鑠思百檢測

DETECTION OF TECHNICAL SOUSEPAD

透射電子顯微鏡(TEM-EDS)掃描電子顯微鏡(FESEM-EDS)球差電鏡激光共聚焦顯微鏡(LSCM)原子力顯微鏡(AFM)電子探針儀(EPMA)金相顯微鏡電子背散射衍射儀(EBSD)臺階儀,膜厚儀,探針接觸式輪廓儀,3D輪廓儀工業(yè)CT白光干涉儀(非接觸式3D表面輪廓儀)電鏡測試FIB制樣離子減薄制樣冷凍超薄切片制樣樹脂包埋制樣(生物制樣)液氮脆斷制樣金網(wǎng)鉬網(wǎng)銅網(wǎng)超薄碳膜微柵制樣電鏡制樣X射線光電子能譜分析儀(XPS)紫外光電子能譜(UPS)俄歇電子能譜(AES)X射線衍射儀(XRD)X射線散射儀SAXS/WAXSX射線殘余應(yīng)力分析儀X射線熒光光譜分析儀(XRF)電感耦合等離子體光譜儀(ICP-OES)紫外可見反射儀(DRS)拉曼光譜(RAMAN)紫外-可見分光光度計(UV)圓二色譜(CD)傅里葉變換紅外光譜分析儀(FTIR)吡啶紅外(DRIFTS)單晶衍射儀穆斯堡爾光譜儀穩(wěn)態(tài)瞬態(tài)熒光光譜分析儀(PL)原子吸收分光光度計原子熒光光度計(AFS)三維熒光 /熒光分光光度計紅外熱成像儀霧度儀旋光儀橢偏儀光譜測試電感耦合等離子體質(zhì)譜儀(ICP-MS)電噴霧離子化質(zhì)譜儀(ESI-MS)頂空-固相微萃取氣質(zhì)聯(lián)用儀(HS -SPME -GC -MS)二次離子質(zhì)譜(SIMS)基質(zhì)輔助激光解吸電離飛行時間質(zhì)譜儀(MALDI-TOF)裂解氣質(zhì)聯(lián)用儀(PY-GC-MS)氣質(zhì)聯(lián)用儀(GC-MS)同位素質(zhì)譜儀液質(zhì)聯(lián)用儀(LC-MS)質(zhì)譜測試差示掃描量熱儀(DSC)熱重分析儀(TGA)熱分析聯(lián)用儀(DSC-TGA)靜態(tài)/動態(tài)熱機械分析儀(TMA/DMA)熱重紅外聯(lián)用儀(TG-IR)熱重紅外質(zhì)譜聯(lián)用儀(TG-IR-MS)熱重紅外氣相質(zhì)譜聯(lián)用(TG-IR-GC-MS)紅外熱成像儀激光導(dǎo)熱儀錐形量熱儀(CONE)熱譜測試電子順磁共振波譜儀(EPR、ESR)固體核磁共振儀(NMR)液體核磁共振儀(NMR)微波網(wǎng)絡(luò)矢量分析儀/矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀核磁順磁波譜測試比表面及孔徑分析儀(BET)表面張力儀(界面張力儀)高壓吸附儀化學(xué)吸附儀(TPD TPR)接觸角測量儀納米壓痕儀壓汞儀(MIP)表界面物性測試氣相色譜儀(GC)高效液相色譜儀(HPLC)離子色譜儀(IC)凝膠色譜儀(GPC)液相色譜(LC)色譜測試電導(dǎo)率儀電化學(xué)工作站腐蝕測試儀介電常數(shù)測定儀卡爾費休水分測定儀自動電位滴定儀電化學(xué)儀器測試Zeta電位儀工業(yè)分析激光粒度儀流變儀密度測定儀納米粒度儀邵氏 維氏 洛氏硬度計有機鹵素分析儀(F,Cl,Br,I,At,Ts)有機元素分析儀(EA)粘度計振動樣品磁強計(VSM)土壤分析測試植物分析測試其他測試同步輻射GIWAXS GISAXS同步輻射XRD,PDF,SAXS同步輻射吸收譜-高能機時同步輻射吸收譜之軟X射線同步輻射吸收譜之硬X射線同步輻射聚焦離子束掃描電鏡(FIB-SEM)礦物定量分析系統(tǒng)MLA球差校正透射電子顯微鏡高端電鏡類原位XPS測試原位EBSD(in situ -EBSD)原位紅外原位掃描電子顯微鏡(in-situ-SEM)原位透射電子顯微鏡高端原位測試飛行時間二次離子質(zhì)譜儀(TOF-SIMS)輝光放電光譜(GD-OES MS)三維原子探針(APT)高端質(zhì)譜類Micro/Nano /工業(yè)CT飛秒瞬態(tài)吸收光譜儀(fs-TAS)掃描隧道顯微鏡深能級瞬態(tài)譜儀正電子湮滅壽命譜儀其他XPS數(shù)據(jù)分析XRD全巖黏土分析表面成分分析技術(shù)-XPS測試分析常規(guī)XRD數(shù)據(jù)分析成分指紋分析技術(shù)-紅外測試分析二維紅外光譜技術(shù)紅外(IR)數(shù)據(jù)分析拉曼數(shù)據(jù)分析三維熒光數(shù)據(jù)分析圓二色譜(CD)數(shù)據(jù)分析成分含量分析EPR/ESR數(shù)據(jù)分析VSM數(shù)據(jù)分析電化學(xué)數(shù)據(jù)分析矢量網(wǎng)絡(luò)數(shù)據(jù)分析電磁分析CT數(shù)據(jù)分析X射線吸收精細結(jié)構(gòu)普(XAFS)數(shù)據(jù)分析穆斯堡爾譜數(shù)據(jù)分析小角散射(SAXS/WAXS)數(shù)據(jù)分析高端測試分析固體核磁數(shù)據(jù)分析液體核磁(NMR)測試+分析一體化液體核磁(NMR)數(shù)據(jù)分析化學(xué)結(jié)構(gòu)分析EBSD數(shù)據(jù)分析TEM數(shù)據(jù)分析單晶XRD數(shù)據(jù)分析晶體結(jié)構(gòu)確證技術(shù)-XRD精修XRD定性定量分析晶體結(jié)構(gòu)分析BET數(shù)據(jù)分析其它數(shù)據(jù)分析需求熱分析數(shù)據(jù)處理數(shù)據(jù)分析作圖其他數(shù)據(jù)分析半導(dǎo)體激光器模擬發(fā)光二極管仿真光電探測器仿真太陽能電池仿真半導(dǎo)體器件仿真表面能差分密度磁矩單原子催化電荷密度電解水制氫反應(yīng)(HER)費米面(fermi surface)電子局域化函數(shù)(electron localization function)第一性原理分子模擬量子化學(xué)相分析有限元模擬常規(guī)理化-水樣常規(guī)理化-土樣/沉積物常規(guī)理化-氣體常規(guī)理化-植物/蔬果/農(nóng)作物常規(guī)理化-食品常規(guī)理化-肥料/飼料常規(guī)理化-巖礦常規(guī)理化-垃圾常規(guī)理化-職業(yè)衛(wèi)生常規(guī)理化-其它常規(guī)理化項目纖維素、半纖維素、木質(zhì)素含量bcr形態(tài)順序提取/tessier五步提取法土壤水體抗生素微塑料微生物磷脂脂肪酸(PLFA)非標理化-其它非標理化項目穩(wěn)定同位素放射性同位素同位素-其它金屬同位素同位素多糖的單糖組成測定可溶性寡糖定量土壤氨基糖多糖全套分析多糖甲基化植物糖化學(xué)-常規(guī)指標糖化學(xué)液質(zhì)聯(lián)用LCMS高效液相色譜HPLC氣相色譜GC氣質(zhì)聯(lián)用GCMS全二維氣質(zhì)GC×GC-MS氣相色譜-離子遷移譜聯(lián)用儀(GC-IMS)液相色譜-原子熒光聯(lián)用(LC-AFS)制備型HPLC色譜質(zhì)譜數(shù)據(jù)分析液相色譜-電感耦合等離子體質(zhì)譜(LC-ICPMS)色譜質(zhì)譜DOM(FT- ICR- MS)水質(zhì)NOM(LC-OCD-OND)DOM(FT-ICR-MS)數(shù)據(jù)分析環(huán)境高端電池產(chǎn)品整體解決方案正極顆粒表面微觀形貌正極顆粒物截面形貌與元素三元正極顆粒循環(huán)前后晶界裂紋正極顆粒摻雜元素分布正極顆粒截面元素分布和晶格表征正極極片原位晶相分析正極極片截面元素分布和晶格表征正極表面CEI膜測試方法XPS正極極片截面微觀形貌觀察和元素分布正極極片CEI膜成分分析與厚度測定正極極片介電常數(shù)正極極片浸潤性正極極片包覆層觀察正極極片雜質(zhì)含量測定正極極片氧空位測定負極顆粒表面微觀形貌觀察和元素分布負極顆粒截面微觀形貌觀察和元素分布石墨類型判定負極顆粒粒徑分析負極極片孔洞分析負極顆粒包覆層觀察負極顆粒羥基含量測定負極極片包覆層觀察負極表面SEI膜分析XPS法負極極片SEI膜成分分析與厚度測定負極極片截面微觀形貌觀察和元素分布負極極片石墨碳和無定型碳比例隔膜表面微觀形貌觀察隔膜循環(huán)前后孔徑變化質(zhì)子交換膜形貌(厚度)觀察 CP+SEM質(zhì)子交換膜雜質(zhì)元素電池循環(huán)后鼓包氣電池循環(huán)后爆炸氣鋰電池極片和集流體間的粘結(jié)強度三元正極材料NCM比例燃料電池-整體解決方案電池產(chǎn)品-隔膜電池產(chǎn)品-優(yōu)勢項目正極材料-PH值正極材料-比表面積正極材料-磁性異物正極材料-化學(xué)成分正極材料-晶體結(jié)構(gòu)正極材料-粒徑分布正極材料-首次放電比容量及首次庫倫效率正極材料-水分含量正極材料-松裝密度正極材料-未知物分析正極材料-形貌,厚度與結(jié)構(gòu)正極材料-壓實密度正極材料-振實密度電池產(chǎn)品-正極材料負極材料-PH值負極材料-比表面積負極材料-層間距 石墨化度負極材料成分分析負極材料-磁性異物負極材料-粉末壓實密度負極材料-固定碳含量負極材料-化學(xué)成分負極材料-粒徑分布負極材料-石墨鑒定負極材料-水分負極材料-限用物質(zhì)含量負極材料-形貌與結(jié)構(gòu)負極材料-陰離子的測定負極材料-有機物含量負極材料-真密度負極材料-振實密度負極顆粒-石墨取向性(OI值)首次放電比容量及首次庫倫效率電池產(chǎn)品-負極材料電解液-電導(dǎo)率電解液-化學(xué)元素含量電解液-密度電解液-水分含量電解液-未知物分析電解液-游離酸(HF含量)電池產(chǎn)品-電解液電池產(chǎn)品-隔膜電池產(chǎn)品-隔膜
設(shè)為首頁 | 收藏本站

什么是干涉光刻?

 二維碼
發(fā)表時間:2020-12-17 10:54作者:鑠思百檢測來源:鑠思百檢測

什么是干涉光刻

干涉光刻,是一種無需用到復(fù)雜的光學(xué)系統(tǒng)或光掩膜而制備精細結(jié)構(gòu)的技術(shù)。作為一項比較可靠的圖形產(chǎn)生技術(shù),干涉光刻不但在CD控制方面具有很好的表現(xiàn),而且其工藝寬容度與傳統(tǒng)一般相比也較大,還能夠產(chǎn)生具有陡的側(cè)壁、大的深寬比和深亞微米尺寸的抗蝕劑結(jié)構(gòu)陣列圖形,這樣的形狀結(jié)構(gòu)在圖形轉(zhuǎn)移和器件制造過程當中都能夠有非常高效的得到利用。


與其他的一般技術(shù)相比較,在大視場內(nèi),干涉光刻能夠非常有效的使每個地方都達到深亞微米、甚至納米級的較高分辨率,而且還具有無限的焦深,這些優(yōu)點都與制作場發(fā)射顯示器的要求相符合。


干涉光刻技術(shù)原理

干涉光刻技術(shù)(或全息光刻技術(shù))的基本原理與干涉測量法或全息法的原理相似。


兩個及以上的相干光波構(gòu)成的一個干涉圖樣被建立起來并在一個記錄層被記錄(光刻膠)。這個干涉圖樣由周期性序列的條紋組成,這些條紋分別代表最大強度及小強度。在曝光后的光刻處理過程中,與此強度周期性變化圖樣相對應(yīng)的光刻膠圖樣就此出現(xiàn)。


對于兩束光波干涉,條紋間距或周期由(λ/2)/sin(θ/2)給出,其中λ為波長、θ為兩束相干光波之間的夾角。從而,能夠達到的小周期為波長的一半。通過利用三束干涉光波,具有六邊形對稱結(jié)構(gòu)的陣列能夠被制成;而利用四束光波,具有矩形對稱結(jié)構(gòu)的陣列能夠被制成。從而,通過疊加不同光束組合,不同的結(jié)構(gòu)便得以制備出來。


干涉光刻條件要求

要使干涉光刻法能夠順利進行,相干性的要求必須滿足。


首先,必須使用空間相干光源。這實際上是一個結(jié)合了準直透鏡的點光源。激光或同步加速器光束也經(jīng)常被使用以保證在分束前得到統(tǒng)一的波振面。


其次,應(yīng)優(yōu)先考慮單色的或時域相干的光源。這可直接通過激光實現(xiàn),但采用寬帶寬的光源時需增加濾光片。如果分束器為衍射光柵則對于單色行的要求可以被忽略,原因為不同的波長將被衍射至不同的角度但終還是會聚集到一起。但即使在這種情況下,空間相干性以及正入射仍然為必要條件。


干涉光刻的優(yōu)缺點及用途

干涉光刻技術(shù)的優(yōu)點是能夠快速的在大面積內(nèi)制備密集的特征結(jié)構(gòu)而不失焦,因此經(jīng)常被用于檢測新型波長刻蝕技術(shù)(如EUV、193nm浸泡等)的光致抗蝕工藝。除此之外,高功率脈沖激光的激光干涉光束基于光熱或光化學(xué)機制可以在材料表面直接進行處理(包括金屬、陶瓷及高分子聚合物)。


由于上述特征,這個方法也被叫做“直接激光干涉制紋”(Direct Laser Interference Patterning; DLIP)。利用DLIP,不同的結(jié)構(gòu)能夠在數(shù)秒內(nèi)直接在基底上被制成,得到大面積上的周期性陣列。這樣具有紋路的表面有不同的應(yīng)用之處,包括摩擦學(xué)(對摩擦及磨損的降低)或生物科學(xué)。而對于傳統(tǒng)上采用電子束刻蝕需要用時較長的紋路,也可以采用電子干涉刻蝕法快速制成。


干涉光刻法的缺點在于它只能夠被用于制備陣列特征結(jié)構(gòu)。從而,若要繪制任意圖樣的紋路,還需要采用其他光刻蝕技術(shù)。與此同時,非光學(xué)效應(yīng),如致電離輻射所產(chǎn)生的二級電子,在采用干涉刻蝕法時無法被避免。例如,二級電子范圍可以大概被表面碳污染寬度(約20nm)表征,此污染是由一個聚焦后(2nm)的電子束產(chǎn)生的。這表明,利用刻蝕來得到半間距為20nm或更小的特征結(jié)構(gòu)將會被刻蝕圖樣之外的其他因素嚴重影響到,如真空的潔凈程度。


激光干涉光刻

在現(xiàn)在科技發(fā)展日新月異的今天,現(xiàn)有光刻技術(shù)一般具有比較復(fù)雜的曲面光學(xué)元件,而新興激光干涉光刻技術(shù)作為現(xiàn)代科學(xué)光刻技術(shù)的補充,其設(shè)備并不復(fù)雜,系統(tǒng)也相對較為簡單,但有著極高分辨率,其分辨極限已經(jīng)能夠達到λ/4的水平,還具有大焦長深、圖形對比度較高等的諸多優(yōu)點。


激光干涉光刻技術(shù)定義為通過光的衍射、干涉,將光束用特定的方式組合,達到干涉場內(nèi)光強度的有效調(diào)控,在此種情況下利用感光而產(chǎn)生光刻圖形。


激光干涉光刻技術(shù)現(xiàn)在已經(jīng)經(jīng)過了初級的發(fā)展階段,在很多領(lǐng)域當中都已經(jīng)得到了非常廣泛的應(yīng)用。經(jīng)過研究,激光干涉光刻技術(shù)已經(jīng)在納米結(jié)構(gòu)的生產(chǎn)當中得到了廣泛的應(yīng)用。不論在大規(guī)模的工業(yè)生產(chǎn)當中還是在我們每個人的日常生活當中,納米結(jié)構(gòu)都有著非常廣泛的應(yīng)用,被許多人所熟知的微電子、光電子、生物技術(shù)、傳感技術(shù)等諸多領(lǐng)域的發(fā)展在很大程度上都是取決于納米結(jié)構(gòu)制造技術(shù)的發(fā)展水平。


文章分類: 科研設(shè)備
分享到:
在線客服
 
 
 工作時間
周一至周六 :8:00-18:00
 聯(lián)系方式
客服-黃工:150 7104 0697
客服-劉工:18120219335
犍为县| 通道| 金塔县| 安龙县| 英超| 邻水| 咸阳市| 富阳市| 泾源县| 页游| 沧源| 思茅市| 米易县| 兖州市| 高尔夫| 洱源县| 焦作市| 青浦区| 靖州| 大田县| 怀仁县| 永德县| 徐州市| 桃园市| 太康县| 辽中县| 合山市| 平谷区| 常德市| 丰镇市| 东莞市| 晋中市| 亳州市| 东乡族自治县| 稻城县| 象山县| 德昌县| 甘德县| 长岛县| 稻城县| 错那县|