鑠思百檢測(cè)

DETECTION OF TECHNICAL SOUSEPAD

透射電子顯微鏡(TEM-EDS)掃描電子顯微鏡(FESEM-EDS)球差電鏡激光共聚焦顯微鏡(LSCM)原子力顯微鏡(AFM)電子探針儀(EPMA)金相顯微鏡電子背散射衍射儀(EBSD)臺(tái)階儀,膜厚儀,探針接觸式輪廓儀,3D輪廓儀工業(yè)CT白光干涉儀(非接觸式3D表面輪廓儀)電鏡測(cè)試FIB制樣離子減薄制樣冷凍超薄切片制樣樹脂包埋制樣(生物制樣)液氮脆斷制樣金網(wǎng)鉬網(wǎng)銅網(wǎng)超薄碳膜微柵制樣電鏡制樣X射線光電子能譜分析儀(XPS)紫外光電子能譜(UPS)俄歇電子能譜(AES)X射線衍射儀(XRD)X射線散射儀SAXS/WAXSX射線殘余應(yīng)力分析儀X射線熒光光譜分析儀(XRF)電感耦合等離子體光譜儀(ICP-OES)紫外可見反射儀(DRS)拉曼光譜(RAMAN)紫外-可見分光光度計(jì)(UV)圓二色譜(CD)傅里葉變換紅外光譜分析儀(FTIR)吡啶紅外(DRIFTS)單晶衍射儀穆斯堡爾光譜儀穩(wěn)態(tài)瞬態(tài)熒光光譜分析儀(PL)原子吸收分光光度計(jì)原子熒光光度計(jì)(AFS)三維熒光 /熒光分光光度計(jì)紅外熱成像儀霧度儀旋光儀橢偏儀光譜測(cè)試電感耦合等離子體質(zhì)譜儀(ICP-MS)電噴霧離子化質(zhì)譜儀(ESI-MS)頂空-固相微萃取氣質(zhì)聯(lián)用儀(HS -SPME -GC -MS)二次離子質(zhì)譜(SIMS)基質(zhì)輔助激光解吸電離飛行時(shí)間質(zhì)譜儀(MALDI-TOF)裂解氣質(zhì)聯(lián)用儀(PY-GC-MS)氣質(zhì)聯(lián)用儀(GC-MS)同位素質(zhì)譜儀液質(zhì)聯(lián)用儀(LC-MS)質(zhì)譜測(cè)試差示掃描量熱儀(DSC)熱重分析儀(TGA)熱分析聯(lián)用儀(DSC-TGA)靜態(tài)/動(dòng)態(tài)熱機(jī)械分析儀(TMA/DMA)熱重紅外聯(lián)用儀(TG-IR)熱重紅外質(zhì)譜聯(lián)用儀(TG-IR-MS)熱重紅外氣相質(zhì)譜聯(lián)用(TG-IR-GC-MS)紅外熱成像儀激光導(dǎo)熱儀錐形量熱儀(CONE)熱譜測(cè)試電子順磁共振波譜儀(EPR、ESR)固體核磁共振儀(NMR)液體核磁共振儀(NMR)微波網(wǎng)絡(luò)矢量分析儀/矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀核磁順磁波譜測(cè)試比表面及孔徑分析儀(BET)表面張力儀(界面張力儀)高壓吸附儀化學(xué)吸附儀(TPD TPR)接觸角測(cè)量?jī)x納米壓痕儀壓汞儀(MIP)表界面物性測(cè)試氣相色譜儀(GC)高效液相色譜儀(HPLC)離子色譜儀(IC)凝膠色譜儀(GPC)液相色譜(LC)色譜測(cè)試電導(dǎo)率儀電化學(xué)工作站腐蝕測(cè)試儀介電常數(shù)測(cè)定儀卡爾費(fèi)休水分測(cè)定儀自動(dòng)電位滴定儀電化學(xué)儀器測(cè)試Zeta電位儀工業(yè)分析激光粒度儀流變儀密度測(cè)定儀納米粒度儀邵氏 維氏 洛氏硬度計(jì)有機(jī)鹵素分析儀(F,Cl,Br,I,At,Ts)有機(jī)元素分析儀(EA)粘度計(jì)振動(dòng)樣品磁強(qiáng)計(jì)(VSM)土壤分析測(cè)試植物分析測(cè)試其他測(cè)試同步輻射GIWAXS GISAXS同步輻射XRD,PDF,SAXS同步輻射吸收譜-高能機(jī)時(shí)同步輻射吸收譜之軟X射線同步輻射吸收譜之硬X射線同步輻射聚焦離子束掃描電鏡(FIB-SEM)礦物定量分析系統(tǒng)MLA球差校正透射電子顯微鏡高端電鏡類原位XPS測(cè)試原位EBSD(in situ -EBSD)原位紅外原位掃描電子顯微鏡(in-situ-SEM)原位透射電子顯微鏡高端原位測(cè)試飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜儀(TOF-SIMS)輝光放電光譜(GD-OES MS)三維原子探針(APT)高端質(zhì)譜類Micro/Nano /工業(yè)CT飛秒瞬態(tài)吸收光譜儀(fs-TAS)掃描隧道顯微鏡深能級(jí)瞬態(tài)譜儀正電子湮滅壽命譜儀其他XPS數(shù)據(jù)分析XRD全巖黏土分析表面成分分析技術(shù)-XPS測(cè)試分析常規(guī)XRD數(shù)據(jù)分析成分指紋分析技術(shù)-紅外測(cè)試分析二維紅外光譜技術(shù)紅外(IR)數(shù)據(jù)分析拉曼數(shù)據(jù)分析三維熒光數(shù)據(jù)分析圓二色譜(CD)數(shù)據(jù)分析成分含量分析EPR/ESR數(shù)據(jù)分析VSM數(shù)據(jù)分析電化學(xué)數(shù)據(jù)分析矢量網(wǎng)絡(luò)數(shù)據(jù)分析電磁分析CT數(shù)據(jù)分析X射線吸收精細(xì)結(jié)構(gòu)普(XAFS)數(shù)據(jù)分析穆斯堡爾譜數(shù)據(jù)分析小角散射(SAXS/WAXS)數(shù)據(jù)分析高端測(cè)試分析固體核磁數(shù)據(jù)分析液體核磁(NMR)測(cè)試+分析一體化液體核磁(NMR)數(shù)據(jù)分析化學(xué)結(jié)構(gòu)分析EBSD數(shù)據(jù)分析TEM數(shù)據(jù)分析單晶XRD數(shù)據(jù)分析晶體結(jié)構(gòu)確證技術(shù)-XRD精修XRD定性定量分析晶體結(jié)構(gòu)分析BET數(shù)據(jù)分析其它數(shù)據(jù)分析需求熱分析數(shù)據(jù)處理數(shù)據(jù)分析作圖其他數(shù)據(jù)分析半導(dǎo)體激光器模擬發(fā)光二極管仿真光電探測(cè)器仿真太陽能電池仿真半導(dǎo)體器件仿真表面能差分密度磁矩單原子催化電荷密度電解水制氫反應(yīng)(HER)費(fèi)米面(fermi surface)電子局域化函數(shù)(electron localization function)第一性原理分子模擬量子化學(xué)相分析有限元模擬常規(guī)理化-水樣常規(guī)理化-土樣/沉積物常規(guī)理化-氣體常規(guī)理化-植物/蔬果/農(nóng)作物常規(guī)理化-食品常規(guī)理化-肥料/飼料常規(guī)理化-巖礦常規(guī)理化-垃圾常規(guī)理化-職業(yè)衛(wèi)生常規(guī)理化-其它常規(guī)理化項(xiàng)目纖維素、半纖維素、木質(zhì)素含量bcr形態(tài)順序提取/tessier五步提取法土壤水體抗生素微塑料微生物磷脂脂肪酸(PLFA)非標(biāo)理化-其它非標(biāo)理化項(xiàng)目穩(wěn)定同位素放射性同位素同位素-其它金屬同位素同位素多糖的單糖組成測(cè)定可溶性寡糖定量土壤氨基糖多糖全套分析多糖甲基化植物糖化學(xué)-常規(guī)指標(biāo)糖化學(xué)液質(zhì)聯(lián)用LCMS高效液相色譜HPLC氣相色譜GC氣質(zhì)聯(lián)用GCMS全二維氣質(zhì)GC×GC-MS氣相色譜-離子遷移譜聯(lián)用儀(GC-IMS)液相色譜-原子熒光聯(lián)用(LC-AFS)制備型HPLC色譜質(zhì)譜數(shù)據(jù)分析液相色譜-電感耦合等離子體質(zhì)譜(LC-ICPMS)色譜質(zhì)譜DOM(FT- ICR- MS)水質(zhì)NOM(LC-OCD-OND)DOM(FT-ICR-MS)數(shù)據(jù)分析環(huán)境高端電池產(chǎn)品整體解決方案正極顆粒表面微觀形貌正極顆粒物截面形貌與元素三元正極顆粒循環(huán)前后晶界裂紋正極顆粒摻雜元素分布正極顆粒截面元素分布和晶格表征正極極片原位晶相分析正極極片截面元素分布和晶格表征正極表面CEI膜測(cè)試方法XPS正極極片截面微觀形貌觀察和元素分布正極極片CEI膜成分分析與厚度測(cè)定正極極片介電常數(shù)正極極片浸潤(rùn)性正極極片包覆層觀察正極極片雜質(zhì)含量測(cè)定正極極片氧空位測(cè)定負(fù)極顆粒表面微觀形貌觀察和元素分布負(fù)極顆粒截面微觀形貌觀察和元素分布石墨類型判定負(fù)極顆粒粒徑分析負(fù)極極片孔洞分析負(fù)極顆粒包覆層觀察負(fù)極顆粒羥基含量測(cè)定負(fù)極極片包覆層觀察負(fù)極表面SEI膜分析XPS法負(fù)極極片SEI膜成分分析與厚度測(cè)定負(fù)極極片截面微觀形貌觀察和元素分布負(fù)極極片石墨碳和無定型碳比例隔膜表面微觀形貌觀察隔膜循環(huán)前后孔徑變化質(zhì)子交換膜形貌(厚度)觀察 CP+SEM質(zhì)子交換膜雜質(zhì)元素電池循環(huán)后鼓包氣電池循環(huán)后爆炸氣鋰電池極片和集流體間的粘結(jié)強(qiáng)度三元正極材料NCM比例燃料電池-整體解決方案電池產(chǎn)品-隔膜電池產(chǎn)品-優(yōu)勢(shì)項(xiàng)目正極材料-PH值正極材料-比表面積正極材料-磁性異物正極材料-化學(xué)成分正極材料-晶體結(jié)構(gòu)正極材料-粒徑分布正極材料-首次放電比容量及首次庫(kù)倫效率正極材料-水分含量正極材料-松裝密度正極材料-未知物分析正極材料-形貌,厚度與結(jié)構(gòu)正極材料-壓實(shí)密度正極材料-振實(shí)密度電池產(chǎn)品-正極材料負(fù)極材料-PH值負(fù)極材料-比表面積負(fù)極材料-層間距 石墨化度負(fù)極材料成分分析負(fù)極材料-磁性異物負(fù)極材料-粉末壓實(shí)密度負(fù)極材料-固定碳含量負(fù)極材料-化學(xué)成分負(fù)極材料-粒徑分布負(fù)極材料-石墨鑒定負(fù)極材料-水分負(fù)極材料-限用物質(zhì)含量負(fù)極材料-形貌與結(jié)構(gòu)負(fù)極材料-陰離子的測(cè)定負(fù)極材料-有機(jī)物含量負(fù)極材料-真密度負(fù)極材料-振實(shí)密度負(fù)極顆粒-石墨取向性(OI值)首次放電比容量及首次庫(kù)倫效率電池產(chǎn)品-負(fù)極材料電解液-電導(dǎo)率電解液-化學(xué)元素含量電解液-密度電解液-水分含量電解液-未知物分析電解液-游離酸(HF含量)電池產(chǎn)品-電解液電池產(chǎn)品-隔膜電池產(chǎn)品-隔膜
設(shè)為首頁 | 收藏本站

ICP-OES測(cè)試原理及應(yīng)用

 二維碼
發(fā)表時(shí)間:2021-08-07 09:29作者:鑠思百檢測(cè)來源:鑠思百檢測(cè)

IPC-OES(Inductively Coupled Plasma-Optical Emission Spectrometer)是指電感耦合等離子體發(fā)射光譜儀,可用于地質(zhì)、環(huán)保、化工、生物、醫(yī)藥、食品、冶金、農(nóng)業(yè)等樣品中70多種金屬元素和部分非金屬元素的定性定量分析。

原子發(fā)射光譜是指被測(cè)元素的原子被熱能或電能激發(fā),發(fā)射特征光譜進(jìn)行分析的方法。ICP-OES是一種以電感耦合高頻等離子體火炬為激發(fā)光源的原子發(fā)射光譜法。它是一種原子發(fā)射光譜學(xué)。

原理

ICP發(fā)射光譜分析過程主要分為三步:激發(fā)、分光和檢測(cè)。

1)利用等離子體激發(fā)光源使試樣蒸發(fā)汽化,離解或分解為原子狀態(tài),原子可能進(jìn)一步電離成離子狀態(tài),原子及離子在光源中激發(fā)發(fā)光。

2)利用光譜儀器將光源發(fā)射的光分解為按波長(zhǎng)排列的光譜。

3)利用光電器件檢測(cè)光譜,按測(cè)定得到的光譜波長(zhǎng)對(duì)試樣進(jìn)行定性分析,按發(fā)射光強(qiáng)度進(jìn)行定量分析。

儀器結(jié)構(gòu)

ICP-OES設(shè)備主要由R.F高頻發(fā)生器、等離子體和進(jìn)樣系統(tǒng)、分光系統(tǒng)、檢測(cè)系統(tǒng)和計(jì)算機(jī)系統(tǒng)五部分組成。

1)R.F高頻發(fā)生器:R.F發(fā)生器通過工作線圈給等離子體輸送能量,維持ICP光源穩(wěn)定放電,要求輸出功率穩(wěn)定性好、點(diǎn)火容易、發(fā)熱量小、火焰穩(wěn)定、有效轉(zhuǎn)換功率高、能對(duì)不同樣品及不同濃度變化時(shí)抗干擾能力強(qiáng)。目前的R.F發(fā)生器主要有兩種震蕩類型,即自激式和它激式。

2)等離子體和進(jìn)樣系統(tǒng):

等離子體:一般指電離度超過0.1%被電離了的氣體,這種氣體不僅含有中性原子和分子,而且含有大量的電子和離子,且電子和正離子的濃度處于平衡狀態(tài),從整體來看是處于中性的。

進(jìn)樣系統(tǒng):進(jìn)樣系統(tǒng)是ICP儀器中極為重要的部分,按試樣狀態(tài)不同可以分別有液體、氣體或固體直接進(jìn)樣。

a)液體進(jìn)樣裝置:氣動(dòng)霧化器(銅線霧化器、交叉霧化器、高鹽量霧化器)、超聲波霧化器、高壓霧化器、微量霧化器、循環(huán)霧化器、耐氫氟酸霧化器。

b)固體進(jìn)樣裝置:固體或粉末樣品直接氣化,將蒸汽或固體氣溶膠用載氣引入等離子體,以及把固體或粉末樣品直接送進(jìn)或插進(jìn)等離子體的方法。常用的裝置有電火花燒蝕進(jìn)樣器、激光燒蝕進(jìn)樣器、電熱進(jìn)樣器、插入式石墨杯進(jìn)樣器。

c)氣體進(jìn)樣裝置:氫化物發(fā)生器、專用氣體進(jìn)樣器。

3)分光系統(tǒng):

復(fù)合光經(jīng)色散分光后,得到一條按波長(zhǎng)順序排列的光譜,能將復(fù)合光束分解為單色光,并進(jìn)行觀測(cè)記錄的設(shè)備稱為光譜儀。要求要有適當(dāng)?shù)牟ㄩL(zhǎng)范圍和波長(zhǎng)選擇,能從被檢測(cè)的輻射源的特定區(qū)域里采集盡可能多的光。分光系統(tǒng)的性能包括:色散率大小、分辨率高低、光強(qiáng)損失大小、移動(dòng)部件多少、光學(xué)元件多少、雜散光大小和恒溫效果好壞。

4)檢測(cè)器:光照射到某個(gè)檢測(cè)單元上后,產(chǎn)生一定量的電荷,并且儲(chǔ)存在檢測(cè)單元內(nèi),然后采用電荷轉(zhuǎn)移的方式將其讀出---光電轉(zhuǎn)化。根據(jù)讀出方式的不同,可分為:

a)CID(Charge Injection Device)其讀出方法是將電荷在檢測(cè)單元內(nèi)部移動(dòng),檢測(cè)電壓變化,即內(nèi)部電荷轉(zhuǎn)移。

b)CCD (Charge Coupled Device)其讀出方法是將電荷在檢測(cè)單元之間逐個(gè)轉(zhuǎn)移,移到一個(gè)具有電荷感應(yīng)放大器的檢測(cè)單元上進(jìn)行讀出,即單元間電荷轉(zhuǎn)移。

5)計(jì)算機(jī)系統(tǒng):程序控制、實(shí)時(shí)控制、數(shù)據(jù)處理、數(shù)據(jù)分析。

檢測(cè)分析特點(diǎn)

1)應(yīng)用范圍寬:可以測(cè)定70多種元素。

2)多元素同時(shí)檢測(cè)能力:可以同時(shí)測(cè)定一個(gè)樣品中的多種元素。每一個(gè)樣品一經(jīng)激發(fā)后,不同元素都發(fā)射特征光譜,這樣就可同時(shí)測(cè)定多種元素。

3)選擇性好:每種元素因原子結(jié)構(gòu)不同,發(fā)射各自不同的特征光譜。在分析化學(xué)上,這種性質(zhì)上的差異,對(duì)于一些化學(xué)性質(zhì)極相似的元素具有特別重要的意義。例如鈮和鉭、鋯和鉿、幾十種稀土元素用其他方法分析都很困難,而發(fā)射光譜分析可以毫無困難地將它們區(qū)分開來并加以測(cè)定。

4)檢出限低:一般光源可達(dá)10~0.1ug/g(或ug.cm3),絕對(duì)值可達(dá)1~0.01ug.電感耦合高頻等離子體(ICP)檢出限可達(dá)ng/g級(jí)。

5)準(zhǔn)確度較高:一般光源相對(duì)誤差約5%~10%,ICP相對(duì)誤差可達(dá)1%以下。

6)試樣消耗少。

7)ICP光源校準(zhǔn)曲線線性范圍寬,可達(dá)4~6個(gè)數(shù)量級(jí),可以測(cè)定元素各種不同含量(高、中、微含量)。

8)常見的非金屬元素如氧、硫、氮、鹵素等譜線在遠(yuǎn)紫外區(qū),目前一般的光譜儀尚無法檢測(cè);還有一些非金屬元素,如Te等,由于其激發(fā)電位高,靈敏度較低。

應(yīng)用

ICP-OES目前主要的應(yīng)用包括以下幾個(gè)方面:

1)材料類檢測(cè):主要包括傳統(tǒng)金屬材料以及新型材料的成分檢測(cè)。

2)環(huán)境與安全類:主要包括食品、食品容器及其包裝材料的重金屬檢測(cè);玩具以及兒童用品及其包裝材料中的有害重金屬檢測(cè)(銻、砷、鋇、鉻、鎘、鉛、汞等);電子電器材料有害物質(zhì)檢測(cè);化妝品、洗滌劑及其包裝材料中的有害成分檢測(cè)。

3)醫(yī)藥類:一般用于與藥品以及一些保健品的有害成分及營(yíng)養(yǎng)成分的檢測(cè)。

4)地質(zhì)、礦產(chǎn)、農(nóng)業(yè)行業(yè)的檢測(cè):主要應(yīng)用于分析地質(zhì)、礦產(chǎn)、土壤等材料中的元素檢測(cè)以及研究。

5)任何高純物質(zhì)的檢測(cè):主要包括氯堿化工的高純燒堿及其原材料的微量元素分析以及高純藥品中間體。


鑠思百檢測(cè)可提供ICP檢測(cè)服務(wù),更多測(cè)試請(qǐng)聯(lián)系鑠思百檢測(cè)!

在線客服
 
 
 工作時(shí)間
周一至周六 :8:00-18:00
 聯(lián)系方式
客服-黃工:150 7104 0697
客服-劉工:18120219335
黑水县| 那曲县| 濮阳市| 抚松县| 普定县| 武宁县| 兰州市| 通州市| 珠海市| 贡觉县| 石景山区| 潮州市| 靖江市| 菏泽市| 申扎县| 三都| 阜阳市| 达州市| 青铜峡市| 来安县| 团风县| 辰溪县| 彭州市| 河池市| 江永县| 年辖:市辖区| 松潘县| 射洪县| 万山特区| 甘德县| 博乐市| 镇巴县| 荔浦县| 古蔺县| 宜阳县| 阳春市| 兴安县| 定陶县| 吕梁市| 榆中县| 沅江市|