鑠思百檢測

DETECTION OF TECHNICAL SOUSEPAD

透射電子顯微鏡(TEM-EDS)掃描電子顯微鏡(FESEM-EDS)球差電鏡激光共聚焦顯微鏡(LSCM)原子力顯微鏡(AFM)電子探針儀(EPMA)金相顯微鏡電子背散射衍射儀(EBSD)臺階儀,膜厚儀,探針接觸式輪廓儀,3D輪廓儀工業(yè)CT白光干涉儀(非接觸式3D表面輪廓儀)電鏡測試FIB制樣離子減薄制樣冷凍超薄切片制樣樹脂包埋制樣(生物制樣)液氮脆斷制樣金網(wǎng)鉬網(wǎng)銅網(wǎng)超薄碳膜微柵制樣電鏡制樣X射線光電子能譜分析儀(XPS)紫外光電子能譜(UPS)俄歇電子能譜(AES)X射線衍射儀(XRD)X射線散射儀SAXS/WAXSX射線殘余應(yīng)力分析儀X射線熒光光譜分析儀(XRF)電感耦合等離子體光譜儀(ICP-OES)紫外可見反射儀(DRS)拉曼光譜(RAMAN)紫外-可見分光光度計(jì)(UV)圓二色譜(CD)傅里葉變換紅外光譜分析儀(FTIR)吡啶紅外(DRIFTS)單晶衍射儀穆斯堡爾光譜儀穩(wěn)態(tài)瞬態(tài)熒光光譜分析儀(PL)原子吸收分光光度計(jì)原子熒光光度計(jì)(AFS)三維熒光 /熒光分光光度計(jì)紅外熱成像儀霧度儀旋光儀橢偏儀光譜測試電感耦合等離子體質(zhì)譜儀(ICP-MS)電噴霧離子化質(zhì)譜儀(ESI-MS)頂空-固相微萃取氣質(zhì)聯(lián)用儀(HS -SPME -GC -MS)二次離子質(zhì)譜(SIMS)基質(zhì)輔助激光解吸電離飛行時(shí)間質(zhì)譜儀(MALDI-TOF)裂解氣質(zhì)聯(lián)用儀(PY-GC-MS)氣質(zhì)聯(lián)用儀(GC-MS)同位素質(zhì)譜儀液質(zhì)聯(lián)用儀(LC-MS)質(zhì)譜測試差示掃描量熱儀(DSC)熱重分析儀(TGA)熱分析聯(lián)用儀(DSC-TGA)靜態(tài)/動態(tài)熱機(jī)械分析儀(TMA/DMA)熱重紅外聯(lián)用儀(TG-IR)熱重紅外質(zhì)譜聯(lián)用儀(TG-IR-MS)熱重紅外氣相質(zhì)譜聯(lián)用(TG-IR-GC-MS)紅外熱成像儀激光導(dǎo)熱儀錐形量熱儀(CONE)熱譜測試電子順磁共振波譜儀(EPR、ESR)固體核磁共振儀(NMR)液體核磁共振儀(NMR)微波網(wǎng)絡(luò)矢量分析儀/矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀核磁順磁波譜測試比表面及孔徑分析儀(BET)表面張力儀(界面張力儀)高壓吸附儀化學(xué)吸附儀(TPD TPR)接觸角測量儀納米壓痕儀壓汞儀(MIP)表界面物性測試氣相色譜儀(GC)高效液相色譜儀(HPLC)離子色譜儀(IC)凝膠色譜儀(GPC)液相色譜(LC)色譜測試電導(dǎo)率儀電化學(xué)工作站腐蝕測試儀介電常數(shù)測定儀卡爾費(fèi)休水分測定儀自動電位滴定儀電化學(xué)儀器測試Zeta電位儀工業(yè)分析激光粒度儀流變儀密度測定儀納米粒度儀邵氏 維氏 洛氏硬度計(jì)有機(jī)鹵素分析儀(F,Cl,Br,I,At,Ts)有機(jī)元素分析儀(EA)粘度計(jì)振動樣品磁強(qiáng)計(jì)(VSM)土壤分析測試植物分析測試其他測試同步輻射GIWAXS GISAXS同步輻射XRD,PDF,SAXS同步輻射吸收譜-高能機(jī)時(shí)同步輻射吸收譜之軟X射線同步輻射吸收譜之硬X射線同步輻射聚焦離子束掃描電鏡(FIB-SEM)礦物定量分析系統(tǒng)MLA球差校正透射電子顯微鏡高端電鏡類原位XPS測試原位EBSD(in situ -EBSD)原位紅外原位掃描電子顯微鏡(in-situ-SEM)原位透射電子顯微鏡高端原位測試飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜儀(TOF-SIMS)輝光放電光譜(GD-OES MS)三維原子探針(APT)高端質(zhì)譜類Micro/Nano /工業(yè)CT飛秒瞬態(tài)吸收光譜儀(fs-TAS)掃描隧道顯微鏡深能級瞬態(tài)譜儀正電子湮滅壽命譜儀其他XPS數(shù)據(jù)分析XRD全巖黏土分析表面成分分析技術(shù)-XPS測試分析常規(guī)XRD數(shù)據(jù)分析成分指紋分析技術(shù)-紅外測試分析二維紅外光譜技術(shù)紅外(IR)數(shù)據(jù)分析拉曼數(shù)據(jù)分析三維熒光數(shù)據(jù)分析圓二色譜(CD)數(shù)據(jù)分析成分含量分析EPR/ESR數(shù)據(jù)分析VSM數(shù)據(jù)分析電化學(xué)數(shù)據(jù)分析矢量網(wǎng)絡(luò)數(shù)據(jù)分析電磁分析CT數(shù)據(jù)分析X射線吸收精細(xì)結(jié)構(gòu)普(XAFS)數(shù)據(jù)分析穆斯堡爾譜數(shù)據(jù)分析小角散射(SAXS/WAXS)數(shù)據(jù)分析高端測試分析固體核磁數(shù)據(jù)分析液體核磁(NMR)測試+分析一體化液體核磁(NMR)數(shù)據(jù)分析化學(xué)結(jié)構(gòu)分析EBSD數(shù)據(jù)分析TEM數(shù)據(jù)分析單晶XRD數(shù)據(jù)分析晶體結(jié)構(gòu)確證技術(shù)-XRD精修XRD定性定量分析晶體結(jié)構(gòu)分析BET數(shù)據(jù)分析其它數(shù)據(jù)分析需求熱分析數(shù)據(jù)處理數(shù)據(jù)分析作圖其他數(shù)據(jù)分析半導(dǎo)體激光器模擬發(fā)光二極管仿真光電探測器仿真太陽能電池仿真半導(dǎo)體器件仿真表面能差分密度磁矩單原子催化電荷密度電解水制氫反應(yīng)(HER)費(fèi)米面(fermi surface)電子局域化函數(shù)(electron localization function)第一性原理分子模擬量子化學(xué)相分析有限元模擬常規(guī)理化-水樣常規(guī)理化-土樣/沉積物常規(guī)理化-氣體常規(guī)理化-植物/蔬果/農(nóng)作物常規(guī)理化-食品常規(guī)理化-肥料/飼料常規(guī)理化-巖礦常規(guī)理化-垃圾常規(guī)理化-職業(yè)衛(wèi)生常規(guī)理化-其它常規(guī)理化項(xiàng)目纖維素、半纖維素、木質(zhì)素含量bcr形態(tài)順序提取/tessier五步提取法土壤水體抗生素微塑料微生物磷脂脂肪酸(PLFA)非標(biāo)理化-其它非標(biāo)理化項(xiàng)目穩(wěn)定同位素放射性同位素同位素-其它金屬同位素同位素多糖的單糖組成測定可溶性寡糖定量土壤氨基糖多糖全套分析多糖甲基化植物糖化學(xué)-常規(guī)指標(biāo)糖化學(xué)液質(zhì)聯(lián)用LCMS高效液相色譜HPLC氣相色譜GC氣質(zhì)聯(lián)用GCMS全二維氣質(zhì)GC×GC-MS氣相色譜-離子遷移譜聯(lián)用儀(GC-IMS)液相色譜-原子熒光聯(lián)用(LC-AFS)制備型HPLC色譜質(zhì)譜數(shù)據(jù)分析液相色譜-電感耦合等離子體質(zhì)譜(LC-ICPMS)色譜質(zhì)譜DOM(FT- ICR- MS)水質(zhì)NOM(LC-OCD-OND)DOM(FT-ICR-MS)數(shù)據(jù)分析環(huán)境高端電池產(chǎn)品整體解決方案正極顆粒表面微觀形貌正極顆粒物截面形貌與元素三元正極顆粒循環(huán)前后晶界裂紋正極顆粒摻雜元素分布正極顆粒截面元素分布和晶格表征正極極片原位晶相分析正極極片截面元素分布和晶格表征正極表面CEI膜測試方法XPS正極極片截面微觀形貌觀察和元素分布正極極片CEI膜成分分析與厚度測定正極極片介電常數(shù)正極極片浸潤性正極極片包覆層觀察正極極片雜質(zhì)含量測定正極極片氧空位測定負(fù)極顆粒表面微觀形貌觀察和元素分布負(fù)極顆粒截面微觀形貌觀察和元素分布石墨類型判定負(fù)極顆粒粒徑分析負(fù)極極片孔洞分析負(fù)極顆粒包覆層觀察負(fù)極顆粒羥基含量測定負(fù)極極片包覆層觀察負(fù)極表面SEI膜分析XPS法負(fù)極極片SEI膜成分分析與厚度測定負(fù)極極片截面微觀形貌觀察和元素分布負(fù)極極片石墨碳和無定型碳比例隔膜表面微觀形貌觀察隔膜循環(huán)前后孔徑變化質(zhì)子交換膜形貌(厚度)觀察 CP+SEM質(zhì)子交換膜雜質(zhì)元素電池循環(huán)后鼓包氣電池循環(huán)后爆炸氣鋰電池極片和集流體間的粘結(jié)強(qiáng)度三元正極材料NCM比例燃料電池-整體解決方案電池產(chǎn)品-隔膜電池產(chǎn)品-優(yōu)勢項(xiàng)目正極材料-PH值正極材料-比表面積正極材料-磁性異物正極材料-化學(xué)成分正極材料-晶體結(jié)構(gòu)正極材料-粒徑分布正極材料-首次放電比容量及首次庫倫效率正極材料-水分含量正極材料-松裝密度正極材料-未知物分析正極材料-形貌,厚度與結(jié)構(gòu)正極材料-壓實(shí)密度正極材料-振實(shí)密度電池產(chǎn)品-正極材料負(fù)極材料-PH值負(fù)極材料-比表面積負(fù)極材料-層間距 石墨化度負(fù)極材料成分分析負(fù)極材料-磁性異物負(fù)極材料-粉末壓實(shí)密度負(fù)極材料-固定碳含量負(fù)極材料-化學(xué)成分負(fù)極材料-粒徑分布負(fù)極材料-石墨鑒定負(fù)極材料-水分負(fù)極材料-限用物質(zhì)含量負(fù)極材料-形貌與結(jié)構(gòu)負(fù)極材料-陰離子的測定負(fù)極材料-有機(jī)物含量負(fù)極材料-真密度負(fù)極材料-振實(shí)密度負(fù)極顆粒-石墨取向性(OI值)首次放電比容量及首次庫倫效率電池產(chǎn)品-負(fù)極材料電解液-電導(dǎo)率電解液-化學(xué)元素含量電解液-密度電解液-水分含量電解液-未知物分析電解液-游離酸(HF含量)電池產(chǎn)品-電解液電池產(chǎn)品-隔膜電池產(chǎn)品-隔膜
設(shè)為首頁 | 收藏本站

一文讀懂納米壓印

 二維碼
發(fā)表時(shí)間:2020-12-22 14:04作者:鑠思百檢測來源:鑠思百檢測

1、納米壓印介紹

NIL(納米壓?。┦峭ㄟ^模版,將圖形轉(zhuǎn)移到相應(yīng)的襯底上,轉(zhuǎn)移的媒介通常是一層很薄的聚合膜,通過熱壓或者輻照等方式使其結(jié)構(gòu)硬化從而保留下轉(zhuǎn)移的圖形,整個(gè)過程包括壓印和圖形轉(zhuǎn)移兩個(gè)過程。納米壓印技術(shù)突破了傳統(tǒng)光刻在特征尺寸減小過程中的難題,具有分辨率高、低成本的特點(diǎn)。

2、納米壓印的分類

根據(jù)壓印方法的不同,NIL主要可分為熱塑(Hot embossing)、紫外固化UV和微接觸(Micro contact printing cup)三種光刻技術(shù)。

(1)熱壓?。℉E-NIL)

熱壓印的工藝包含下列步驟:

①首先,利用電子束直寫技術(shù)(EBDW)制作一片具有納米圖案的Si或SiO2模版,并且準(zhǔn)備一片均勻涂布熱塑性高分子光刻膠(通常以PMMA為主要材料)的硅基板。

②將硅基板上的光刻膠加熱到玻璃轉(zhuǎn)換溫度(Glass Transfer Temperature)以上,利用機(jī)械力將模版壓入高溫軟化的光刻膠層內(nèi),并且維持高溫、高壓一段時(shí)間,使熱塑性高分子光刻膠填充到模版的納米結(jié)構(gòu)內(nèi)。

③待光刻膠冷卻固化成形之后,釋放壓力并且將模版脫離硅基板。

④最后對硅基板進(jìn)行反應(yīng)離子刻蝕(Reactive Ion Etching)去除殘留的光刻膠,即可以復(fù)制出與模版等比例的納米圖案。

(2)紫外硬化壓印光刻技術(shù)(UV-NIL)

使用熱壓印光刻技術(shù)的熱塑性高分子光刻膠必須經(jīng)過高溫、高壓、冷卻的相變化過程,在脫模之后壓印的圖案經(jīng)常會產(chǎn)生變形現(xiàn)象,因此使用熱壓印技術(shù)不易進(jìn)行多次或三維結(jié)構(gòu)的壓印,為了解決此問題,有人開始研發(fā)一些可以在室溫、低壓下使用的壓印光刻技術(shù)。

M.Bender和M.Otto提出一種在室溫、低壓環(huán)境下利用紫外光硬化高分子的壓印光刻技術(shù)[4、5],其前處理與熱壓印類似,首先都必須準(zhǔn)備一個(gè)具有納米圖案的模版,而UV-NIL的模版材料必須使用可以讓紫外線穿透的石英,并且在硅基板涂布一層低黏度、對UV感光的液態(tài)高分子光刻膠,在模版和基板對準(zhǔn)完成后,將模版壓入光刻膠層并且照射紫外光使光刻膠發(fā)生聚合反應(yīng)硬化成形,然后脫模、進(jìn)行刻蝕基板上殘留的光刻膠便完成整個(gè)UV-NIL。

最近紫外壓印一個(gè)新的發(fā)展是提出了步進(jìn)-閃光壓印。步進(jìn)-閃光壓印發(fā)明于Austin的Texas大學(xué),它可以達(dá)到10nm的分辨率。先將低粘度的單體溶液滴在壓印的襯底上,用很低的壓力將模版壓倒圓片上,使液態(tài)分散開并填充模版中的空腔。紫外光透過模版背面輻照單體,固化成型后,移去模版。最后刻蝕殘留層和進(jìn)行圖案轉(zhuǎn)移,得到高縱橫比的結(jié)構(gòu)。

很明顯,紫外壓印相對于熱壓印來說,不需要高溫、高壓的條件,它可以廉價(jià)的在納米尺度得到高分辨率的圖形,它的工藝可用于發(fā)展納米器件,其中的步進(jìn)-閃光壓印不但導(dǎo)致工藝和工具成本的明顯下降,而且在其他方面也和光學(xué)光刻一樣好或更好,這些其他方面包括工具壽命、模具壽命(不用掩模版)、模具成本、工藝良率、產(chǎn)量和尺寸重現(xiàn)精度。但其缺點(diǎn)是需要在潔凈間環(huán)境下進(jìn)行操作。

(3)微接觸壓印光刻(Microcontact-NIL)

微接觸壓印光刻技術(shù)要先通過光學(xué)或電子束光刻得到模版。模具材料的化學(xué)前體在模版中固化,聚合成型后從模版中脫離,便得到了進(jìn)行微接觸印刷所要求的模具。常常要得到的模具是PDMS,接著,PDMS模具浸在含有硫醇的試劑中,然后將浸過試劑的模具壓到鍍金襯底上,襯底可以為玻璃、硅、聚合物等多種形式。另外,在襯底上可以先鍍上一薄層鈦層然后再鍍金,以增加粘連。硫醇與金發(fā)生反應(yīng),形成自組裝單分子層SAM。印刷后有兩種工藝對其處理。一種是采用濕法刻蝕,如在氫化物溶液中,氫化物的離子促使未被SAM層覆蓋的金溶解,而由于SAM能有效地阻擋氫化物的離子,被SAM覆蓋的金被保留,從而將單分子層的圖案轉(zhuǎn)移到金上。還可以進(jìn)一步以金為掩模,對未被金覆蓋的地方進(jìn)行刻蝕,再次實(shí)現(xiàn)圖案轉(zhuǎn)移,另一種是在金膜上通過自組裝單層的硫醇分子來鏈接某些有機(jī)分子,實(shí)現(xiàn)自組裝,如可以用此方法加工生物傳感器的表面。

微接觸印刷不但具有快速、廉價(jià)的優(yōu)點(diǎn),而且它還不需要潔凈間的苛刻條件,甚至不需要絕對平整的表面,微接觸印刷還適合多種不同表面,具有作用方法靈活多變的特點(diǎn),該方面缺點(diǎn)是在亞微米尺度,印刷時(shí)硫醇分子的擴(kuò)散將影響對比度,并使印出的圖形變寬。通過優(yōu)化浸液方式、浸液時(shí)間,尤其是控制好模具上試劑量及分布,可以使擴(kuò)散效應(yīng)下降。

3、納米壓印的應(yīng)用


在線客服
 
 
 工作時(shí)間
周一至周六 :8:00-18:00
 聯(lián)系方式
客服-黃工:150 7104 0697
客服-劉工:18120219335
勃利县| 岳阳市| 固阳县| 巴楚县| 社会| 陆河县| 通山县| 大渡口区| 吉安县| 阿荣旗| 象州县| 永丰县| 高陵县| 长治县| 开阳县| 应用必备| 武隆县| 方城县| 仁布县| 界首市| 安岳县| 方正县| 汶上县| 嘉义县| 长兴县| 崇仁县| 离岛区| 海盐县| 都昌县| 大余县| 枣庄市| 宜州市| 平南县| 叶城县| 南郑县| 襄垣县| 潞城市| 彭水| 金塔县| 唐山市| 龙胜|