俄歇電子能譜的基本原理

俄歇電子能譜儀的基本原理是什么呢？今天鑠思百檢測(cè)小編整理了相關(guān)資料，希望能幫到大家

俄歇電子能譜儀（AES）的原理

俄歇電子能譜儀(Auger ElectronSpectroscopy簡(jiǎn)稱(chēng)AES)，俄歇電子能譜儀基本原理是,在高能電子束與固體樣品相互作用時(shí),原子內(nèi)殼層電子因電離激發(fā)而留下一個(gè)空位,較外層電子會(huì)向這一能級(jí)躍遷,原子在釋放能量過(guò)程中,可以發(fā)射一個(gè)具有特征能量的 X 射線(xiàn)光子,也可以將這部分能量傳遞給另一個(gè)外層電子,引起進(jìn)一步電離 ,從而發(fā)射一個(gè)具有特征能量的俄歇電子。檢測(cè)俄歇電子的能量和強(qiáng)度,可以獲得有關(guān)表層化學(xué)成分的定性和定量信息。

對(duì)于一個(gè)原子來(lái)說(shuō),激發(fā)態(tài)原子在釋放能量時(shí)只能進(jìn)行一種發(fā)射：特征X射線(xiàn)或俄歇電子。原子序數(shù)大的元素，特征X射線(xiàn)的發(fā)射幾率較大，原子序數(shù)小的元素，俄歇電子發(fā)射幾率較大，當(dāng)原子序數(shù)為33時(shí)，兩種發(fā)射幾率大致相等。因此，俄歇電子能譜適用于輕元素的分析。

如果電子束將某原子K層電子激發(fā)為自由電子，L層電子躍遷到K層，釋放的能量又將L層的另一個(gè)電子激發(fā)為俄歇電子，這個(gè)俄歇電子就稱(chēng)為KLL俄歇電子。同樣，LMM俄歇電子是L層電子被激發(fā)，M層電子填充到L層，釋放的能量又使另一個(gè)M層電子激發(fā)所形成的俄歇電子。

俄歇電子能量

俄歇電子能譜儀（AES）的應(yīng)用

• 表面清潔

• 表面吸附和反應(yīng)

• 表面擴(kuò)散

• 薄膜厚度

• 界面擴(kuò)散和結(jié)構(gòu)

• 表面偏析

• 摩擦潤(rùn)滑

• 失效分析

• 電子材料

• 核材料

• 催化劑

• 納米材料研究

制樣要求

1.樣品最好導(dǎo)電；

2.表面小于5mmX5mm，高度小于2mm；

3.請(qǐng)注明樣品是否具有導(dǎo)電性; 請(qǐng)注明所要測(cè)試的高分辨元素；

4.寄樣前請(qǐng)真空密封樣品，降低空氣中的污染物對(duì)表面測(cè)試的影響。

常見(jiàn)問(wèn)題