鑠思百檢測

DETECTION OF TECHNICAL SOUSEPAD

透射電子顯微鏡(TEM-EDS)掃描電子顯微鏡(FESEM-EDS)球差電鏡激光共聚焦顯微鏡(LSCM)原子力顯微鏡(AFM)電子探針儀(EPMA)金相顯微鏡電子背散射衍射儀(EBSD)臺階儀,膜厚儀,探針接觸式輪廓儀,3D輪廓儀工業(yè)CT白光干涉儀(非接觸式3D表面輪廓儀)電鏡測試FIB制樣離子減薄制樣冷凍超薄切片制樣樹脂包埋制樣(生物制樣)液氮脆斷制樣金網(wǎng)鉬網(wǎng)銅網(wǎng)超薄碳膜微柵制樣電鏡制樣X射線光電子能譜分析儀(XPS)紫外光電子能譜(UPS)俄歇電子能譜(AES)X射線衍射儀(XRD)X射線散射儀SAXS/WAXSX射線殘余應(yīng)力分析儀X射線熒光光譜分析儀(XRF)電感耦合等離子體光譜儀(ICP-OES)紫外可見反射儀(DRS)拉曼光譜(RAMAN)紫外-可見分光光度計(UV)圓二色譜(CD)傅里葉變換紅外光譜分析儀(FTIR)吡啶紅外(DRIFTS)單晶衍射儀穆斯堡爾光譜儀穩(wěn)態(tài)瞬態(tài)熒光光譜分析儀(PL)原子吸收分光光度計原子熒光光度計(AFS)三維熒光 /熒光分光光度計紅外熱成像儀霧度儀旋光儀橢偏儀光譜測試電感耦合等離子體質(zhì)譜儀(ICP-MS)電噴霧離子化質(zhì)譜儀(ESI-MS)頂空-固相微萃取氣質(zhì)聯(lián)用儀(HS -SPME -GC -MS)二次離子質(zhì)譜(SIMS)基質(zhì)輔助激光解吸電離飛行時間質(zhì)譜儀(MALDI-TOF)裂解氣質(zhì)聯(lián)用儀(PY-GC-MS)氣質(zhì)聯(lián)用儀(GC-MS)同位素質(zhì)譜儀液質(zhì)聯(lián)用儀(LC-MS)質(zhì)譜測試差示掃描量熱儀(DSC)熱重分析儀(TGA)熱分析聯(lián)用儀(DSC-TGA)靜態(tài)/動態(tài)熱機械分析儀(TMA/DMA)熱重紅外聯(lián)用儀(TG-IR)熱重紅外質(zhì)譜聯(lián)用儀(TG-IR-MS)熱重紅外氣相質(zhì)譜聯(lián)用(TG-IR-GC-MS)紅外熱成像儀激光導(dǎo)熱儀錐形量熱儀(CONE)熱譜測試電子順磁共振波譜儀(EPR、ESR)固體核磁共振儀(NMR)液體核磁共振儀(NMR)微波網(wǎng)絡(luò)矢量分析儀/矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀核磁順磁波譜測試比表面及孔徑分析儀(BET)表面張力儀(界面張力儀)高壓吸附儀化學吸附儀(TPD TPR)接觸角測量儀納米壓痕儀壓汞儀(MIP)表界面物性測試氣相色譜儀(GC)高效液相色譜儀(HPLC)離子色譜儀(IC)凝膠色譜儀(GPC)液相色譜(LC)色譜測試電導(dǎo)率儀電化學工作站腐蝕測試儀介電常數(shù)測定儀卡爾費休水分測定儀自動電位滴定儀電化學儀器測試Zeta電位儀工業(yè)分析激光粒度儀流變儀密度測定儀納米粒度儀邵氏 維氏 洛氏硬度計有機鹵素分析儀(F,Cl,Br,I,At,Ts)有機元素分析儀(EA)粘度計振動樣品磁強計(VSM)土壤分析測試植物分析測試其他測試同步輻射GIWAXS GISAXS同步輻射XRD,PDF,SAXS同步輻射吸收譜-高能機時同步輻射吸收譜之軟X射線同步輻射吸收譜之硬X射線同步輻射聚焦離子束掃描電鏡(FIB-SEM)礦物定量分析系統(tǒng)MLA球差校正透射電子顯微鏡高端電鏡類原位XPS測試原位EBSD(in situ -EBSD)原位紅外原位掃描電子顯微鏡(in-situ-SEM)原位透射電子顯微鏡高端原位測試飛行時間二次離子質(zhì)譜儀(TOF-SIMS)輝光放電光譜(GD-OES MS)三維原子探針(APT)高端質(zhì)譜類Micro/Nano /工業(yè)CT飛秒瞬態(tài)吸收光譜儀(fs-TAS)掃描隧道顯微鏡深能級瞬態(tài)譜儀正電子湮滅壽命譜儀其他XPS數(shù)據(jù)分析XRD全巖黏土分析表面成分分析技術(shù)-XPS測試分析常規(guī)XRD數(shù)據(jù)分析成分指紋分析技術(shù)-紅外測試分析二維紅外光譜技術(shù)紅外(IR)數(shù)據(jù)分析拉曼數(shù)據(jù)分析三維熒光數(shù)據(jù)分析圓二色譜(CD)數(shù)據(jù)分析成分含量分析EPR/ESR數(shù)據(jù)分析VSM數(shù)據(jù)分析電化學數(shù)據(jù)分析矢量網(wǎng)絡(luò)數(shù)據(jù)分析電磁分析CT數(shù)據(jù)分析X射線吸收精細結(jié)構(gòu)普(XAFS)數(shù)據(jù)分析穆斯堡爾譜數(shù)據(jù)分析小角散射(SAXS/WAXS)數(shù)據(jù)分析高端測試分析固體核磁數(shù)據(jù)分析液體核磁(NMR)測試+分析一體化液體核磁(NMR)數(shù)據(jù)分析化學結(jié)構(gòu)分析EBSD數(shù)據(jù)分析TEM數(shù)據(jù)分析單晶XRD數(shù)據(jù)分析晶體結(jié)構(gòu)確證技術(shù)-XRD精修XRD定性定量分析晶體結(jié)構(gòu)分析BET數(shù)據(jù)分析其它數(shù)據(jù)分析需求熱分析數(shù)據(jù)處理數(shù)據(jù)分析作圖其他數(shù)據(jù)分析半導(dǎo)體激光器模擬發(fā)光二極管仿真光電探測器仿真太陽能電池仿真半導(dǎo)體器件仿真表面能差分密度磁矩單原子催化電荷密度電解水制氫反應(yīng)(HER)費米面(fermi surface)電子局域化函數(shù)(electron localization function)第一性原理分子模擬量子化學相分析有限元模擬常規(guī)理化-水樣常規(guī)理化-土樣/沉積物常規(guī)理化-氣體常規(guī)理化-植物/蔬果/農(nóng)作物常規(guī)理化-食品常規(guī)理化-肥料/飼料常規(guī)理化-巖礦常規(guī)理化-垃圾常規(guī)理化-職業(yè)衛(wèi)生常規(guī)理化-其它常規(guī)理化項目纖維素、半纖維素、木質(zhì)素含量bcr形態(tài)順序提取/tessier五步提取法土壤水體抗生素微塑料微生物磷脂脂肪酸(PLFA)非標理化-其它非標理化項目穩(wěn)定同位素放射性同位素同位素-其它金屬同位素同位素多糖的單糖組成測定可溶性寡糖定量土壤氨基糖多糖全套分析多糖甲基化植物糖化學-常規(guī)指標糖化學液質(zhì)聯(lián)用LCMS高效液相色譜HPLC氣相色譜GC氣質(zhì)聯(lián)用GCMS全二維氣質(zhì)GC×GC-MS氣相色譜-離子遷移譜聯(lián)用儀(GC-IMS)液相色譜-原子熒光聯(lián)用(LC-AFS)制備型HPLC色譜質(zhì)譜數(shù)據(jù)分析液相色譜-電感耦合等離子體質(zhì)譜(LC-ICPMS)色譜質(zhì)譜DOM(FT- ICR- MS)水質(zhì)NOM(LC-OCD-OND)DOM(FT-ICR-MS)數(shù)據(jù)分析環(huán)境高端電池產(chǎn)品整體解決方案正極顆粒表面微觀形貌正極顆粒物截面形貌與元素三元正極顆粒循環(huán)前后晶界裂紋正極顆粒摻雜元素分布正極顆粒截面元素分布和晶格表征正極極片原位晶相分析正極極片截面元素分布和晶格表征正極表面CEI膜測試方法XPS正極極片截面微觀形貌觀察和元素分布正極極片CEI膜成分分析與厚度測定正極極片介電常數(shù)正極極片浸潤性正極極片包覆層觀察正極極片雜質(zhì)含量測定正極極片氧空位測定負極顆粒表面微觀形貌觀察和元素分布負極顆粒截面微觀形貌觀察和元素分布石墨類型判定負極顆粒粒徑分析負極極片孔洞分析負極顆粒包覆層觀察負極顆粒羥基含量測定負極極片包覆層觀察負極表面SEI膜分析XPS法負極極片SEI膜成分分析與厚度測定負極極片截面微觀形貌觀察和元素分布負極極片石墨碳和無定型碳比例隔膜表面微觀形貌觀察隔膜循環(huán)前后孔徑變化質(zhì)子交換膜形貌(厚度)觀察 CP+SEM質(zhì)子交換膜雜質(zhì)元素電池循環(huán)后鼓包氣電池循環(huán)后爆炸氣鋰電池極片和集流體間的粘結(jié)強度三元正極材料NCM比例燃料電池-整體解決方案電池產(chǎn)品-隔膜電池產(chǎn)品-優(yōu)勢項目正極材料-PH值正極材料-比表面積正極材料-磁性異物正極材料-化學成分正極材料-晶體結(jié)構(gòu)正極材料-粒徑分布正極材料-首次放電比容量及首次庫倫效率正極材料-水分含量正極材料-松裝密度正極材料-未知物分析正極材料-形貌,厚度與結(jié)構(gòu)正極材料-壓實密度正極材料-振實密度電池產(chǎn)品-正極材料負極材料-PH值負極材料-比表面積負極材料-層間距 石墨化度負極材料成分分析負極材料-磁性異物負極材料-粉末壓實密度負極材料-固定碳含量負極材料-化學成分負極材料-粒徑分布負極材料-石墨鑒定負極材料-水分負極材料-限用物質(zhì)含量負極材料-形貌與結(jié)構(gòu)負極材料-陰離子的測定負極材料-有機物含量負極材料-真密度負極材料-振實密度負極顆粒-石墨取向性(OI值)首次放電比容量及首次庫倫效率電池產(chǎn)品-負極材料電解液-電導(dǎo)率電解液-化學元素含量電解液-密度電解液-水分含量電解液-未知物分析電解液-游離酸(HF含量)電池產(chǎn)品-電解液電池產(chǎn)品-隔膜電池產(chǎn)品-隔膜
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預(yù)約詳情

固體核磁共振儀(NMR測試)

 
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預(yù)約詳情

PS:送樣請附帶“委托測試單”。

固體核磁共振儀(NMR)


?設(shè)備型號



Bruker NEO 400M



?樣品準備須知?。?!



1. 樣品量要求:一般不少于 0.3g 樣品,具體與樣品的密度和狀態(tài)也有關(guān)系,從體積上判斷:所需樣品量(壓實后的體積)應(yīng)該多于0.5 cm3,即:2厘米長的火柴桿的圓柱體體積,300mg左右。如樣品量極少,寄樣前務(wù)必跟工程師溝通;

2. 樣品狀態(tài)要求:干燥固體粉末為最佳,片狀、顆粒狀或能夠研磨剪碎成細小顆粒的也可以測試,樣品顆粒越小,測試效果越好;

凝膠及其它粘稠狀樣品不能進行固體核磁測試;

3. H譜一定要干燥好,密封寄送,最好是真空保存;Si譜測試硅含量大于20%時,在測試時間內(nèi)才可能有比較好的信噪比,如果含量太低,信噪比比較差,建議提前說明。

4. 磁性和導(dǎo)電性要求:有磁性或?qū)щ娦砸约案g性的樣品不能進行固體核磁測試,請務(wù)必備注樣品是否有上述特性;

5.H譜一般掃描次數(shù)小于16次,其他譜圖默認測試時間1小時以內(nèi),超出費用根據(jù)實際所需時間調(diào)整;

6. 有特殊情況請聯(lián)系工程師。


?樣品測試填寫要求注意事項


1.樣品數(shù)量填寫需要測試樣品的數(shù)量

2.樣品編號(名稱)請輸入該組樣品編號,以逗號分隔,例如1,2,3

3. 樣品名稱及主要成分

請寫清楚樣品成分,例如:二氧化硅,請勿只填寫Si O??!核磁C譜有一些樣品沒有辦法用改變轉(zhuǎn)速的方法把旋轉(zhuǎn)邊帶和樣品本身的峰區(qū)別開,所以要用CPTOSS來做。目前需要用toss來測的有煤樣,cof材料等,所以請一定要注明是什么材料,如果只寫C,H,O等沒辦法判斷,特別是這兩種樣品一定要注明!如果有指定的脈沖序列,請在具體測試條件中說明。

4.樣品形態(tài):粉末/薄膜/塊體

固體核磁一般測試粉末樣品

5.樣品是否有磁性(含有鐵鈷鎳錳元素):否/是

含有鐵鈷鎳錳等磁性元素的樣品無法測試!若隱藏樣品信息造成設(shè)備損壞,維修費用須由您全部承擔!

6.樣品是否有導(dǎo)電性:否/是

含有導(dǎo)電性的樣品無法測試!

7.樣品是否有腐蝕性/毒性:否/是

8. 樣品化學性質(zhì)是否穩(wěn)定?穩(wěn)定/不穩(wěn)定

若為易燃易爆樣品,請務(wù)必提前和我們聯(lián)系!

9.要測什么譜【可多選】:1H譜/13C譜/31P譜/19F譜

                         27Al譜/29Si譜/23Na譜/11B

                         7Li譜/其他

H譜一般掃描次數(shù)小于16次,其他譜圖默認測試時間1小時以內(nèi)

10.參考測試條件和結(jié)構(gòu)式

樣品的結(jié)構(gòu)信息(結(jié)構(gòu)式可以畫出來上傳照片)可以作為選擇測試方法的依據(jù)。



?測試提示:



1.可開正規(guī)測試發(fā)票,附帶測試清單。

2.有腐蝕性,毒性,或其他有危害性等特殊樣品要事先告知測試人員,測試人員也要告知樣品方哪些樣品不能測或會對儀器產(chǎn)生損傷,測試后會對樣品產(chǎn)生哪些變化;

3.客戶需提供詳細的樣品資料,包括元素,主要成分和詳細測試參數(shù)及條件。和測試人員充分討論,商定最終測試條件;

4.測試人員與顧客通過QQ或郵件溝通,出現(xiàn)測試糾紛,郵件或聊天記錄將作為重要的仲裁依據(jù);請加QQ技術(shù)人員交流:82187958。微信:15071040697

5.杜絕測試、解析和合成違反國家相關(guān)法律法規(guī)的樣品,一經(jīng)發(fā)現(xiàn)將追究其法律責任。

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