費米面（fermi surface)

第一性原理

樣品準備須知?。。?/span>

1.請務必確認方案內(nèi)容，最后結(jié)果交付以方案內(nèi)容為準（除卻中間有意外，另行溝通情況），凡是在結(jié)果交付后，另外補加的要求，需另外評估是否收費。

2.在計算初期確認模型時，請務必仔細認真確認該模型，結(jié)果交付后，不接受因為模型問題提出的更改模型的售后要求。

3.請務必確認信息提供準確且沒有遺漏，信息盡量提供全面，如果在計算開始以后，又增加信息，視情況協(xié)商對原方案的影響以及收費情況。

4.對于軟件版權(quán)問題，需要自己解決，如果需要我方解決，請?zhí)崆皽贤ㄕf明，我們盡量解決，但不必須確保解決，不接受因此不付款的理由。

5.最后結(jié)果交付內(nèi)容包括：計算方法（不是計算結(jié)果的分析）的說明，最終的結(jié)構(gòu)文件，某些涉及作圖所需的數(shù)據(jù)。除以上內(nèi)容之外，有其他要求，請?zhí)崆罢f明。交付結(jié)果后，另外提出的要求，我們會盡量協(xié)助解決，但不保證一定能解決。

6.我們保證計算結(jié)果的真實性和有效性，但是無法保證計算結(jié)果一定符合您的預期，請務必確認該風險。

7.我們不承擔拒稿責任哦，但是我們會盡量協(xié)助解決審稿意見的問題，涉及需要補算的內(nèi)容，需要另評估收費。

8.交付結(jié)果后，請在一周內(nèi)反饋結(jié)果問題。長時間不查看結(jié)果，結(jié)果問題反饋時間距離交付結(jié)果時間太久的，我們視情況進行問題的解答（因為源數(shù)據(jù)不一定還有保留，所以一定要及時反饋哦）。

9.再次提醒：有不懂的可以多交流，但是交付結(jié)果后，請不要以“我不懂計算”為理由，提出不對應原方案的另外的要求，我們最終交付結(jié)果均以方案為核對參考。

樣品測試填寫要求注意事項

1.請問您是研究什么方向的呢

電催化、光催化、熱催化、電池、半導體、能源、其他

2.是否已經(jīng)有對接老師和您溝通好需求，現(xiàn)在需要下單了？

已經(jīng)溝通好需求，現(xiàn)在需要下單、還沒有溝通，這是我的新需求

3.請再簡單描述下您的計算內(nèi)容

4.提醒：下單支付完畢才會安排計算，支付完發(fā)單號給對接工程師哦

項目簡介

第一性原理計算的基本思想是將多個原子構(gòu)成的體系看成是由多個電子和原子核組成的系統(tǒng)，并根據(jù)量子力學的基本原理對問題進行最大限度的“非經(jīng)驗性”處理。它只需要5個基本常數(shù)（m0，e，h，c，kB）就可以計算出體系的能量和電子結(jié)構(gòu)等物理性質(zhì)。它可以確定已知材料的結(jié)構(gòu)和基礎性質(zhì)，并實現(xiàn)原子級別的精準控制，是現(xiàn)階段解決實驗理論問題和預測新材料結(jié)構(gòu)性能的有力工具。并且，第一性原理計算不需要開展真實的實驗，極大地節(jié)省了實驗成本，現(xiàn)已被廣泛應用于化學、物理、生命科學和材料學等領域。

適合的研究方向包括但不限于：催化、電池、半導體、金屬材料、非金屬材料、合金、納米材料等

可以計算的體系包括但不限于：晶體、非晶、二維材料、表面、界面、固體等

常用軟件：VASP，MS，CP2K，QE等

可以計算的內(nèi)容包括但不限于：

材料的幾何結(jié)構(gòu)參數(shù)（如鍵長、鍵角、二面角、晶格常數(shù)、原子位置等）

材料的電子結(jié)構(gòu)信息（如電荷密度、電荷差分密度、態(tài)密度、能帶、費米能級、功函數(shù)、ELF等）

材料的光學性質(zhì)（如介電常數(shù)等）

材料的力學性質(zhì)（如彈性模量等）

材料的磁學性質(zhì)（如磁導率等）

材料的晶格動力學性質(zhì)（如聲子譜等）

材料的表面性質(zhì)（如吸附能，催化計算等）

復合材料的性質(zhì)（異質(zhì)結(jié)等內(nèi)容）等等

費米面（fermi surface)

計算內(nèi)容

（1）定義：費米面是最高占據(jù)能級的等能面，是當T=0時電子占據(jù)態(tài)與非占據(jù)態(tài)的分界面。

（2）作用：通過計算材料的費米面能夠獲得材料中載流子遷移率、電導、電子比熱及脫出功等諸多性質(zhì)；

Theoretical Fermi surface highlighting the electron pockets (0.1 eV higher than the conduction band minimum) as a function of lattice constant a, the corresponding carrier concentrations are 1.2×10¹⁹
cm^-3，2.0×10¹⁹
cm^-3
and 1.7×10¹⁹
cm^-3, respectively.

（3）說明：The evolution of Fermi surface predicts a valley convergence at a certain a, as shown in Figure 4b. The valley convergence may strongly enhance the inter-valley scattering, leading to the drop down of carrier mobility. If the inter-valley scattering is dominating, the electrical conductivity will follow the T^-1/2
rule. On the other hand, if the electron-phonon scattering from deformation potential is dominating, the electrical conductivity will follow the T^-3/2
rule.We will show that the inter-valley scattering is responsible for the large decrease of carrier mobility in SnSe0.95 + 3%PbBr₂. In Figure 4a, SnSe_0.95
+ 3%PbBr₂
exhibits the highest Seebeck coefficient at room temperature, even though it has the largest carrier concentration. This phenomenon also indicates the evolution of Fermi surface shown in Figure 3b

文獻來源：DOI:
10.1039/C9EE03897C

結(jié)果展示

原子電荷：

差分電荷：

態(tài)密度DOS：

投影態(tài)密度PDOS：

功函數(shù)：

能帶：

吸附能：

分解能：

遷移能壘：

催化-HER：

催化-OER/ORR:

催化-CO2-RR:

樣品要求

最好提供晶體結(jié)構(gòu)文件，即cif文件；

或者可以提供與XRD實驗數(shù)據(jù)匹配的PDF卡片信息；

如果是表面結(jié)構(gòu)，還需要提供晶面信息；如結(jié)構(gòu)有改性（空位、摻雜、位錯等），還需要說明細節(jié)

常見問題

1. 為什么能帶計算值一般低于實驗值？

這是PBE本身的問題，PBE是一種GGA泛函，有較強的自相互作用問題，導致電子偏向離域、帶隙低估等一系列問題。一般計算得到的帶隙比實驗低30%~50%。這種低估并不是說方法就不可以用，我們還是可以把這個方法拿來做定性分析。

解決辦法，方法有DFT+U、mBJ+U、雜化泛函

2. 為什么有些體系要加U？

測試提示：

1.可開正規(guī)測試發(fā)票，附帶測試清單。

2.有腐蝕性，毒性，或其他有危害性等特殊樣品要事先告知測試人員，測試人員也要告知樣品方哪些樣品不能測或會對儀器產(chǎn)生損傷，測試后會對樣品產(chǎn)生哪些變化；

3.客戶需提供詳細的樣品資料，包括元素，主要成分和詳細測試參數(shù)及條件。和測試人員充分討論，商定最終測試條件；

4.測試人員與顧客通過QQ，微信或郵件溝通，出現(xiàn)測試糾紛，郵件或聊天記錄將作為重要的仲裁依據(jù)；請加QQ和技術(shù)人員交流。QQ：82187958。微信：15071040697

5.杜絕測試、解析和合成違反國家相關法律法規(guī)的樣品，一經(jīng)發(fā)現(xiàn)將追究其法律責任。