鑠思百檢測

DETECTION OF TECHNICAL SOUSEPAD

透射電子顯微鏡(TEM-EDS)掃描電子顯微鏡(FESEM-EDS)球差電鏡激光共聚焦顯微鏡(LSCM)原子力顯微鏡(AFM)電子探針儀(EPMA)金相顯微鏡電子背散射衍射儀(EBSD)臺階儀,膜厚儀,探針接觸式輪廓儀,3D輪廓儀工業(yè)CT白光干涉儀(非接觸式3D表面輪廓儀)電鏡測試FIB制樣離子減薄制樣冷凍超薄切片制樣樹脂包埋制樣(生物制樣)液氮脆斷制樣金網(wǎng)鉬網(wǎng)銅網(wǎng)超薄碳膜微柵制樣電鏡制樣X射線光電子能譜分析儀(XPS)紫外光電子能譜(UPS)俄歇電子能譜(AES)X射線衍射儀(XRD)X射線散射儀SAXS/WAXSX射線殘余應力分析儀X射線熒光光譜分析儀(XRF)電感耦合等離子體光譜儀(ICP-OES)紫外可見反射儀(DRS)拉曼光譜(RAMAN)紫外-可見分光光度計(UV)圓二色譜(CD)傅里葉變換紅外光譜分析儀(FTIR)吡啶紅外(DRIFTS)單晶衍射儀穆斯堡爾光譜儀穩(wěn)態(tài)瞬態(tài)熒光光譜分析儀(PL)原子吸收分光光度計原子熒光光度計(AFS)三維熒光 /熒光分光光度計紅外熱成像儀霧度儀旋光儀橢偏儀光譜測試電感耦合等離子體質(zhì)譜儀(ICP-MS)電噴霧離子化質(zhì)譜儀(ESI-MS)頂空-固相微萃取氣質(zhì)聯(lián)用儀(HS -SPME -GC -MS)二次離子質(zhì)譜(SIMS)基質(zhì)輔助激光解吸電離飛行時間質(zhì)譜儀(MALDI-TOF)裂解氣質(zhì)聯(lián)用儀(PY-GC-MS)氣質(zhì)聯(lián)用儀(GC-MS)同位素質(zhì)譜儀液質(zhì)聯(lián)用儀(LC-MS)質(zhì)譜測試差示掃描量熱儀(DSC)熱重分析儀(TGA)熱分析聯(lián)用儀(DSC-TGA)靜態(tài)/動態(tài)熱機械分析儀(TMA/DMA)熱重紅外聯(lián)用儀(TG-IR)熱重紅外質(zhì)譜聯(lián)用儀(TG-IR-MS)熱重紅外氣相質(zhì)譜聯(lián)用(TG-IR-GC-MS)紅外熱成像儀激光導熱儀錐形量熱儀(CONE)熱譜測試電子順磁共振波譜儀(EPR、ESR)固體核磁共振儀(NMR)液體核磁共振儀(NMR)微波網(wǎng)絡矢量分析儀/矢量網(wǎng)絡分析儀核磁順磁波譜測試比表面及孔徑分析儀(BET)表面張力儀(界面張力儀)高壓吸附儀化學吸附儀(TPD TPR)接觸角測量儀納米壓痕儀壓汞儀(MIP)表界面物性測試氣相色譜儀(GC)高效液相色譜儀(HPLC)離子色譜儀(IC)凝膠色譜儀(GPC)液相色譜(LC)色譜測試電導率儀電化學工作站腐蝕測試儀介電常數(shù)測定儀卡爾費休水分測定儀自動電位滴定儀電化學儀器測試Zeta電位儀工業(yè)分析激光粒度儀流變儀密度測定儀納米粒度儀邵氏 維氏 洛氏硬度計有機鹵素分析儀(F,Cl,Br,I,At,Ts)有機元素分析儀(EA)粘度計振動樣品磁強計(VSM)土壤分析測試植物分析測試其他測試同步輻射GIWAXS GISAXS同步輻射XRD,PDF,SAXS同步輻射吸收譜-高能機時同步輻射吸收譜之軟X射線同步輻射吸收譜之硬X射線同步輻射聚焦離子束掃描電鏡(FIB-SEM)礦物定量分析系統(tǒng)MLA球差校正透射電子顯微鏡高端電鏡類原位XPS測試原位EBSD(in situ -EBSD)原位紅外原位掃描電子顯微鏡(in-situ-SEM)原位透射電子顯微鏡高端原位測試飛行時間二次離子質(zhì)譜儀(TOF-SIMS)輝光放電光譜(GD-OES MS)三維原子探針(APT)高端質(zhì)譜類Micro/Nano /工業(yè)CT飛秒瞬態(tài)吸收光譜儀(fs-TAS)掃描隧道顯微鏡深能級瞬態(tài)譜儀正電子湮滅壽命譜儀其他XPS數(shù)據(jù)分析XRD全巖黏土分析表面成分分析技術-XPS測試分析常規(guī)XRD數(shù)據(jù)分析成分指紋分析技術-紅外測試分析二維紅外光譜技術紅外(IR)數(shù)據(jù)分析拉曼數(shù)據(jù)分析三維熒光數(shù)據(jù)分析圓二色譜(CD)數(shù)據(jù)分析成分含量分析EPR/ESR數(shù)據(jù)分析VSM數(shù)據(jù)分析電化學數(shù)據(jù)分析矢量網(wǎng)絡數(shù)據(jù)分析電磁分析CT數(shù)據(jù)分析X射線吸收精細結(jié)構(gòu)普(XAFS)數(shù)據(jù)分析穆斯堡爾譜數(shù)據(jù)分析小角散射(SAXS/WAXS)數(shù)據(jù)分析高端測試分析固體核磁數(shù)據(jù)分析液體核磁(NMR)測試+分析一體化液體核磁(NMR)數(shù)據(jù)分析化學結(jié)構(gòu)分析EBSD數(shù)據(jù)分析TEM數(shù)據(jù)分析單晶XRD數(shù)據(jù)分析晶體結(jié)構(gòu)確證技術-XRD精修XRD定性定量分析晶體結(jié)構(gòu)分析BET數(shù)據(jù)分析其它數(shù)據(jù)分析需求熱分析數(shù)據(jù)處理數(shù)據(jù)分析作圖其他數(shù)據(jù)分析半導體激光器模擬發(fā)光二極管仿真光電探測器仿真太陽能電池仿真半導體器件仿真表面能差分密度磁矩單原子催化電荷密度電解水制氫反應(HER)費米面(fermi surface)電子局域化函數(shù)(electron localization function)第一性原理分子模擬量子化學相分析有限元模擬常規(guī)理化-水樣常規(guī)理化-土樣/沉積物常規(guī)理化-氣體常規(guī)理化-植物/蔬果/農(nóng)作物常規(guī)理化-食品常規(guī)理化-肥料/飼料常規(guī)理化-巖礦常規(guī)理化-垃圾常規(guī)理化-職業(yè)衛(wèi)生常規(guī)理化-其它常規(guī)理化項目纖維素、半纖維素、木質(zhì)素含量bcr形態(tài)順序提取/tessier五步提取法土壤水體抗生素微塑料微生物磷脂脂肪酸(PLFA)非標理化-其它非標理化項目穩(wěn)定同位素放射性同位素同位素-其它金屬同位素同位素多糖的單糖組成測定可溶性寡糖定量土壤氨基糖多糖全套分析多糖甲基化植物糖化學-常規(guī)指標糖化學液質(zhì)聯(lián)用LCMS高效液相色譜HPLC氣相色譜GC氣質(zhì)聯(lián)用GCMS全二維氣質(zhì)GC×GC-MS氣相色譜-離子遷移譜聯(lián)用儀(GC-IMS)液相色譜-原子熒光聯(lián)用(LC-AFS)制備型HPLC色譜質(zhì)譜數(shù)據(jù)分析液相色譜-電感耦合等離子體質(zhì)譜(LC-ICPMS)色譜質(zhì)譜DOM(FT- ICR- MS)水質(zhì)NOM(LC-OCD-OND)DOM(FT-ICR-MS)數(shù)據(jù)分析環(huán)境高端電池產(chǎn)品整體解決方案正極顆粒表面微觀形貌正極顆粒物截面形貌與元素三元正極顆粒循環(huán)前后晶界裂紋正極顆粒摻雜元素分布正極顆粒截面元素分布和晶格表征正極極片原位晶相分析正極極片截面元素分布和晶格表征正極表面CEI膜測試方法XPS正極極片截面微觀形貌觀察和元素分布正極極片CEI膜成分分析與厚度測定正極極片介電常數(shù)正極極片浸潤性正極極片包覆層觀察正極極片雜質(zhì)含量測定正極極片氧空位測定負極顆粒表面微觀形貌觀察和元素分布負極顆粒截面微觀形貌觀察和元素分布石墨類型判定負極顆粒粒徑分析負極極片孔洞分析負極顆粒包覆層觀察負極顆粒羥基含量測定負極極片包覆層觀察負極表面SEI膜分析XPS法負極極片SEI膜成分分析與厚度測定負極極片截面微觀形貌觀察和元素分布負極極片石墨碳和無定型碳比例隔膜表面微觀形貌觀察隔膜循環(huán)前后孔徑變化質(zhì)子交換膜形貌(厚度)觀察 CP+SEM質(zhì)子交換膜雜質(zhì)元素電池循環(huán)后鼓包氣電池循環(huán)后爆炸氣鋰電池極片和集流體間的粘結(jié)強度三元正極材料NCM比例燃料電池-整體解決方案電池產(chǎn)品-隔膜電池產(chǎn)品-優(yōu)勢項目正極材料-PH值正極材料-比表面積正極材料-磁性異物正極材料-化學成分正極材料-晶體結(jié)構(gòu)正極材料-粒徑分布正極材料-首次放電比容量及首次庫倫效率正極材料-水分含量正極材料-松裝密度正極材料-未知物分析正極材料-形貌,厚度與結(jié)構(gòu)正極材料-壓實密度正極材料-振實密度電池產(chǎn)品-正極材料負極材料-PH值負極材料-比表面積負極材料-層間距 石墨化度負極材料成分分析負極材料-磁性異物負極材料-粉末壓實密度負極材料-固定碳含量負極材料-化學成分負極材料-粒徑分布負極材料-石墨鑒定負極材料-水分負極材料-限用物質(zhì)含量負極材料-形貌與結(jié)構(gòu)負極材料-陰離子的測定負極材料-有機物含量負極材料-真密度負極材料-振實密度負極顆粒-石墨取向性(OI值)首次放電比容量及首次庫倫效率電池產(chǎn)品-負極材料電解液-電導率電解液-化學元素含量電解液-密度電解液-水分含量電解液-未知物分析電解液-游離酸(HF含量)電池產(chǎn)品-電解液電池產(chǎn)品-隔膜電池產(chǎn)品-隔膜
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活動價 ¥100.00
場發(fā)射掃描電子顯微鏡SEM
(云視頻+現(xiàn)場預約)
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型號:

熱場:SEM(蔡司Zeiss sigma300Zeiss Geminisem 300

EDS(牛津 OxfordX-MAX

冷場:日立SU8230

u項目簡介

掃描電子顯微鏡(SEM)是利用二次電子和背散射電子信號,通過真空系統(tǒng)、電子束系統(tǒng)和成像系統(tǒng)獲取被測樣品本身的各種物理、化學性質(zhì)的信息,如形貌、組成、晶體結(jié)構(gòu)、電子結(jié)構(gòu)和內(nèi)部電場或磁場等的一種分析儀器,隨著科學技術水平的提高,其放大倍數(shù)        可達幾十萬倍,分辨率可達納米級別,是形貌和成分分析領域極其重要的一種工具。



u可做測試項目

形貌、能譜點掃、能譜線掃、能譜面掃(mapping);可鍍金,非磁、弱磁、強磁樣品均可拍攝。

1、形貌:儀器放大倍數(shù)范圍是100倍-20W倍,常規(guī)樣品可以拍攝到8-10W倍,導電性不好或磁性樣品大于8W倍可能會不清
2、能譜:SEM能譜一般只能測C(含C)以后的元素,(B元素也能做,但是不準,不建議做)如果需要打能譜,需要備注好測試位置以及能譜打哪些元素,需要注意的是制樣時待測元素不能與基底成分有重合,如果要測C元素,樣品不要分散到含C的基底上,可以分散到硅片,錫紙上,如果要測Si元素,注意不要制樣到硅片上。

3、鍍金:為了保證拍攝效果,一般導電差或者是強磁性的樣品都需要鍍金之后進行拍攝。

非磁、磁性(弱磁、強磁)定義:

含鐵、鈷、鎳、錳等磁性元素均為磁性樣品,吸鐵石能吸起來為強磁,吸鐵石吸不起來為弱磁。

備注:磁性分硬磁和軟磁,有些材料對外不表現(xiàn)磁性,但加磁場后容易磁化,受熱后磁性增強。



u制樣流程

1、塊體:直接用導電膠粘在樣品臺上測試,若需拍塊體/薄膜截面,需明確截面制備方法,一般可以提供剪刀裁剪和液氮脆斷兩種方式;

2、液體:用移液槍取樣品超聲后的懸濁液,滴一滴于硅片或錫紙上,自然風干/紅外燈烘干,烘干后將硅片或錫紙用導電膠粘在樣品臺上測試;

3、粉末:(1)直接用導電膠粘在樣品臺上測試;(2)乙醇分散制樣:取少量樣品于離心管中,加入 一定量無水乙醇(或水),室溫超聲5-10min,隨后采用 2 中液體的制樣方式制樣測試。


u結(jié)果展示

形貌一般每樣品提供8-10張左右照片,能譜點掃每樣提供2個點,線掃每樣測試1個位置,面掃每樣測試1個位置,具體根據(jù)樣品的拍攝情況而定。

1、SEM 形貌的測試參數(shù)解讀如下圖所示:


2、SEM-EDS能譜測試參數(shù)解讀如圖所示:

點掃:


線掃:


面掃(Mapping):


u制樣說明及注意事項

一、制樣說明

1、粉體樣品,常規(guī)粉末直接粘到導電膠上測試,如需分散后測試請?zhí)崆罢f明;

2、液體樣品,測試老師根據(jù)樣品要求及實驗室條件,隨機選擇滴到硅片或鋁箔上,如有指定要求請?zhí)崆罢f明;

3、薄膜或塊體,請標明測試面,如需測試截面,請自行自備截面或提前說明截面制備方式。

二、樣品要求

粉末、液體、薄膜、塊體均可測試,粉體樣品大概10mg,塊體樣品要求長寬≤1cm,厚度≤1cm,樣品質(zhì)量不超過200g;

混凝土,珊瑚沙,氣凝膠等需要抽真空時間非常長的樣品尺寸請盡可能直徑≤5mm,厚度≤5mm;

需要脆斷的樣品,尺寸需要≥2*2cm,厚度<0.5cm,較厚的樣品建議尺寸準備大些;

要求樣品無毒、無放射性、干燥無污染、熱穩(wěn)定性好、耐電子束轟擊。

三、注意事項

1、樣品含水,濕潤是不能做SEM的;

2、易分解樣品需明確分解條件(如溫度等),若樣品極易分解可能不能安排測試,因為分解后產(chǎn)生物質(zhì)可能對測試儀器造成影響;

3、水凝膠等易吸潮樣品寄樣前請先確認樣品暴露 4-5h 內(nèi)是否會出現(xiàn)明顯的吸潮現(xiàn)象,測試過程中樣品吸潮會影響拍攝的同時也會對儀器造成損傷;

4、導電性不好(如半導體金屬氧化物、生物樣品及塑料、陶瓷等)或強磁樣品建議選擇噴金,不噴金可能會影響拍攝效果。


u常見問題

1.不導電或?qū)щ姴畹臉悠罚瑸槭裁匆獓娊穑?/span>

SEM成像,是通過探測器獲得二次電子和背散射電子的信號。如樣品不導電或?qū)щ娦圆缓?,會造成樣品表面多余電子或游離粒子的累積不能及時導走,一定程度后就反復出現(xiàn)充電放電現(xiàn)象(charging),最終影響電子信號的傳遞,造成圖像扭曲,變形、晃動等現(xiàn)象,噴金后樣品表面導電增強,從而避免積電現(xiàn)象。

2.噴金后,對樣品形貌是否有影響?

樣品表面噴金后,只是在其表面覆蓋了幾個到十幾個金原子層,厚度只有幾個納米到十幾個納米而已,對于看形貌來說,幾乎是沒有什么影響的。

3.掃描電鏡能譜點掃,線掃和mapping之間的區(qū)別?

能譜點掃,線掃和mapping分別是在點范圍,線范圍,和面范圍內(nèi)獲得樣品的元素半定量信息,線掃和mapping除此之外還能分析元素在線或面范圍內(nèi)的分布情況。它們的意義在于點掃可以測試材料某一位置的元素種類和含量,面掃(mapping)的意義主要在于了解材料元素的區(qū)域分布,線掃的意義在于了解材料一條線上各個點的元素含量的變化。

4.掃描電鏡和透射電鏡的相似和區(qū)別?

制樣上:

二者對樣品共同要求:固體,盡量干燥,盡量沒有油污染,外形尺寸符合樣品室大小要求。

區(qū)別是:

TEM:電子的穿透能力很弱,透射電鏡往往使用幾百千伏的高能量電子束,但依然需要把樣品磨制或者離子減薄或者超薄切片到微納米量級厚度,這是最基本要求。

SEM: 幾乎不用制樣,直接觀察。大多數(shù)非導體需要制作導電膜(例如噴金),絕大多數(shù)幾分鐘的搞定,含水的生物樣品需要固定脫水干燥。

成像上:

SEM的成像時電子束不穿透樣品而是掃描樣品表面,TEM成像時電子束穿透樣品,SEM的空間分辨率一般在XY-3-6nm,TEM空間分辨率一般可以達到0.1-0.5nm。

5.SEM-EDSXPS測試時采樣深度的差別?

XPS采樣深度為2-10nm,EDS采樣深度大約1um。

6.掃描電鏡的能譜為何不能準確定量?

能譜(EDS)結(jié)合掃描電鏡使用,能進行材料微區(qū)元素種類與含量的分析。其工作原理是:各種元素具有自己的 X 射線特征波長,特征波長的大小則取決于能級躍遷過程中釋放出的特征能量 E,能譜儀就是利用不同元素 X 射線光子特征能量不同這一特點來進行成分分析的。能譜定量分析的準確性與樣品的制樣過程,樣品的導電性,元素的含量以及元素的原子序數(shù)有關。因此,在定量分析的過程中既有一些原理上的誤差(數(shù)據(jù)庫及標準),我們無法消除,也有一些人為的因素產(chǎn)生的誤差,這些元素都會導致能譜定量不準確。

7.什么是背散射電子像?

背向散射電子(BackscatteredElectrons):入射電子在樣品中經(jīng)散射后再從上表面射出來的電子。反映樣品表面不同取向、不同平均原子量的區(qū)域差別。背散射電子像的形成,就是因為樣品表面上平均原子序數(shù)較大的部位而形成較亮的區(qū)域,產(chǎn)生較強的背散射電子信號;而平均原子序數(shù)較低的部位則產(chǎn)生較少的背散射電子,在熒光屏上或照片上就是較暗的區(qū)域,這樣就形成原子序數(shù)襯度。

8.電鏡圖像的標尺與放大倍數(shù)的關系?

電鏡圖像的標尺通常都可以設定為固定的或可變的。前者是標尺的長度不變,但代表的長度隨放大倍率變化;后者是標尺長度適應不同階段放大倍率可變,但代表的長度在一定的放大倍率范圍內(nèi)固定不變。因此同樣的放大倍率可以有不同的標尺,但在同一輸出媒介上的實際尺寸不變。改變輸出方式時,放大倍率已改變(當然顯示的放大倍率不會變化),測量的尺寸當然也就改變了。因此,標尺數(shù)值的大小跟放大倍數(shù)沒有必然關系,具體數(shù)值大小和不同的廠商設置有關。

9.磁性樣品會對電鏡有影響嗎?

電子槍發(fā)射出的電子,一般都是由磁場匯聚,當樣品含有磁性的時候很容易磁化電鏡的"心臟"部件-極靴,同時容易吸附到極靴表面或光學通道上,因此磁性樣品的測試可能會給電鏡帶來損害,承接磁性樣品的檢測單位也需要去承擔相應的風險。

10.我的樣品磁鐵吸不上來,怎么就屬于磁性了?

以奧氏體為例,一方面我們并不完全清楚您樣品的加工工藝和組成,大多數(shù)人都認為不銹鋼是沒有磁性的,并借助磁鐵來鑒別不銹鋼,這種方法很不科學,在現(xiàn)實生活中,首先鋅合金、銅合金一般都可以仿不銹鋼的外觀顏色,也沒有磁性,容易誤認為是不銹鋼,而即使是我們目前最常使用的 304 鋼種,在經(jīng)過冷加工后,也會出現(xiàn)不同程度的磁性。所以不能只憑一塊磁鐵來判斷不銹鋼的真?zhèn)巍?/span>

另一方面,即便有些樣品對外表現(xiàn)為無磁,但當本身含有磁性元素時候,在進入磁場以后獲得充磁,也會表現(xiàn)出一定的磁性,對儀器造成損傷。

因此,保險起見,含有磁性元素的樣品,我們將統(tǒng)一按照磁性樣品來處理。

11.每次噴金的顆粒大小會一樣嗎?

噴金顆粒的大小和靶材、樣品放置的高度、時間、電流、有無保護氣都有影響,無法保證一致

12.掃描電鏡的SEBSE模式的區(qū)別?

1.收集信號不同 SE:二次電子;BSE:背散射電子

2.分辨率不同 SE:高;BSE:低

3.圖像襯度不同 SE:形貌襯度;BSE:質(zhì)厚襯度

4.應用目的不同 SE:圍觀立體形貌;BSE:相二維分布

二次電子對形貌敏感,反映的是樣品的表面形貌,立體感強,

背散射電子襯度主要反映樣品表面原子序數(shù)的差異,如果樣品是一平整樣品,則在SE像上無襯度差異,但如果存在非均勻相,則在BSE像上能有明顯的相區(qū),通常情況下,使用掃描電鏡進行試樣觀察時,二次電子的使用會多于背散射電子。


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