電常數(shù)等）

材料的力學性質(zhì)（如彈性模量等）

材料的磁學性質(zhì)（如磁導率等）

材料的晶格動力學性質(zhì)（如聲子譜等）

材料的表面性質(zhì)（如吸附能，催化計算等）

復合材料的性質(zhì)（異質(zhì)結(jié)等內(nèi)容）等等

電荷密度（Charge density）

計算內(nèi)容

（1）定義及意義

第一性原理中的電荷密度指的是電子密度。根據(jù)哥本哈根解釋，量子在空間某處出現(xiàn)的概率密度等于波函數(shù)的平方。由此可以得到體系中電子在任一點處的密度。

（2）結(jié)果案例展示

電子密度總是傾向于在原子核附近聚集，通過觀察電子密度無法得到任何有價值的信息。因此關(guān)心的幾乎總是差分密度。

案例：partial charge density

說明：To study the variation of the active sites in the S-doped and vacancy-defected g-C3N4, we calculated partial charge density corresponded to VBM, gap states and CBM. Fig. 3(d) shows the partial charge density of the SN2-doped system. For the CBM, the electrons mainly come from the C and N2 atoms in two of the intact triazine units, while the VBM is mainly contributed by the N2 and S atoms in the S-doped triazine unit, aided by the N2 atoms around the doped site. Additionally, the gap states originate from the C atoms and S atom in the S-doped unit. The partial charge density of VN2-defected g-C3N4 is plotted in Fig. 3(e). One can see that the CBM and gap states are both contributed by the defected triazine unit, while the VBM is contributed by all N2 atoms in the whole calculational supercell. Fig. 3(f) shows the case of g-C3N4 with C-vacancy. Clearly, the partial charge density corresponded to the CBM and VBM are similar to that in the pristine case, which are mainly contributed by the C (N2) and N2 atoms in the three of intact triazine units, respectively, while the gap states originate from the triazine unit with C-vacancy. Overall, the partitioned electron distribution corresponded to the CBM and VBM in the three systems, especially SN2-doped g-C3N4, should be beneficial to suppressing the recombination of photogenerated electron-hole pairs.

來源文獻：https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2018.12.085

結(jié)果展示

原子電荷：