鑠思百檢測(cè)

DETECTION OF TECHNICAL SOUSEPAD

透射電子顯微鏡(TEM-EDS)掃描電子顯微鏡(FESEM-EDS)球差電鏡激光共聚焦顯微鏡(LSCM)原子力顯微鏡(AFM)電子探針儀(EPMA)金相顯微鏡電子背散射衍射儀(EBSD)臺(tái)階儀,膜厚儀,探針接觸式輪廓儀,3D輪廓儀工業(yè)CT白光干涉儀(非接觸式3D表面輪廓儀)電鏡測(cè)試FIB制樣離子減薄制樣冷凍超薄切片制樣樹脂包埋制樣(生物制樣)液氮脆斷制樣金網(wǎng)鉬網(wǎng)銅網(wǎng)超薄碳膜微柵制樣電鏡制樣X射線光電子能譜分析儀(XPS)紫外光電子能譜(UPS)俄歇電子能譜(AES)X射線衍射儀(XRD)X射線散射儀SAXS/WAXSX射線殘余應(yīng)力分析儀X射線熒光光譜分析儀(XRF)電感耦合等離子體光譜儀(ICP-OES)紫外可見反射儀(DRS)拉曼光譜(RAMAN)紫外-可見分光光度計(jì)(UV)圓二色譜(CD)傅里葉變換紅外光譜分析儀(FTIR)吡啶紅外(DRIFTS)單晶衍射儀穆斯堡爾光譜儀穩(wěn)態(tài)瞬態(tài)熒光光譜分析儀(PL)原子吸收分光光度計(jì)原子熒光光度計(jì)(AFS)三維熒光 /熒光分光光度計(jì)紅外熱成像儀霧度儀旋光儀橢偏儀光譜測(cè)試電感耦合等離子體質(zhì)譜儀(ICP-MS)電噴霧離子化質(zhì)譜儀(ESI-MS)頂空-固相微萃取氣質(zhì)聯(lián)用儀(HS -SPME -GC -MS)二次離子質(zhì)譜(SIMS)基質(zhì)輔助激光解吸電離飛行時(shí)間質(zhì)譜儀(MALDI-TOF)裂解氣質(zhì)聯(lián)用儀(PY-GC-MS)氣質(zhì)聯(lián)用儀(GC-MS)同位素質(zhì)譜儀液質(zhì)聯(lián)用儀(LC-MS)質(zhì)譜測(cè)試差示掃描量熱儀(DSC)熱重分析儀(TGA)熱分析聯(lián)用儀(DSC-TGA)靜態(tài)/動(dòng)態(tài)熱機(jī)械分析儀(TMA/DMA)熱重紅外聯(lián)用儀(TG-IR)熱重紅外質(zhì)譜聯(lián)用儀(TG-IR-MS)熱重紅外氣相質(zhì)譜聯(lián)用(TG-IR-GC-MS)紅外熱成像儀激光導(dǎo)熱儀錐形量熱儀(CONE)熱譜測(cè)試電子順磁共振波譜儀(EPR、ESR)固體核磁共振儀(NMR)液體核磁共振儀(NMR)微波網(wǎng)絡(luò)矢量分析儀/矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀核磁順磁波譜測(cè)試比表面及孔徑分析儀(BET)表面張力儀(界面張力儀)高壓吸附儀化學(xué)吸附儀(TPD TPR)接觸角測(cè)量?jī)x納米壓痕儀壓汞儀(MIP)表界面物性測(cè)試氣相色譜儀(GC)高效液相色譜儀(HPLC)離子色譜儀(IC)凝膠色譜儀(GPC)液相色譜(LC)色譜測(cè)試電導(dǎo)率儀電化學(xué)工作站腐蝕測(cè)試儀介電常數(shù)測(cè)定儀卡爾費(fèi)休水分測(cè)定儀自動(dòng)電位滴定儀電化學(xué)儀器測(cè)試Zeta電位儀工業(yè)分析激光粒度儀流變儀密度測(cè)定儀納米粒度儀邵氏 維氏 洛氏硬度計(jì)有機(jī)鹵素分析儀(F,Cl,Br,I,At,Ts)有機(jī)元素分析儀(EA)粘度計(jì)振動(dòng)樣品磁強(qiáng)計(jì)(VSM)土壤分析測(cè)試植物分析測(cè)試其他測(cè)試同步輻射GIWAXS GISAXS同步輻射XRD,PDF,SAXS同步輻射吸收譜-高能機(jī)時(shí)同步輻射吸收譜之軟X射線同步輻射吸收譜之硬X射線同步輻射聚焦離子束掃描電鏡(FIB-SEM)礦物定量分析系統(tǒng)MLA球差校正透射電子顯微鏡高端電鏡類原位XPS測(cè)試原位EBSD(in situ -EBSD)原位紅外原位掃描電子顯微鏡(in-situ-SEM)原位透射電子顯微鏡高端原位測(cè)試飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜儀(TOF-SIMS)輝光放電光譜(GD-OES MS)三維原子探針(APT)高端質(zhì)譜類Micro/Nano /工業(yè)CT飛秒瞬態(tài)吸收光譜儀(fs-TAS)掃描隧道顯微鏡深能級(jí)瞬態(tài)譜儀正電子湮滅壽命譜儀其他XPS數(shù)據(jù)分析XRD全巖黏土分析表面成分分析技術(shù)-XPS測(cè)試分析常規(guī)XRD數(shù)據(jù)分析成分指紋分析技術(shù)-紅外測(cè)試分析二維紅外光譜技術(shù)紅外(IR)數(shù)據(jù)分析拉曼數(shù)據(jù)分析三維熒光數(shù)據(jù)分析圓二色譜(CD)數(shù)據(jù)分析成分含量分析EPR/ESR數(shù)據(jù)分析VSM數(shù)據(jù)分析電化學(xué)數(shù)據(jù)分析矢量網(wǎng)絡(luò)數(shù)據(jù)分析電磁分析CT數(shù)據(jù)分析X射線吸收精細(xì)結(jié)構(gòu)普(XAFS)數(shù)據(jù)分析穆斯堡爾譜數(shù)據(jù)分析小角散射(SAXS/WAXS)數(shù)據(jù)分析高端測(cè)試分析固體核磁數(shù)據(jù)分析液體核磁(NMR)測(cè)試+分析一體化液體核磁(NMR)數(shù)據(jù)分析化學(xué)結(jié)構(gòu)分析EBSD數(shù)據(jù)分析TEM數(shù)據(jù)分析單晶XRD數(shù)據(jù)分析晶體結(jié)構(gòu)確證技術(shù)-XRD精修XRD定性定量分析晶體結(jié)構(gòu)分析BET數(shù)據(jù)分析其它數(shù)據(jù)分析需求熱分析數(shù)據(jù)處理數(shù)據(jù)分析作圖其他數(shù)據(jù)分析半導(dǎo)體激光器模擬發(fā)光二極管仿真光電探測(cè)器仿真太陽(yáng)能電池仿真半導(dǎo)體器件仿真表面能差分密度磁矩單原子催化電荷密度電解水制氫反應(yīng)(HER)費(fèi)米面(fermi surface)電子局域化函數(shù)(electron localization function)第一性原理分子模擬量子化學(xué)相分析有限元模擬常規(guī)理化-水樣常規(guī)理化-土樣/沉積物常規(guī)理化-氣體常規(guī)理化-植物/蔬果/農(nóng)作物常規(guī)理化-食品常規(guī)理化-肥料/飼料常規(guī)理化-巖礦常規(guī)理化-垃圾常規(guī)理化-職業(yè)衛(wèi)生常規(guī)理化-其它常規(guī)理化項(xiàng)目纖維素、半纖維素、木質(zhì)素含量bcr形態(tài)順序提取/tessier五步提取法土壤水體抗生素微塑料微生物磷脂脂肪酸(PLFA)非標(biāo)理化-其它非標(biāo)理化項(xiàng)目穩(wěn)定同位素放射性同位素同位素-其它金屬同位素同位素多糖的單糖組成測(cè)定可溶性寡糖定量土壤氨基糖多糖全套分析多糖甲基化植物糖化學(xué)-常規(guī)指標(biāo)糖化學(xué)液質(zhì)聯(lián)用LCMS高效液相色譜HPLC氣相色譜GC氣質(zhì)聯(lián)用GCMS全二維氣質(zhì)GC×GC-MS氣相色譜-離子遷移譜聯(lián)用儀(GC-IMS)液相色譜-原子熒光聯(lián)用(LC-AFS)制備型HPLC色譜質(zhì)譜數(shù)據(jù)分析液相色譜-電感耦合等離子體質(zhì)譜(LC-ICPMS)色譜質(zhì)譜DOM(FT- ICR- MS)水質(zhì)NOM(LC-OCD-OND)DOM(FT-ICR-MS)數(shù)據(jù)分析環(huán)境高端電池產(chǎn)品整體解決方案正極顆粒表面微觀形貌正極顆粒物截面形貌與元素三元正極顆粒循環(huán)前后晶界裂紋正極顆粒摻雜元素分布正極顆粒截面元素分布和晶格表征正極極片原位晶相分析正極極片截面元素分布和晶格表征正極表面CEI膜測(cè)試方法XPS正極極片截面微觀形貌觀察和元素分布正極極片CEI膜成分分析與厚度測(cè)定正極極片介電常數(shù)正極極片浸潤(rùn)性正極極片包覆層觀察正極極片雜質(zhì)含量測(cè)定正極極片氧空位測(cè)定負(fù)極顆粒表面微觀形貌觀察和元素分布負(fù)極顆粒截面微觀形貌觀察和元素分布石墨類型判定負(fù)極顆粒粒徑分析負(fù)極極片孔洞分析負(fù)極顆粒包覆層觀察負(fù)極顆粒羥基含量測(cè)定負(fù)極極片包覆層觀察負(fù)極表面SEI膜分析XPS法負(fù)極極片SEI膜成分分析與厚度測(cè)定負(fù)極極片截面微觀形貌觀察和元素分布負(fù)極極片石墨碳和無(wú)定型碳比例隔膜表面微觀形貌觀察隔膜循環(huán)前后孔徑變化質(zhì)子交換膜形貌(厚度)觀察 CP+SEM質(zhì)子交換膜雜質(zhì)元素電池循環(huán)后鼓包氣電池循環(huán)后爆炸氣鋰電池極片和集流體間的粘結(jié)強(qiáng)度三元正極材料NCM比例燃料電池-整體解決方案電池產(chǎn)品-隔膜電池產(chǎn)品-優(yōu)勢(shì)項(xiàng)目正極材料-PH值正極材料-比表面積正極材料-磁性異物正極材料-化學(xué)成分正極材料-晶體結(jié)構(gòu)正極材料-粒徑分布正極材料-首次放電比容量及首次庫(kù)倫效率正極材料-水分含量正極材料-松裝密度正極材料-未知物分析正極材料-形貌,厚度與結(jié)構(gòu)正極材料-壓實(shí)密度正極材料-振實(shí)密度電池產(chǎn)品-正極材料負(fù)極材料-PH值負(fù)極材料-比表面積負(fù)極材料-層間距 石墨化度負(fù)極材料成分分析負(fù)極材料-磁性異物負(fù)極材料-粉末壓實(shí)密度負(fù)極材料-固定碳含量負(fù)極材料-化學(xué)成分負(fù)極材料-粒徑分布負(fù)極材料-石墨鑒定負(fù)極材料-水分負(fù)極材料-限用物質(zhì)含量負(fù)極材料-形貌與結(jié)構(gòu)負(fù)極材料-陰離子的測(cè)定負(fù)極材料-有機(jī)物含量負(fù)極材料-真密度負(fù)極材料-振實(shí)密度負(fù)極顆粒-石墨取向性(OI值)首次放電比容量及首次庫(kù)倫效率電池產(chǎn)品-負(fù)極材料電解液-電導(dǎo)率電解液-化學(xué)元素含量電解液-密度電解液-水分含量電解液-未知物分析電解液-游離酸(HF含量)電池產(chǎn)品-電解液電池產(chǎn)品-隔膜電池產(chǎn)品-隔膜
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活動(dòng)價(jià) ¥150.00
X射線光電子能譜分析儀(XPS)
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儀器型號(hào)  美國(guó)Thermo ESCALAB 250XI

服務(wù)周期  收到樣品后平均3-5工作日完成


X射線光電子能譜儀(XPS

u項(xiàng)目簡(jiǎn)介

20230916

XPS測(cè)試注意事項(xiàng)

1. XPS可以做的項(xiàng)目:常規(guī)全譜窄譜測(cè)試、俄歇譜、價(jià)帶譜、深度濺射、MAPPING、角分辨

2. XPS測(cè)試的元素范圍是Li-Cm,H、He元素不能測(cè)試,放射性元素請(qǐng)?zhí)崆皽贤?/span>

3. XPS數(shù)據(jù)分析可以等到元素的價(jià)態(tài)及半定量數(shù)據(jù)。原子百分含量小于5%的元素可能測(cè)不出明顯信號(hào)

4. 無(wú)特殊說(shuō)明,默認(rèn)是使用單色化AlKa源(Mono AlKa)能量是1486.6eV

5. 使用Al Kα X-ray會(huì)出現(xiàn)的重疊譜峰,當(dāng)有重疊譜峰的時(shí)候直接定量的結(jié)果不能參考。下方是常見的一些重疊譜峰的情況,解決方法是a.通過(guò)分峰擬合(這個(gè)是數(shù)據(jù)分析的內(nèi)容)后再重新定量,b.測(cè)試其他軌道的峰,需要備注相應(yīng)的軌道,默認(rèn)是測(cè)試最強(qiáng)峰,c.如果是與部分元素的俄歇峰重疊,建議可以更換靶材試試,比如Mg

常見重疊譜峰有Li1s&Co3p;B1s&P2sC1s&Ru3d5/2,Ru3d3/2;C1s&K2p;O1s&NaKLLO1s&Pd3p3/2;O1s&Sb3d5/2;N1s&Mo3p3/2;N1s&GaLMMAl2p&Pt4f5/2;Si2p&Pt5s;Mo3d5/2&S2s;Ta4f&O2s;Co2p&FeLMMMn2p&NiLMM;W4f&Zr4pAl2p&Cu3p。


u樣品要求

20230916

1. 樣品狀態(tài):可為粉末、塊狀、薄膜樣品

2. 粉末樣品:20-30mg

3. 塊狀、薄膜樣品:塊體/薄膜樣品尺寸小于5*5*3mm

注意:默認(rèn)是一個(gè)樣品測(cè)試一個(gè)位置,需要測(cè)試多個(gè)位置按照多個(gè)樣品計(jì)費(fèi)。薄膜、塊體等樣品,若樣品表面組分不均勻,會(huì)造成測(cè)試結(jié)果的差異!


u結(jié)果展示

20230916


數(shù)據(jù)格式
相對(duì)應(yīng)的設(shè)備
處理的軟件
備注
VGD/VGP/VMS
賽默飛、島津
Avantage
直接打開
SPE
PHI設(shè)備
Multipak
直接打開
excel
/
XPS PEAK/CASA/Multipak/Avantage
數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)化



1Thermo Scientific K-Alpha是相對(duì)常用的設(shè)備,其結(jié)果如下:







測(cè)試結(jié)果給出的是VGD格式和EXCEL格式測(cè)試結(jié)果。EXCEl格式文件用ORIGIN軟件作圖;VGD格式文件可以用Avantage分析軟件打開。

2PHI的格式如下:


測(cè)試結(jié)果給出的是原始文件SPE格式和EXCEL格式。EXCEL格式文件用Origin軟件作圖;SPE格式需要軟件Multipak打開(但定量需要注意靈敏度因子)。我們也提供XPS數(shù)據(jù)分析服務(wù)!如果您需要XPS數(shù)據(jù)分析與作圖服務(wù),請(qǐng)聯(lián)系工程師15071040697


u常見問(wèn)題

20230916

1. 樣品精細(xì)譜掃出譜峰?為什么全譜里沒有呢?

全譜主要是用來(lái)定性分析的,設(shè)置參數(shù)的步長(zhǎng)比較大,含量低的在全譜里掃不出譜峰。但是精細(xì)譜掃出譜峰就表示有該元素。

2. 每種元素的檢測(cè)限一樣么?

不一樣。每種元素的主峰的靈敏度因子都不一樣。

3. 怎么判斷擬合是好是壞,是擬合了兩個(gè)峰算好還是擬合了三個(gè)峰算好?

看波動(dòng)大小,越小越好;還要看對(duì)應(yīng)的物理意義。波動(dòng)如下圖所示。具體擬合幾個(gè)峰,要參考樣品本身的情況,以及擬合的貼合度,沒有嚴(yán)格的界定哪個(gè)更好。






u測(cè)試提示:

20230916

1.可開正規(guī)測(cè)試發(fā)票,附帶測(cè)試清單。

2.有腐蝕性,毒性,或其他有危害性等特殊樣品要事先告知測(cè)試人員,測(cè)試人員也要告知樣品方哪些樣品不能測(cè)或會(huì)對(duì)儀器產(chǎn)生損傷,測(cè)試后會(huì)對(duì)樣品產(chǎn)生哪些變化;

3.客戶需提供詳細(xì)的樣品資料,包括元素,主要成分和詳細(xì)測(cè)試參數(shù)及條件。和測(cè)試人員充分討論,商定最終測(cè)試條件;

4.測(cè)試人員與顧客通過(guò)QQ,微信或郵件溝通,出現(xiàn)測(cè)試糾紛,郵件或聊天記錄將作為重要的仲裁依據(jù);請(qǐng)加QQ和技術(shù)人員交流。QQ:82187958。微信:15071040697

5.杜絕測(cè)試、解析和合成違反國(guó)家相關(guān)法律法規(guī)的樣品,一經(jīng)發(fā)現(xiàn)將追究其法律責(zé)任。



相關(guān)資料
XPS 不僅能夠給出材料表面的化學(xué)組成及含量,而且可以分析出化學(xué)價(jià)態(tài)、化學(xué)鍵等信息。角分辨XPS可以在極薄的表層內(nèi)對(duì)化學(xué)信息進(jìn)行表征,利用成像XPS技術(shù),可以提供分析區(qū)域內(nèi)的元素及其化學(xué)狀態(tài)分布的信息圖像,并可由圖得譜。此外,配合氬離子刻蝕技術(shù),可以對(duì)材料內(nèi)部進(jìn)行深度剖析,進(jìn)一步擴(kuò)大其檢測(cè)范圍。工作原理及特點(diǎn)XPS技術(shù)的理論基礎(chǔ)源于德國(guó)物理學(xué)家赫茲于1887年發(fā)現(xiàn)的光電效應(yīng),其結(jié)構(gòu)如下圖所示...
白光干涉儀的原理與應(yīng)用白光干涉儀由于具有精度高和非接觸式測(cè)量的明顯測(cè)量?jī)?yōu)點(diǎn),被廣泛應(yīng)用于各類加工樣品和精密器件的表面特征檢測(cè),涉及的學(xué)科已經(jīng)超過(guò)30個(gè),助力于許多重大科技領(lǐng)域,如MEMS傳感器、超精密加工、納米技術(shù)、航天科技、光學(xué)透鏡以及摩擦磨損的研究等。就其原理,顧名思義,就是利用光的干涉原理。眾所周知著名的雙縫干涉試驗(yàn),當(dāng)光源為單色光時(shí),光的雙縫干涉條紋是一組平行等間距的明暗相間的直條紋...
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XPS基本基本概念和原理  XPS是基于光電效應(yīng)來(lái)進(jìn)行表面分析的。如圖1所示,用能量為hν的特征X射線照射待測(cè)樣品表面,光子將其全部能量轉(zhuǎn)移給原子或分子中的束縛電子;由于X射線能量較高,主要是原子內(nèi)層軌道上的電子被電離成自由電子。通過(guò)能量分析器和光電倍增管檢測(cè)出射電子的能量及數(shù)量,根據(jù)愛因斯坦光電發(fā)射方程(Ek=hν-EB,其中:Ek為出射電子的動(dòng)能;EB為樣品中電子的結(jié)合能;hν為入射光子...
大家經(jīng)常問(wèn)XPS刻蝕效率問(wèn)題,今天把標(biāo)準(zhǔn)參照做出來(lái)了,可以作為大家制定刻蝕時(shí)間依據(jù)!表2 刻蝕效率免責(zé)聲明:部分文章整合自網(wǎng)絡(luò),因內(nèi)容龐雜無(wú)法聯(lián)系到全部作者,如有侵權(quán),請(qǐng)聯(lián)系刪除,我們會(huì)在第一時(shí)間予以答復(fù),萬(wàn)分感謝。
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