正裝法.背裝法.側(cè)裝法.頂裝法.噴霧干燥法.填料法.其他方法"/>

鑠思百檢測

DETECTION OF TECHNICAL SOUSEPAD

透射電子顯微鏡(TEM-EDS)掃描電子顯微鏡(FESEM-EDS)球差電鏡激光共聚焦顯微鏡(LSCM)原子力顯微鏡(AFM)電子探針儀(EPMA)金相顯微鏡電子背散射衍射儀(EBSD)臺階儀,膜厚儀,探針接觸式輪廓儀,3D輪廓儀工業(yè)CT白光干涉儀(非接觸式3D表面輪廓儀)電鏡測試FIB制樣離子減薄制樣冷凍超薄切片制樣樹脂包埋制樣(生物制樣)液氮脆斷制樣金網(wǎng)鉬網(wǎng)銅網(wǎng)超薄碳膜微柵制樣電鏡制樣X射線光電子能譜分析儀(XPS)紫外光電子能譜(UPS)俄歇電子能譜(AES)X射線衍射儀(XRD)X射線散射儀SAXS/WAXSX射線殘余應(yīng)力分析儀X射線熒光光譜分析儀(XRF)電感耦合等離子體光譜儀(ICP-OES)紫外可見反射儀(DRS)拉曼光譜(RAMAN)紫外-可見分光光度計(UV)圓二色譜(CD)傅里葉變換紅外光譜分析儀(FTIR)吡啶紅外(DRIFTS)單晶衍射儀穆斯堡爾光譜儀穩(wěn)態(tài)瞬態(tài)熒光光譜分析儀(PL)原子吸收分光光度計原子熒光光度計(AFS)三維熒光 /熒光分光光度計紅外熱成像儀霧度儀旋光儀橢偏儀光譜測試電感耦合等離子體質(zhì)譜儀(ICP-MS)電噴霧離子化質(zhì)譜儀(ESI-MS)頂空-固相微萃取氣質(zhì)聯(lián)用儀(HS -SPME -GC -MS)二次離子質(zhì)譜(SIMS)基質(zhì)輔助激光解吸電離飛行時間質(zhì)譜儀(MALDI-TOF)裂解氣質(zhì)聯(lián)用儀(PY-GC-MS)氣質(zhì)聯(lián)用儀(GC-MS)同位素質(zhì)譜儀液質(zhì)聯(lián)用儀(LC-MS)質(zhì)譜測試差示掃描量熱儀(DSC)熱重分析儀(TGA)熱分析聯(lián)用儀(DSC-TGA)靜態(tài)/動態(tài)熱機械分析儀(TMA/DMA)熱重紅外聯(lián)用儀(TG-IR)熱重紅外質(zhì)譜聯(lián)用儀(TG-IR-MS)熱重紅外氣相質(zhì)譜聯(lián)用(TG-IR-GC-MS)紅外熱成像儀激光導(dǎo)熱儀錐形量熱儀(CONE)熱譜測試電子順磁共振波譜儀(EPR、ESR)固體核磁共振儀(NMR)液體核磁共振儀(NMR)微波網(wǎng)絡(luò)矢量分析儀/矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀核磁順磁波譜測試比表面及孔徑分析儀(BET)表面張力儀(界面張力儀)高壓吸附儀化學(xué)吸附儀(TPD TPR)接觸角測量儀納米壓痕儀壓汞儀(MIP)表界面物性測試氣相色譜儀(GC)高效液相色譜儀(HPLC)離子色譜儀(IC)凝膠色譜儀(GPC)液相色譜(LC)色譜測試電導(dǎo)率儀電化學(xué)工作站腐蝕測試儀介電常數(shù)測定儀卡爾費休水分測定儀自動電位滴定儀電化學(xué)儀器測試Zeta電位儀工業(yè)分析激光粒度儀流變儀密度測定儀納米粒度儀邵氏 維氏 洛氏硬度計有機鹵素分析儀(F,Cl,Br,I,At,Ts)有機元素分析儀(EA)粘度計振動樣品磁強計(VSM)土壤分析測試植物分析測試其他測試同步輻射GIWAXS GISAXS同步輻射XRD,PDF,SAXS同步輻射吸收譜-高能機時同步輻射吸收譜之軟X射線同步輻射吸收譜之硬X射線同步輻射聚焦離子束掃描電鏡(FIB-SEM)礦物定量分析系統(tǒng)MLA球差校正透射電子顯微鏡高端電鏡類原位XPS測試原位EBSD(in situ -EBSD)原位紅外原位掃描電子顯微鏡(in-situ-SEM)原位透射電子顯微鏡高端原位測試飛行時間二次離子質(zhì)譜儀(TOF-SIMS)輝光放電光譜(GD-OES MS)三維原子探針(APT)高端質(zhì)譜類Micro/Nano /工業(yè)CT飛秒瞬態(tài)吸收光譜儀(fs-TAS)掃描隧道顯微鏡深能級瞬態(tài)譜儀正電子湮滅壽命譜儀其他XPS數(shù)據(jù)分析XRD全巖黏土分析表面成分分析技術(shù)-XPS測試分析常規(guī)XRD數(shù)據(jù)分析成分指紋分析技術(shù)-紅外測試分析二維紅外光譜技術(shù)紅外(IR)數(shù)據(jù)分析拉曼數(shù)據(jù)分析三維熒光數(shù)據(jù)分析圓二色譜(CD)數(shù)據(jù)分析成分含量分析EPR/ESR數(shù)據(jù)分析VSM數(shù)據(jù)分析電化學(xué)數(shù)據(jù)分析矢量網(wǎng)絡(luò)數(shù)據(jù)分析電磁分析CT數(shù)據(jù)分析X射線吸收精細(xì)結(jié)構(gòu)普(XAFS)數(shù)據(jù)分析穆斯堡爾譜數(shù)據(jù)分析小角散射(SAXS/WAXS)數(shù)據(jù)分析高端測試分析固體核磁數(shù)據(jù)分析液體核磁(NMR)測試+分析一體化液體核磁(NMR)數(shù)據(jù)分析化學(xué)結(jié)構(gòu)分析EBSD數(shù)據(jù)分析TEM數(shù)據(jù)分析單晶XRD數(shù)據(jù)分析晶體結(jié)構(gòu)確證技術(shù)-XRD精修XRD定性定量分析晶體結(jié)構(gòu)分析BET數(shù)據(jù)分析其它數(shù)據(jù)分析需求熱分析數(shù)據(jù)處理數(shù)據(jù)分析作圖其他數(shù)據(jù)分析半導(dǎo)體激光器模擬發(fā)光二極管仿真光電探測器仿真太陽能電池仿真半導(dǎo)體器件仿真表面能差分密度磁矩單原子催化電荷密度電解水制氫反應(yīng)(HER)費米面(fermi surface)電子局域化函數(shù)(electron localization function)第一性原理分子模擬量子化學(xué)相分析有限元模擬常規(guī)理化-水樣常規(guī)理化-土樣/沉積物常規(guī)理化-氣體常規(guī)理化-植物/蔬果/農(nóng)作物常規(guī)理化-食品常規(guī)理化-肥料/飼料常規(guī)理化-巖礦常規(guī)理化-垃圾常規(guī)理化-職業(yè)衛(wèi)生常規(guī)理化-其它常規(guī)理化項目纖維素、半纖維素、木質(zhì)素含量bcr形態(tài)順序提取/tessier五步提取法土壤水體抗生素微塑料微生物磷脂脂肪酸(PLFA)非標(biāo)理化-其它非標(biāo)理化項目穩(wěn)定同位素放射性同位素同位素-其它金屬同位素同位素多糖的單糖組成測定可溶性寡糖定量土壤氨基糖多糖全套分析多糖甲基化植物糖化學(xué)-常規(guī)指標(biāo)糖化學(xué)液質(zhì)聯(lián)用LCMS高效液相色譜HPLC氣相色譜GC氣質(zhì)聯(lián)用GCMS全二維氣質(zhì)GC×GC-MS氣相色譜-離子遷移譜聯(lián)用儀(GC-IMS)液相色譜-原子熒光聯(lián)用(LC-AFS)制備型HPLC色譜質(zhì)譜數(shù)據(jù)分析液相色譜-電感耦合等離子體質(zhì)譜(LC-ICPMS)色譜質(zhì)譜DOM(FT- ICR- MS)水質(zhì)NOM(LC-OCD-OND)DOM(FT-ICR-MS)數(shù)據(jù)分析環(huán)境高端電池產(chǎn)品整體解決方案正極顆粒表面微觀形貌正極顆粒物截面形貌與元素三元正極顆粒循環(huán)前后晶界裂紋正極顆粒摻雜元素分布正極顆粒截面元素分布和晶格表征正極極片原位晶相分析正極極片截面元素分布和晶格表征正極表面CEI膜測試方法XPS正極極片截面微觀形貌觀察和元素分布正極極片CEI膜成分分析與厚度測定正極極片介電常數(shù)正極極片浸潤性正極極片包覆層觀察正極極片雜質(zhì)含量測定正極極片氧空位測定負(fù)極顆粒表面微觀形貌觀察和元素分布負(fù)極顆粒截面微觀形貌觀察和元素分布石墨類型判定負(fù)極顆粒粒徑分析負(fù)極極片孔洞分析負(fù)極顆粒包覆層觀察負(fù)極顆粒羥基含量測定負(fù)極極片包覆層觀察負(fù)極表面SEI膜分析XPS法負(fù)極極片SEI膜成分分析與厚度測定負(fù)極極片截面微觀形貌觀察和元素分布負(fù)極極片石墨碳和無定型碳比例隔膜表面微觀形貌觀察隔膜循環(huán)前后孔徑變化質(zhì)子交換膜形貌(厚度)觀察 CP+SEM質(zhì)子交換膜雜質(zhì)元素電池循環(huán)后鼓包氣電池循環(huán)后爆炸氣鋰電池極片和集流體間的粘結(jié)強度三元正極材料NCM比例燃料電池-整體解決方案電池產(chǎn)品-隔膜電池產(chǎn)品-優(yōu)勢項目正極材料-PH值正極材料-比表面積正極材料-磁性異物正極材料-化學(xué)成分正極材料-晶體結(jié)構(gòu)正極材料-粒徑分布正極材料-首次放電比容量及首次庫倫效率正極材料-水分含量正極材料-松裝密度正極材料-未知物分析正極材料-形貌,厚度與結(jié)構(gòu)正極材料-壓實密度正極材料-振實密度電池產(chǎn)品-正極材料負(fù)極材料-PH值負(fù)極材料-比表面積負(fù)極材料-層間距 石墨化度負(fù)極材料成分分析負(fù)極材料-磁性異物負(fù)極材料-粉末壓實密度負(fù)極材料-固定碳含量負(fù)極材料-化學(xué)成分負(fù)極材料-粒徑分布負(fù)極材料-石墨鑒定負(fù)極材料-水分負(fù)極材料-限用物質(zhì)含量負(fù)極材料-形貌與結(jié)構(gòu)負(fù)極材料-陰離子的測定負(fù)極材料-有機物含量負(fù)極材料-真密度負(fù)極材料-振實密度負(fù)極顆粒-石墨取向性(OI值)首次放電比容量及首次庫倫效率電池產(chǎn)品-負(fù)極材料電解液-電導(dǎo)率電解液-化學(xué)元素含量電解液-密度電解液-水分含量電解液-未知物分析電解液-游離酸(HF含量)電池產(chǎn)品-電解液電池產(chǎn)品-隔膜電池產(chǎn)品-隔膜
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xrd粉末測試樣品的制樣方法

 二維碼
發(fā)表時間:2022-08-10 15:22作者:鑠思百檢測
常見的制樣方法
XRD的粉末樣品制樣有多種方法,很多文獻及參考資料上都可以查到。今天就簡單說一下
  • 正裝法

  • 背裝法

  • 側(cè)裝法

  • 頂裝法

  • 噴霧干燥法

  • 填料法

  • 其他方法

其中,正裝法和背裝法最常見,其制樣的詳細(xì)過程如圖9和圖10所示。
▲圖9:正裝法制樣過程
▲圖10:背裝法制樣過程
XRD粉末樣品,制備過程中,為了盡可能減小樣品造成的測量誤差,得到最優(yōu)的測試結(jié)果,最好能做到以下幾點:

多種物相混合均勻,使樣品有代表性

樣品表面平整,滿足BB聚焦圓幾何

樣品足夠細(xì),有足夠多的顆粒被X光照射到

樣品的厚度滿足粉末衍射的要求(相對無限厚),衍射強度準(zhǔn)確

選擇合適的制樣方法,盡量減小或避免擇優(yōu)取向

對于X光吸收系數(shù)很低的材料,薄的樣品可以得到更準(zhǔn)確的峰位

樣品旋轉(zhuǎn)可以增加粉末樣品的統(tǒng)計性。


粉末樣品制備常見的問題

一、顆粒尺寸效應(yīng)

1)樣品顆粒比較大,衍射強度不成比例(強度或高或低,顆粒效應(yīng)),無統(tǒng)計性(如表1所示:(石英(113)反射的典型強度重現(xiàn)性,光源CuKa):

表1:石英顆粒大小的不同對強度波動的影響

2)樣品混合不均勻,無法代表真實情況:顆粒聚集,分散,物相不均勻

▲圖3:顆粒尺寸效應(yīng)
3)顆粒尺寸過大,將會造成相對強度不準(zhǔn)確,導(dǎo)致定性分析、定量分析以及結(jié)構(gòu)精修都會產(chǎn)生巨大誤差,這時可以通過手工或機器研磨來減小顆粒尺寸,如下圖:
▲圖4:手工研缽研磨

4)需要注意的是,適量研磨即可,如果過度研磨,將會破壞晶體結(jié)構(gòu),造成衍射峰加寬、重疊,給定性、晶粒尺寸、定量以及結(jié)構(gòu)精修帶來誤差。

2.樣品高度誤差

1)粉末衍射要求樣品表面與聚焦圓相切,如果不滿足,即存在高度誤差,如圖5所示:

▲圖5:樣品高度誤差
2)若存在高度誤差,將會導(dǎo)致峰位變化和峰形的不對稱展寬(如圖6所示),對后續(xù)的數(shù)據(jù)分析帶來誤差,該誤差通常為BB幾何中最大的誤差來源:
  • 定性相分析

  • 定量相分析

  • 指標(biāo)化

圖6:石英試樣位移0.2-1.2mm 對峰位的影響

3.擇優(yōu)取向

1)擇優(yōu)取向會造成德拜環(huán)的不連續(xù)
7:織構(gòu)造成德拜環(huán)不連續(xù)(左圖:理想粉末;右圖:織構(gòu)粉末)
2)擇優(yōu)取向會造成測試強度不準(zhǔn)確,如圖8中(001)衍射峰存在明顯的擇優(yōu)取向,造成測試強度異常增高
▲圖8:(001)衍射峰存在明顯的擇優(yōu)取向
3)克服擇優(yōu)取向沒有通用的方法,根據(jù)實際情況可以采用以下幾種:
  • 使樣品粉末盡可能的細(xì),裝樣時用篩子篩入,先用小抹刀刀口剁實并盡可能輕壓;

  • 把樣品粉末篩落在傾斜放置的粘有膠的平面上通常也能減少擇優(yōu)取向,但是得到的樣品表面較粗糙;

  • 通過加入各向同性物質(zhì)(如 MgO,CaF2等)與樣品混合均勻,混入物還能起到內(nèi)標(biāo)的作用;

  • 為降低擇優(yōu)取向,可在玻璃與試樣板間放一塊平整的高標(biāo)號金相砂紙。砂紙表面存在幅度很小的凹凸,落入凹陷處的試樣顆粒不易在壓制時改變方向,從而減少了擇優(yōu)取向;

  • 但是,對于一些具有明顯各向異性的晶體樣品,采用上述方法仍不可避免一定程度的擇優(yōu)取向;

  • 反射法通常只能減弱擇優(yōu)取向,消除擇優(yōu)取向需要采用透射法。

    4.樣品透明效應(yīng)

1)混合樣品中由于各相吸收系數(shù)差別較大,會造成微吸收效應(yīng),也叫做樣品透明效應(yīng)。

2)對X射線吸收較弱的材料,比如有機物,主要由輕元素組成,X射線進入樣品深度較深,導(dǎo)致樣品透明誤差增大:峰位偏低,峰形不對稱增加。

3)樣品透明誤差等效于位移誤差。

4)樣品透明效應(yīng)改進方法:薄的樣品可以得到更準(zhǔn)確的峰位

文章分類: 科研設(shè)備
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