鑠思百檢測

DETECTION OF TECHNICAL SOUSEPAD

透射電子顯微鏡(TEM-EDS)掃描電子顯微鏡(FESEM-EDS)球差電鏡激光共聚焦顯微鏡(LSCM)原子力顯微鏡(AFM)電子探針儀(EPMA)金相顯微鏡電子背散射衍射儀(EBSD)臺階儀,膜厚儀,探針接觸式輪廓儀,3D輪廓儀工業(yè)CT白光干涉儀(非接觸式3D表面輪廓儀)電鏡測試FIB制樣離子減薄制樣冷凍超薄切片制樣樹脂包埋制樣(生物制樣)液氮脆斷制樣金網(wǎng)鉬網(wǎng)銅網(wǎng)超薄碳膜微柵制樣電鏡制樣X射線光電子能譜分析儀(XPS)紫外光電子能譜(UPS)俄歇電子能譜(AES)X射線衍射儀(XRD)X射線散射儀SAXS/WAXSX射線殘余應力分析儀X射線熒光光譜分析儀(XRF)電感耦合等離子體光譜儀(ICP-OES)紫外可見反射儀(DRS)拉曼光譜(RAMAN)紫外-可見分光光度計(UV)圓二色譜(CD)傅里葉變換紅外光譜分析儀(FTIR)吡啶紅外(DRIFTS)單晶衍射儀穆斯堡爾光譜儀穩(wěn)態(tài)瞬態(tài)熒光光譜分析儀(PL)原子吸收分光光度計原子熒光光度計(AFS)三維熒光 /熒光分光光度計紅外熱成像儀霧度儀旋光儀橢偏儀光譜測試電感耦合等離子體質(zhì)譜儀(ICP-MS)電噴霧離子化質(zhì)譜儀(ESI-MS)頂空-固相微萃取氣質(zhì)聯(lián)用儀(HS -SPME -GC -MS)二次離子質(zhì)譜(SIMS)基質(zhì)輔助激光解吸電離飛行時間質(zhì)譜儀(MALDI-TOF)裂解氣質(zhì)聯(lián)用儀(PY-GC-MS)氣質(zhì)聯(lián)用儀(GC-MS)同位素質(zhì)譜儀液質(zhì)聯(lián)用儀(LC-MS)質(zhì)譜測試差示掃描量熱儀(DSC)熱重分析儀(TGA)熱分析聯(lián)用儀(DSC-TGA)靜態(tài)/動態(tài)熱機械分析儀(TMA/DMA)熱重紅外聯(lián)用儀(TG-IR)熱重紅外質(zhì)譜聯(lián)用儀(TG-IR-MS)熱重紅外氣相質(zhì)譜聯(lián)用(TG-IR-GC-MS)紅外熱成像儀激光導熱儀錐形量熱儀(CONE)熱譜測試電子順磁共振波譜儀(EPR、ESR)固體核磁共振儀(NMR)液體核磁共振儀(NMR)微波網(wǎng)絡矢量分析儀/矢量網(wǎng)絡分析儀核磁順磁波譜測試比表面及孔徑分析儀(BET)表面張力儀(界面張力儀)高壓吸附儀化學吸附儀(TPD TPR)接觸角測量儀納米壓痕儀壓汞儀(MIP)表界面物性測試氣相色譜儀(GC)高效液相色譜儀(HPLC)離子色譜儀(IC)凝膠色譜儀(GPC)液相色譜(LC)色譜測試電導率儀電化學工作站腐蝕測試儀介電常數(shù)測定儀卡爾費休水分測定儀自動電位滴定儀電化學儀器測試Zeta電位儀工業(yè)分析激光粒度儀流變儀密度測定儀納米粒度儀邵氏 維氏 洛氏硬度計有機鹵素分析儀(F,Cl,Br,I,At,Ts)有機元素分析儀(EA)粘度計振動樣品磁強計(VSM)土壤分析測試植物分析測試其他測試同步輻射GIWAXS GISAXS同步輻射XRD,PDF,SAXS同步輻射吸收譜-高能機時同步輻射吸收譜之軟X射線同步輻射吸收譜之硬X射線同步輻射聚焦離子束掃描電鏡(FIB-SEM)礦物定量分析系統(tǒng)MLA球差校正透射電子顯微鏡高端電鏡類原位XPS測試原位EBSD(in situ -EBSD)原位紅外原位掃描電子顯微鏡(in-situ-SEM)原位透射電子顯微鏡高端原位測試飛行時間二次離子質(zhì)譜儀(TOF-SIMS)輝光放電光譜(GD-OES MS)三維原子探針(APT)高端質(zhì)譜類Micro/Nano /工業(yè)CT飛秒瞬態(tài)吸收光譜儀(fs-TAS)掃描隧道顯微鏡深能級瞬態(tài)譜儀正電子湮滅壽命譜儀其他XPS數(shù)據(jù)分析XRD全巖黏土分析表面成分分析技術-XPS測試分析常規(guī)XRD數(shù)據(jù)分析成分指紋分析技術-紅外測試分析二維紅外光譜技術紅外(IR)數(shù)據(jù)分析拉曼數(shù)據(jù)分析三維熒光數(shù)據(jù)分析圓二色譜(CD)數(shù)據(jù)分析成分含量分析EPR/ESR數(shù)據(jù)分析VSM數(shù)據(jù)分析電化學數(shù)據(jù)分析矢量網(wǎng)絡數(shù)據(jù)分析電磁分析CT數(shù)據(jù)分析X射線吸收精細結(jié)構普(XAFS)數(shù)據(jù)分析穆斯堡爾譜數(shù)據(jù)分析小角散射(SAXS/WAXS)數(shù)據(jù)分析高端測試分析固體核磁數(shù)據(jù)分析液體核磁(NMR)測試+分析一體化液體核磁(NMR)數(shù)據(jù)分析化學結(jié)構分析EBSD數(shù)據(jù)分析TEM數(shù)據(jù)分析單晶XRD數(shù)據(jù)分析晶體結(jié)構確證技術-XRD精修XRD定性定量分析晶體結(jié)構分析BET數(shù)據(jù)分析其它數(shù)據(jù)分析需求熱分析數(shù)據(jù)處理數(shù)據(jù)分析作圖其他數(shù)據(jù)分析半導體激光器模擬發(fā)光二極管仿真光電探測器仿真太陽能電池仿真半導體器件仿真表面能差分密度磁矩單原子催化電荷密度電解水制氫反應(HER)費米面(fermi surface)電子局域化函數(shù)(electron localization function)第一性原理分子模擬量子化學相分析有限元模擬常規(guī)理化-水樣常規(guī)理化-土樣/沉積物常規(guī)理化-氣體常規(guī)理化-植物/蔬果/農(nóng)作物常規(guī)理化-食品常規(guī)理化-肥料/飼料常規(guī)理化-巖礦常規(guī)理化-垃圾常規(guī)理化-職業(yè)衛(wèi)生常規(guī)理化-其它常規(guī)理化項目纖維素、半纖維素、木質(zhì)素含量bcr形態(tài)順序提取/tessier五步提取法土壤水體抗生素微塑料微生物磷脂脂肪酸(PLFA)非標理化-其它非標理化項目穩(wěn)定同位素放射性同位素同位素-其它金屬同位素同位素多糖的單糖組成測定可溶性寡糖定量土壤氨基糖多糖全套分析多糖甲基化植物糖化學-常規(guī)指標糖化學液質(zhì)聯(lián)用LCMS高效液相色譜HPLC氣相色譜GC氣質(zhì)聯(lián)用GCMS全二維氣質(zhì)GC×GC-MS氣相色譜-離子遷移譜聯(lián)用儀(GC-IMS)液相色譜-原子熒光聯(lián)用(LC-AFS)制備型HPLC色譜質(zhì)譜數(shù)據(jù)分析液相色譜-電感耦合等離子體質(zhì)譜(LC-ICPMS)色譜質(zhì)譜DOM(FT- ICR- MS)水質(zhì)NOM(LC-OCD-OND)DOM(FT-ICR-MS)數(shù)據(jù)分析環(huán)境高端電池產(chǎn)品整體解決方案正極顆粒表面微觀形貌正極顆粒物截面形貌與元素三元正極顆粒循環(huán)前后晶界裂紋正極顆粒摻雜元素分布正極顆粒截面元素分布和晶格表征正極極片原位晶相分析正極極片截面元素分布和晶格表征正極表面CEI膜測試方法XPS正極極片截面微觀形貌觀察和元素分布正極極片CEI膜成分分析與厚度測定正極極片介電常數(shù)正極極片浸潤性正極極片包覆層觀察正極極片雜質(zhì)含量測定正極極片氧空位測定負極顆粒表面微觀形貌觀察和元素分布負極顆粒截面微觀形貌觀察和元素分布石墨類型判定負極顆粒粒徑分析負極極片孔洞分析負極顆粒包覆層觀察負極顆粒羥基含量測定負極極片包覆層觀察負極表面SEI膜分析XPS法負極極片SEI膜成分分析與厚度測定負極極片截面微觀形貌觀察和元素分布負極極片石墨碳和無定型碳比例隔膜表面微觀形貌觀察隔膜循環(huán)前后孔徑變化質(zhì)子交換膜形貌(厚度)觀察 CP+SEM質(zhì)子交換膜雜質(zhì)元素電池循環(huán)后鼓包氣電池循環(huán)后爆炸氣鋰電池極片和集流體間的粘結(jié)強度三元正極材料NCM比例燃料電池-整體解決方案電池產(chǎn)品-隔膜電池產(chǎn)品-優(yōu)勢項目正極材料-PH值正極材料-比表面積正極材料-磁性異物正極材料-化學成分正極材料-晶體結(jié)構正極材料-粒徑分布正極材料-首次放電比容量及首次庫倫效率正極材料-水分含量正極材料-松裝密度正極材料-未知物分析正極材料-形貌,厚度與結(jié)構正極材料-壓實密度正極材料-振實密度電池產(chǎn)品-正極材料負極材料-PH值負極材料-比表面積負極材料-層間距 石墨化度負極材料成分分析負極材料-磁性異物負極材料-粉末壓實密度負極材料-固定碳含量負極材料-化學成分負極材料-粒徑分布負極材料-石墨鑒定負極材料-水分負極材料-限用物質(zhì)含量負極材料-形貌與結(jié)構負極材料-陰離子的測定負極材料-有機物含量負極材料-真密度負極材料-振實密度負極顆粒-石墨取向性(OI值)首次放電比容量及首次庫倫效率電池產(chǎn)品-負極材料電解液-電導率電解液-化學元素含量電解液-密度電解液-水分含量電解液-未知物分析電解液-游離酸(HF含量)電池產(chǎn)品-電解液電池產(chǎn)品-隔膜電池產(chǎn)品-隔膜
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活動價 ¥400.00
原子力顯微鏡(AFM)
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儀器型號  布魯克Bruker原子力顯微鏡 AFM MultiMode8;日本精工SPA400

服務周期   收到樣品后平均3-5工作日完成

圖文展示

u項目簡介

a.粉末,溶液,塊狀樣品的表面形貌,厚度,粗糙度測試

b. 生物/纖維樣品的表面形貌

c.相圖

d. PFM(壓電力顯微鏡), EFM(靜電力顯微鏡), KPFM(表面電勢), MFM(磁力顯微鏡), C-AFM/PeakForce TUNA(導電力顯微鏡),楊氏模量/模量分布,力曲線,液下,變溫等特殊模式。

更多測試要求請咨詢工程師15071040697


u樣品要求

1. 樣品狀態(tài):可為粉末、液體、塊體、薄膜樣品;

2. 粉末樣品:常規(guī)測試項目樣品起伏一般不超過5微米,特殊測試項目樣品起伏一般不超過1um,提供20mg,液體不少于1ml,尺寸過大請?zhí)崆白稍?/span>工程師15071040697;

3.粉末/液體樣品請務必備注好制樣條件,包括分散液,超聲時間及配制濃度;

4.薄膜或塊狀樣品尺寸要求:長寬0.5-3cm之間,厚度0.1-1cm之間,表面粗糙度不超過5um,一定要標明測試面!塊狀樣品需要固定好,避免在寄送過程產(chǎn)生晃動或摩擦影響測試結(jié)果!

5.測試PFM、KPFMC-AFM、PeakForce TUNA的材料需要將樣品制備在導電基底上,基底大小符合塊狀樣品的尺寸要求,KPFM、C-AFM、PeakForce TUNA的樣品需要導電或至少為半導體

6.PFM,KPFM測試需要樣品表面十分平整,樣品粗糙度最好在10-200nm之間,粉末樣品測試很難測到較好結(jié)果,下單前請確保風險可接受。



u結(jié)果展示


不同型號儀器結(jié)果形式會有差別,下面展示的是Bruker Dimension ICON型號AFM的結(jié)果,僅供參考。

1、表面形貌和表面粗糙度

AFM可以對樣品表面形態(tài)、納米結(jié)構、鏈構象等方面進行研究,獲得納米顆粒尺寸,孔徑,材料表面粗糙度,材料表面缺陷等信息,同時還能做表面結(jié)構形貌跟蹤(隨時間,溫度等條件變化)。也可對樣品的形貌進行豐富的三維模擬顯示,使圖像更適合于人的直觀視覺。下圖表征的是納米顆粒的二維幾何形貌圖,三維高度形貌圖以及粗糙度。

2、精準定位如:納米片厚度/臺階高度

什么是精準定位?就是需要花時間去一點點找這個地方。

在半導體加工過程中通常需要測量高縱比結(jié)構,像溝槽和臺階,以確定刻蝕的深度和寬度。這些在SEM 下只有將樣品沿截面切開才能測量,AFM 可以對其進行無損的測量。AFM在垂直方向的分辨率約為0.1 nm,因此可以很好的用于表征納米片厚度。下圖表征的是臺階高度和納米片厚度圖。

3、相圖

作為輕敲模式的一項重要的擴展技術,相位模式是通過檢測驅(qū)動微懸臂探針振動的信號源的相位角與微懸臂探針實際振動的相位角之差(即兩者的相移)的變化來成像。引起該相移的因素很多,如樣品的組分、硬度、粘彈性質(zhì),模量等。簡單來說,如果兩種材料從AFM形貌上來說,對比度比較小,但你又非常想說明這是在什么膜上長的另外一種,這個時候可以利用二維形貌圖+相圖來說明(前提是兩種材料的物理特性較為不同,相圖有明顯對比信號才行)。

布魯克AFM儀器的測試原始文件.spm格式可用布魯克離線軟件Nanoscope analysis軟件打開。



u常見問題:


1. 為什么AFM測試樣品顆?;蛘弑砻娲植诙炔荒苓^大?

一般來說AFM儀器測試的Z相范圍是10um左右(有些儀器可能只有2um),因此樣品表面起伏過大的樣品可能會超出儀器掃描范圍,另外粗糙度比較大的樣品會導致針尖易磨鈍或者受污染,對圖像質(zhì)量有很大影響,且磨損無法修復增加耗材成本。

2. AFM拍攝不到自己想要的效果,表面形貌或粗糙度與自己預期不符合?

AFM拍攝也需要不斷尋找合適的位置拍攝,同一樣品不同拍攝部位表面形貌和粗糙度極有可能不一致,因為原子力顯微鏡成像范圍較小,與拍攝樣品表面是否均勻息息相關。

3. 什么是相圖?如何分析相圖?

作為輕敲模式的一項重要的擴展技術,相位模式是通過檢測驅(qū)動微懸臂探針振動的信號源的相位角與微懸臂探針實際振動的相位角之差(即兩者的相移)的變化來成像。引起該相移的因素很多,如樣品的組分、硬度、粘彈性質(zhì),模量等。因此利用相位模式,可以在納米尺度上獲得樣品表面局域性質(zhì)的豐富信息。值得注意的是,相移模式作為輕敲模式一項重要的擴展技術,雖然很有用。但單單是分析相位模式得到的圖像是沒有意義的,必須和形貌圖相結(jié)合,比較分析兩個圖像才能得到你需要的信息。簡單來說,如果兩種材料從AFM形貌上來說,對比度比較小,但又非常想說明這是在什么膜上長的另外一種,這個時候可以利用二維形貌圖+相圖來說明(前提是兩種材料的物理特性較為不同,相圖有明顯對比信號才行)。

4. 樣品導電性不好能測AFM嗎?需要噴金處理嗎?

AFM常規(guī)測試項目對樣品的導電性沒有要求,不導電的樣品也是可以測試的,不需要做噴金處理,但是部分電學模塊的測試,比如KPFM,是需要樣品導電的,金顆粒是有一定尺寸的,噴金后可能會在形貌上有影響,因此一般不建議噴金處理。

5. 如何從AFM結(jié)果中獲得樣品的粗糙度?

表面粗糙度計算,這是AFM的優(yōu)勢,可以得到全圖粗糙度和所選區(qū)域的粗糙度,Rq:均方根粗糙度和Ra:平均值粗糙度,這兩個都能參考,在使用時同組數(shù)據(jù)保持一致就行。如果需要獲得粗糙度值,在AFM的離線軟件選中高度圖,直接點擊roughness即可。

6. Force mapping和楊氏模量圖之間的差別?

Force mapping是力曲線面掃。通過對Force mapping擬合換算可以獲得楊氏模量圖。Force mapping和楊氏模量圖之間最關鍵的差別是:一般Force mapping圖的采集分辨率為16*16,32*3264*64, 效果如下左圖所示。楊氏模量圖的采集分辨率為256*256,效果如下右圖所示。另外Force mapping結(jié)果默認是可以保留力曲線的數(shù)據(jù)的,但是楊氏模量圖默認是不保留力曲線的數(shù)據(jù)的(如果楊氏模量圖需要導出力曲線,需要在測試前說明),一般蛋白類的樣品不適合楊氏模量圖,因為楊氏模量圖需要的力比較大,并且對樣品有要求,制備均勻,厚度超過20nm才可以做楊氏模量圖。參考圖如下:

7. 力曲線測試,楊氏模量圖和Force mapping圖之間的區(qū)別?

力曲線和Force mapping的區(qū)別就在于力曲線采集的數(shù)據(jù)少(類似能譜點掃,一般隨機采集3-5個點),Force mapping采集的力曲線多(類似力曲線面掃,分辨率可以為16*16,32*32等),面掃的每個點的力曲線都可以導出,但是數(shù)據(jù)量比較大,一般不建議全部導出;楊氏模量圖的可以獲得面范圍內(nèi)的楊氏模量分布,分辨率一般為256*256,但默認不保存力曲線的數(shù)據(jù),如果需要在采集楊氏模量圖的時候保存力曲線的數(shù)據(jù)需要提前說明。

8. PFM測試中,激勵電壓是什么意思?

壓電力顯微鏡(PFM)即是在AFM基礎上發(fā)展起來利用原子力顯微鏡導電探針檢測樣品的在外加激勵電壓下的電致形變量的顯微鏡。為了有效的提取出PFM信號,通常會對探針施加某一固定頻率(遠低于探針共振頻率)的激勵信號,通過鎖相放大器對PFM信號進行提取。 PFM測試中,常規(guī)儀器的激勵電壓一般為10V左右,配有高壓模塊的儀器可以測試到220V。

9. PFM測試的壓電驅(qū)動電壓的選擇需要注意什么?

PFM測試中獲得的信噪比取決于樣品的壓電響應、探針種類和驅(qū)動電壓大小等諸多因素。 在大多數(shù)情況下,增加驅(qū)動電壓(即施加在樣品上的交流電的振幅),信噪比將得到改善。如果被測樣品是薄膜的情況則需要注意,過大的驅(qū)動電壓可能導致樣品被極化。因此針對不同樣品主要選擇合適的驅(qū)動電壓,建議通過參照同類型樣品的參考文獻進行選擇。

10. Peak-Force TunaC-AFM測試之間的區(qū)別?

TUNA電流是探針要觸及樣品后的隧穿電流值,反應了樣品的導電性,同時探針不會對樣品造成損壞,可以說即可以表征樣品本征形貌,也反應了樣品的電學性能。C-AFM是直接接觸樣品,如果樣品不夠硬(比如有機物),針尖會直接劃破樣品,同時采集電學信號。兩種方式,電流大小會有差異,pktuna模式下,電流會小一些,相對比較的話,結(jié)果上是一樣。

11. 導電力顯微鏡一般表征樣品多厚區(qū)域內(nèi)的電流分布?

跟材料導電性能有關,導電材料的話幾微米厚的可以,要是半導體材料的話可能需要是納米級別的,1微米以下。

12. 什么是PFM掃回字(也叫掃壓電籌/寫疇)?

這個比單純的PFM難,要來回加偏轉(zhuǎn)電壓讓壓電材料發(fā)生極化反轉(zhuǎn),最后再掃整體的圖,一共要掃四次。加三次電壓發(fā)生三次反轉(zhuǎn),最后再掃一個大范圍的才能出現(xiàn)這種圖。


u測試提示:

1.可開正規(guī)測試發(fā)票,附帶測試清單。

2.有腐蝕性,毒性,或其他有危害性等特殊樣品要事先告知測試人員,測試人員也要告知樣品方哪些樣品不能測或會對儀器產(chǎn)生損傷,測試后會對樣品產(chǎn)生哪些變化;

3.客戶需提供詳細的樣品資料,包括元素,主要成分和詳細測試參數(shù)及條件。和測試人員充分討論,商定最終測試條件;

4.測試人員與顧客通過QQ,微信或郵件溝通,出現(xiàn)測試糾紛,郵件或聊天記錄將作為重要的仲裁依據(jù);請加QQ和技術人員交流。QQ:82187958。微信:15071040697

5.杜絕測試、解析和合成違反國家相關法律法規(guī)的樣品,一經(jīng)發(fā)現(xiàn)將追究其法律責任。




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有同學經(jīng)常做AFM測試,但是對AFM樣品要求制備卻不是很清楚,今天鑠思百檢測小編整理了相關信息希望能幫到大家。AFM原子力顯微鏡(AFM,Atomic Force Microscopy)是一種納米級表面形貌和物理性質(zhì)測量技術,能夠直接觀測納米級別的表面形態(tài)、粗糙度、力學性質(zhì)等。AFM基于量子力學原理,通過檢測原子間的作用力來實現(xiàn)對樣品表面的高分辨率成像。為了保證 AFM 測試的準確性和有效性...
1   AFM接觸模式,掃描范圍越大,對針損壞越大嗎?答:掃描范圍大的情況下考慮表面出現(xiàn)較高起伏顆粒會對探針造成磨損,另外掃描范圍很大時,接近掃描最大范圍93微米時會對掃描管造成損傷。  2   什么時候才會考慮調(diào)節(jié) I gain/P gain/setpoint這些參數(shù)? 答:setpoint與力有關,接觸模式和峰值力輕敲模式下setpoint與力成正比關系,如果探針接觸不到表面出現(xiàn)形貌差...
鑠思百檢測可為您提供原子力顯微鏡(AFM)服務,AFM測試可以在大氣和液體環(huán)境下對各種材料和樣品進行納米區(qū)域的物理性質(zhì)包括形貌進行探測,或者直接進行納米操縱;現(xiàn)已廣泛應用于半導體、納米功能材料、生物、化工、食品、醫(yī)藥研究和科研院所各種納米相關學科的研究實驗等領域中,成為納米科學研究的基本工具。在做AFM測試時,鑠思百檢測在與很多同學溝通中了解到,好多同學對此項目不太了解,針對此,鑠思百檢測平...
AFM數(shù)據(jù)處理軟件NanoScope Analysis1、軟件安裝注意事項:  安裝在咱們的中文系統(tǒng)里面,可能會有一些小亂碼,不要緊、不影響使用,有一個亂碼“祄” 就是微米的意思;切記數(shù)據(jù)文件一定要放在,純英文目錄, 否則用軟件打不開;C:\Documents and Settings\Administrator\桌面\  (這個不可以);
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