鑠思百檢測(cè)

DETECTION OF TECHNICAL SOUSEPAD

透射電子顯微鏡(TEM-EDS)掃描電子顯微鏡(FESEM-EDS)球差電鏡激光共聚焦顯微鏡(LSCM)原子力顯微鏡(AFM)電子探針儀(EPMA)金相顯微鏡電子背散射衍射儀(EBSD)臺(tái)階儀,膜厚儀,探針接觸式輪廓儀,3D輪廓儀工業(yè)CT白光干涉儀(非接觸式3D表面輪廓儀)電鏡測(cè)試FIB制樣離子減薄制樣冷凍超薄切片制樣樹(shù)脂包埋制樣(生物制樣)液氮脆斷制樣金網(wǎng)鉬網(wǎng)銅網(wǎng)超薄碳膜微柵制樣電鏡制樣X射線光電子能譜分析儀(XPS)紫外光電子能譜(UPS)俄歇電子能譜(AES)X射線衍射儀(XRD)X射線散射儀SAXS/WAXSX射線殘余應(yīng)力分析儀X射線熒光光譜分析儀(XRF)電感耦合等離子體光譜儀(ICP-OES)紫外可見(jiàn)反射儀(DRS)拉曼光譜(RAMAN)紫外-可見(jiàn)分光光度計(jì)(UV)圓二色譜(CD)傅里葉變換紅外光譜分析儀(FTIR)吡啶紅外(DRIFTS)單晶衍射儀穆斯堡爾光譜儀穩(wěn)態(tài)瞬態(tài)熒光光譜分析儀(PL)原子吸收分光光度計(jì)原子熒光光度計(jì)(AFS)三維熒光 /熒光分光光度計(jì)紅外熱成像儀霧度儀旋光儀橢偏儀光譜測(cè)試電感耦合等離子體質(zhì)譜儀(ICP-MS)電噴霧離子化質(zhì)譜儀(ESI-MS)頂空-固相微萃取氣質(zhì)聯(lián)用儀(HS -SPME -GC -MS)二次離子質(zhì)譜(SIMS)基質(zhì)輔助激光解吸電離飛行時(shí)間質(zhì)譜儀(MALDI-TOF)裂解氣質(zhì)聯(lián)用儀(PY-GC-MS)氣質(zhì)聯(lián)用儀(GC-MS)同位素質(zhì)譜儀液質(zhì)聯(lián)用儀(LC-MS)質(zhì)譜測(cè)試差示掃描量熱儀(DSC)熱重分析儀(TGA)熱分析聯(lián)用儀(DSC-TGA)靜態(tài)/動(dòng)態(tài)熱機(jī)械分析儀(TMA/DMA)熱重紅外聯(lián)用儀(TG-IR)熱重紅外質(zhì)譜聯(lián)用儀(TG-IR-MS)熱重紅外氣相質(zhì)譜聯(lián)用(TG-IR-GC-MS)紅外熱成像儀激光導(dǎo)熱儀錐形量熱儀(CONE)熱譜測(cè)試電子順磁共振波譜儀(EPR、ESR)固體核磁共振儀(NMR)液體核磁共振儀(NMR)微波網(wǎng)絡(luò)矢量分析儀/矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀核磁順磁波譜測(cè)試比表面及孔徑分析儀(BET)表面張力儀(界面張力儀)高壓吸附儀化學(xué)吸附儀(TPD TPR)接觸角測(cè)量?jī)x納米壓痕儀壓汞儀(MIP)表界面物性測(cè)試氣相色譜儀(GC)高效液相色譜儀(HPLC)離子色譜儀(IC)凝膠色譜儀(GPC)液相色譜(LC)色譜測(cè)試電導(dǎo)率儀電化學(xué)工作站腐蝕測(cè)試儀介電常數(shù)測(cè)定儀卡爾費(fèi)休水分測(cè)定儀自動(dòng)電位滴定儀電化學(xué)儀器測(cè)試Zeta電位儀工業(yè)分析激光粒度儀流變儀密度測(cè)定儀納米粒度儀邵氏 維氏 洛氏硬度計(jì)有機(jī)鹵素分析儀(F,Cl,Br,I,At,Ts)有機(jī)元素分析儀(EA)粘度計(jì)振動(dòng)樣品磁強(qiáng)計(jì)(VSM)土壤分析測(cè)試植物分析測(cè)試其他測(cè)試同步輻射GIWAXS GISAXS同步輻射XRD,PDF,SAXS同步輻射吸收譜-高能機(jī)時(shí)同步輻射吸收譜之軟X射線同步輻射吸收譜之硬X射線同步輻射聚焦離子束掃描電鏡(FIB-SEM)礦物定量分析系統(tǒng)MLA球差校正透射電子顯微鏡高端電鏡類原位XPS測(cè)試原位EBSD(in situ -EBSD)原位紅外原位掃描電子顯微鏡(in-situ-SEM)原位透射電子顯微鏡高端原位測(cè)試飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜儀(TOF-SIMS)輝光放電光譜(GD-OES MS)三維原子探針(APT)高端質(zhì)譜類Micro/Nano /工業(yè)CT飛秒瞬態(tài)吸收光譜儀(fs-TAS)掃描隧道顯微鏡深能級(jí)瞬態(tài)譜儀正電子湮滅壽命譜儀其他XPS數(shù)據(jù)分析XRD全巖黏土分析表面成分分析技術(shù)-XPS測(cè)試分析常規(guī)XRD數(shù)據(jù)分析成分指紋分析技術(shù)-紅外測(cè)試分析二維紅外光譜技術(shù)紅外(IR)數(shù)據(jù)分析拉曼數(shù)據(jù)分析三維熒光數(shù)據(jù)分析圓二色譜(CD)數(shù)據(jù)分析成分含量分析EPR/ESR數(shù)據(jù)分析VSM數(shù)據(jù)分析電化學(xué)數(shù)據(jù)分析矢量網(wǎng)絡(luò)數(shù)據(jù)分析電磁分析CT數(shù)據(jù)分析X射線吸收精細(xì)結(jié)構(gòu)普(XAFS)數(shù)據(jù)分析穆斯堡爾譜數(shù)據(jù)分析小角散射(SAXS/WAXS)數(shù)據(jù)分析高端測(cè)試分析固體核磁數(shù)據(jù)分析液體核磁(NMR)測(cè)試+分析一體化液體核磁(NMR)數(shù)據(jù)分析化學(xué)結(jié)構(gòu)分析EBSD數(shù)據(jù)分析TEM數(shù)據(jù)分析單晶XRD數(shù)據(jù)分析晶體結(jié)構(gòu)確證技術(shù)-XRD精修XRD定性定量分析晶體結(jié)構(gòu)分析BET數(shù)據(jù)分析其它數(shù)據(jù)分析需求熱分析數(shù)據(jù)處理數(shù)據(jù)分析作圖其他數(shù)據(jù)分析半導(dǎo)體激光器模擬發(fā)光二極管仿真光電探測(cè)器仿真太陽(yáng)能電池仿真半導(dǎo)體器件仿真表面能差分密度磁矩單原子催化電荷密度電解水制氫反應(yīng)(HER)費(fèi)米面(fermi surface)電子局域化函數(shù)(electron localization function)第一性原理分子模擬量子化學(xué)相分析有限元模擬常規(guī)理化-水樣常規(guī)理化-土樣/沉積物常規(guī)理化-氣體常規(guī)理化-植物/蔬果/農(nóng)作物常規(guī)理化-食品常規(guī)理化-肥料/飼料常規(guī)理化-巖礦常規(guī)理化-垃圾常規(guī)理化-職業(yè)衛(wèi)生常規(guī)理化-其它常規(guī)理化項(xiàng)目纖維素、半纖維素、木質(zhì)素含量bcr形態(tài)順序提取/tessier五步提取法土壤水體抗生素微塑料微生物磷脂脂肪酸(PLFA)非標(biāo)理化-其它非標(biāo)理化項(xiàng)目穩(wěn)定同位素放射性同位素同位素-其它金屬同位素同位素多糖的單糖組成測(cè)定可溶性寡糖定量土壤氨基糖多糖全套分析多糖甲基化植物糖化學(xué)-常規(guī)指標(biāo)糖化學(xué)液質(zhì)聯(lián)用LCMS高效液相色譜HPLC氣相色譜GC氣質(zhì)聯(lián)用GCMS全二維氣質(zhì)GC×GC-MS氣相色譜-離子遷移譜聯(lián)用儀(GC-IMS)液相色譜-原子熒光聯(lián)用(LC-AFS)制備型HPLC色譜質(zhì)譜數(shù)據(jù)分析液相色譜-電感耦合等離子體質(zhì)譜(LC-ICPMS)色譜質(zhì)譜DOM(FT- ICR- MS)水質(zhì)NOM(LC-OCD-OND)DOM(FT-ICR-MS)數(shù)據(jù)分析環(huán)境高端電池產(chǎn)品整體解決方案正極顆粒表面微觀形貌正極顆粒物截面形貌與元素三元正極顆粒循環(huán)前后晶界裂紋正極顆粒摻雜元素分布正極顆粒截面元素分布和晶格表征正極極片原位晶相分析正極極片截面元素分布和晶格表征正極表面CEI膜測(cè)試方法XPS正極極片截面微觀形貌觀察和元素分布正極極片CEI膜成分分析與厚度測(cè)定正極極片介電常數(shù)正極極片浸潤(rùn)性正極極片包覆層觀察正極極片雜質(zhì)含量測(cè)定正極極片氧空位測(cè)定負(fù)極顆粒表面微觀形貌觀察和元素分布負(fù)極顆粒截面微觀形貌觀察和元素分布石墨類型判定負(fù)極顆粒粒徑分析負(fù)極極片孔洞分析負(fù)極顆粒包覆層觀察負(fù)極顆粒羥基含量測(cè)定負(fù)極極片包覆層觀察負(fù)極表面SEI膜分析XPS法負(fù)極極片SEI膜成分分析與厚度測(cè)定負(fù)極極片截面微觀形貌觀察和元素分布負(fù)極極片石墨碳和無(wú)定型碳比例隔膜表面微觀形貌觀察隔膜循環(huán)前后孔徑變化質(zhì)子交換膜形貌(厚度)觀察 CP+SEM質(zhì)子交換膜雜質(zhì)元素電池循環(huán)后鼓包氣電池循環(huán)后爆炸氣鋰電池極片和集流體間的粘結(jié)強(qiáng)度三元正極材料NCM比例燃料電池-整體解決方案電池產(chǎn)品-隔膜電池產(chǎn)品-優(yōu)勢(shì)項(xiàng)目正極材料-PH值正極材料-比表面積正極材料-磁性異物正極材料-化學(xué)成分正極材料-晶體結(jié)構(gòu)正極材料-粒徑分布正極材料-首次放電比容量及首次庫(kù)倫效率正極材料-水分含量正極材料-松裝密度正極材料-未知物分析正極材料-形貌,厚度與結(jié)構(gòu)正極材料-壓實(shí)密度正極材料-振實(shí)密度電池產(chǎn)品-正極材料負(fù)極材料-PH值負(fù)極材料-比表面積負(fù)極材料-層間距 石墨化度負(fù)極材料成分分析負(fù)極材料-磁性異物負(fù)極材料-粉末壓實(shí)密度負(fù)極材料-固定碳含量負(fù)極材料-化學(xué)成分負(fù)極材料-粒徑分布負(fù)極材料-石墨鑒定負(fù)極材料-水分負(fù)極材料-限用物質(zhì)含量負(fù)極材料-形貌與結(jié)構(gòu)負(fù)極材料-陰離子的測(cè)定負(fù)極材料-有機(jī)物含量負(fù)極材料-真密度負(fù)極材料-振實(shí)密度負(fù)極顆粒-石墨取向性(OI值)首次放電比容量及首次庫(kù)倫效率電池產(chǎn)品-負(fù)極材料電解液-電導(dǎo)率電解液-化學(xué)元素含量電解液-密度電解液-水分含量電解液-未知物分析電解液-游離酸(HF含量)電池產(chǎn)品-電解液電池產(chǎn)品-隔膜電池產(chǎn)品-隔膜
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掃描電子顯微鏡SEM

 
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掃描電子顯微鏡SEM

u設(shè)備型號(hào)

熱場(chǎng):SEM(蔡司Zeiss sigma300Zeiss Geminisem 300

EDS(牛津 OxfordX-MAX

冷場(chǎng):日立SU8230


u樣品準(zhǔn)備須知?。?!

1、此鏈接預(yù)約下單拍攝不開(kāi)視頻,若需要安排SEM現(xiàn)場(chǎng)/云現(xiàn)場(chǎng),請(qǐng)下單SEM現(xiàn)場(chǎng)/云現(xiàn)場(chǎng)

2、粉末、液體、薄膜、塊體均可。粉末10mg,塊體樣品直徑≤1cm,厚度<1cm,樣品質(zhì)量不超過(guò)200g,味道很大,易揮發(fā)的樣品需提前跟工程師聯(lián)系確定是否能做,測(cè)試過(guò)程中會(huì)升華堵住光瀾,損壞儀器;

3、 混凝土,珊瑚沙,氣凝膠,水凝膠,木材等需要抽真空時(shí)間非常長(zhǎng)的樣品尺寸請(qǐng)盡可能直徑≤5mm,厚度≤5mm,送樣前請(qǐng)一定跟工程師確認(rèn)后再下單;

4、 需要脆斷的樣品,尺寸需要≥2*2cm,厚度<0.5cm,較厚的樣品建議尺寸準(zhǔn)備大些;如果需要特殊制樣的樣品,比如打磨、腐蝕,下單前務(wù)必與工程師溝通確認(rèn)。

5、礦物,樹(shù)脂鑲嵌類樣品等需看不同相分布用背散射模式拍攝請(qǐng)?zhí)崆?/span>工程師說(shuō)明,,須注意背散分辨率沒(méi)有常規(guī)二次電子探頭高;

6、導(dǎo)電性不好或強(qiáng)磁樣品建議選擇噴金,如果樣品由于您要求不噴金而導(dǎo)致效果不好,測(cè)試?yán)蠋熆赡懿缓冒才艔?fù)測(cè);實(shí)驗(yàn)室常用靶材是純金(Au)、純鉑(Pt)、金鈀合金(Au/Pd),需要能譜時(shí)待測(cè)元素不能與靶材重合,對(duì)靶材有特殊需求請(qǐng)聯(lián)系工程師。

7 請(qǐng)務(wù)必仔細(xì)檢查您的樣品,若發(fā)現(xiàn)以弱磁強(qiáng)磁充當(dāng)非磁 或者 以強(qiáng)磁充當(dāng)弱磁非磁,我們將可能無(wú)法安排您的實(shí)驗(yàn),不承擔(dān)以此造成的時(shí)間和樣品損失;而且因隱瞞樣品信息導(dǎo)致儀器損壞,可能需要您承擔(dān)全部賠償責(zé)任!

8.塊體測(cè)試如需同時(shí)拍攝表面和截面,需要分組預(yù)約,按兩個(gè)樣品收費(fèi),請(qǐng)務(wù)必標(biāo)記清楚測(cè)試面。

9.一般測(cè)試時(shí)會(huì)盡量選擇低電壓進(jìn)行拍攝,若對(duì)工作電壓有特殊要求,請(qǐng)?zhí)崆皞渥ⅰ?/span>

10. 默認(rèn)圖片分辨率為1024*768,分辨率影響掃描所用時(shí)間,若有其他分辨率要求,請(qǐng)具體說(shuō)明,實(shí)驗(yàn)室根據(jù)具體要求調(diào)整收費(fèi)。

11.不接受客戶自己制好的樣品,(比如銅網(wǎng)、硅片,玻璃,薄膜,或掉渣樣,熔點(diǎn)低于100度的樣品),一定是不能進(jìn)行拍攝,需要客戶提供樣品成分,證明樣品沒(méi)有磁性,樣品我們處理粘牢,熔點(diǎn)過(guò)低的樣品不能測(cè)。(含有易揮發(fā)的元素如鹵素,P,S,有機(jī)物等易揮發(fā)和熔點(diǎn)低的樣品,要判斷后再安排測(cè)試)


u樣品測(cè)試填寫要求注意事項(xiàng)

1.樣品數(shù)量填寫需要測(cè)試樣品的數(shù)量

2.樣品編號(hào)(名稱)請(qǐng)輸入該組樣品編號(hào),以逗號(hào)分隔,例如1,2,3

3.樣品穩(wěn)定性樣品如果不穩(wěn)定如:易掉、易分解、易氧化、易吸潮、易融化,或者其他情況,請(qǐng)?jiān)诖藗渥⒄f(shuō)明。不穩(wěn)定樣品請(qǐng)注意密封,并提前與工程師溝通!

4.樣品成分請(qǐng)務(wù)必寫清楚樣品成分,對(duì)于液體樣品,注明溶劑,尤其是有毒、有害、有腐蝕性的溶劑

5.樣品形態(tài)樣品的不同形態(tài)也需在此說(shuō)明,液體備注溶劑成分和濃度,塊體請(qǐng)備注測(cè)試面,測(cè)試面的反面請(qǐng)問(wèn)標(biāo)簽紙畫X并同時(shí)注意樣品的尺寸及厚度,薄膜注意標(biāo)記測(cè)試面,如果厚度和尺寸超過(guò)規(guī)定大小,請(qǐng)與工程師聯(lián)系。粉末樣品需要保持干燥,生物樣品需要提前處理。

6.樣品是否具有放射性如果樣品有放射性元素請(qǐng)?jiān)诖藗渥ⅰ?/span>

7.是否含有S、F、Cl、I、Br、Hg、P等元素 如果含有這些元素請(qǐng)?jiān)诖藗渥?/span>,并注明含量。

8.樣品是否有磁性如果吸鐵石吸起來(lái),且不含磁性元素鐵鈷鎳,則為非磁樣品。如果吸鐵石吸起來(lái),含有磁性元素鐵鈷鎳,則為弱磁樣品。如果吸鐵石吸得起來(lái),無(wú)論是否含有磁性元素,均為強(qiáng)磁樣品。

9.是否需要噴金導(dǎo)電性不好或強(qiáng)磁樣品必須噴金,否則無(wú)法拍攝。

實(shí)驗(yàn)室常用靶材是純金(Au)、純鉑(Pt)、金鈀合金(Au/Pd),需要能譜時(shí)待測(cè)元素不能與靶材重合,對(duì)靶材有特殊需求請(qǐng)聯(lián)系工程師

10.測(cè)試模式有兩種:二次電子、背散射(BSE)。背散射模式和二次電子模式為二選一模式測(cè)試,只提供一種測(cè)試模式下的測(cè)試結(jié)果!常規(guī)看樣品形貌選二次電子,表面光滑的礦物、樹(shù)脂鑲嵌類塊體樣品需看不同相分布的可以選背散,其產(chǎn)額與樣品原子序數(shù)呈遞增關(guān)系,原子序數(shù)越大背散射電子越多,探頭接收到的信號(hào)越強(qiáng),反映在圖像上就越亮,須注意分辨率沒(méi)有常規(guī)二次電子探測(cè)器高。

11.測(cè)試內(nèi)容(可多選):形貌、能譜點(diǎn)掃、能譜線掃、Mapping

形貌必選(每樣提供8-10張圖片左右)!能譜點(diǎn)掃能得到元素半定量數(shù)據(jù)(一個(gè)樣正常打1個(gè)點(diǎn),最多打2個(gè)點(diǎn),超出需額外收費(fèi)),線掃和mapping如需元素半定量數(shù)據(jù)請(qǐng)備注清楚(默認(rèn)只測(cè)1個(gè)區(qū)域,超出需要額外收費(fèi))。正常能譜只能分析C及后面的元素!

12. 形貌拍攝目的/重點(diǎn): 請(qǐng)說(shuō)明形貌拍攝的具體要求(例如:主要關(guān)注多孔結(jié)構(gòu)或?qū)訝罱Y(jié)構(gòu))。

13. 形貌具體拍攝放大倍數(shù)/標(biāo)尺要求: 放大倍數(shù)理論可選范圍為150倍-10W倍,高倍下拍攝可能不清晰,具體效果和樣品實(shí)際情況相關(guān)。

如果需要與之前的訂單或樣品進(jìn)行對(duì)比,建議保持標(biāo)尺一致,具體可咨詢負(fù)責(zé)工程師。

14. 請(qǐng)描述打點(diǎn)能譜的位置、檢測(cè)元素及具體要求說(shuō)明打點(diǎn)能譜的位置要求,放大倍數(shù)。下單前請(qǐng)務(wù)必確定樣品元素信息,非磁樣品默認(rèn)不含有磁性元素,即能譜不測(cè)鐵,鈷,鎳,錳等磁性元素

15. 請(qǐng)描述打線能譜的位置、檢測(cè)元素及具體要求說(shuō)明打線能譜的位置要求,放大倍數(shù)

下單前請(qǐng)務(wù)必確定樣品元素信息,非磁樣品默認(rèn)不含有磁性元素,即能譜不測(cè)鐵,鈷,鎳,錳等磁性元素

16. 請(qǐng)描述mapping的位置、檢測(cè)元素及具體要求:下單前請(qǐng)務(wù)必確定樣品元素信息,非磁樣品默認(rèn)不含有磁性元素,即能譜不測(cè)鐵,鈷,鎳,錳等磁性元素請(qǐng)描述mapping需要測(cè)試的位置及具體要求
。說(shuō)明打mapping的位置要求,放大倍數(shù),以及需要測(cè)定的元素,如果對(duì)元素顏色有指定請(qǐng)備注清楚。

17.mapping是否需要元素半定量結(jié)果:需要請(qǐng)備注,未備注默認(rèn)不提供。

18.請(qǐng)務(wù)必根據(jù)測(cè)試要求給出相應(yīng)的參考圖參考圖的參數(shù)盡量展示出來(lái),如:電壓,標(biāo)尺,放大倍數(shù),模式等。請(qǐng)盡可能提供參考圖(SEM形貌參考圖、能譜點(diǎn)掃/線掃參考圖、
mapping參考圖
),類似材料文獻(xiàn)上的圖也行,工程師會(huì)盡量找尋所相似位置進(jìn)行拍攝,如果不提供,工程師只能根據(jù)經(jīng)驗(yàn)和實(shí)際情況來(lái)拍攝,后續(xù)可能不太好安排復(fù)測(cè)。




uSEM樣品制樣圖示




掃描電鏡制樣-改.jpg拋光鑲嵌-改.jpg


u測(cè)試提示:

1.可開(kāi)正規(guī)測(cè)試發(fā)票,附帶測(cè)試清單。

2.有腐蝕性,毒性,或其他有危害性等特殊樣品要事先告知測(cè)試人員,測(cè)試人員也要告知樣品方哪些樣品不能測(cè)或會(huì)對(duì)儀器產(chǎn)生損傷,測(cè)試后會(huì)對(duì)樣品產(chǎn)生哪些變化;

3.客戶需提供詳細(xì)的樣品資料,包括元素,主要成分和詳細(xì)測(cè)試參數(shù)及條件。和測(cè)試人員充分討論,商定最終測(cè)試條件;

4.測(cè)試人員與顧客通過(guò)QQ,微信或郵件溝通,出現(xiàn)測(cè)試糾紛,郵件或聊天記錄將作為重要的仲裁依據(jù);請(qǐng)加QQ和技術(shù)人員交流。QQ:82187958。微信:15071040697

5.杜絕測(cè)試、解析和合成違反國(guó)家相關(guān)法律法規(guī)的樣品,一經(jīng)發(fā)現(xiàn)將追究其法律責(zé)任。



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