鑠思百檢測(cè)

DETECTION OF TECHNICAL SOUSEPAD

透射電子顯微鏡(TEM-EDS)掃描電子顯微鏡(FESEM-EDS)球差電鏡激光共聚焦顯微鏡(LSCM)原子力顯微鏡(AFM)電子探針儀(EPMA)金相顯微鏡電子背散射衍射儀(EBSD)臺(tái)階儀,膜厚儀,探針接觸式輪廓儀,3D輪廓儀工業(yè)CT白光干涉儀(非接觸式3D表面輪廓儀)電鏡測(cè)試FIB制樣離子減薄制樣冷凍超薄切片制樣樹(shù)脂包埋制樣(生物制樣)液氮脆斷制樣金網(wǎng)鉬網(wǎng)銅網(wǎng)超薄碳膜微柵制樣電鏡制樣X射線光電子能譜分析儀(XPS)紫外光電子能譜(UPS)俄歇電子能譜(AES)X射線衍射儀(XRD)X射線散射儀SAXS/WAXSX射線殘余應(yīng)力分析儀X射線熒光光譜分析儀(XRF)電感耦合等離子體光譜儀(ICP-OES)紫外可見(jiàn)反射儀(DRS)拉曼光譜(RAMAN)紫外-可見(jiàn)分光光度計(jì)(UV)圓二色譜(CD)傅里葉變換紅外光譜分析儀(FTIR)吡啶紅外(DRIFTS)單晶衍射儀穆斯堡爾光譜儀穩(wěn)態(tài)瞬態(tài)熒光光譜分析儀(PL)原子吸收分光光度計(jì)原子熒光光度計(jì)(AFS)三維熒光 /熒光分光光度計(jì)紅外熱成像儀霧度儀旋光儀橢偏儀光譜測(cè)試電感耦合等離子體質(zhì)譜儀(ICP-MS)電噴霧離子化質(zhì)譜儀(ESI-MS)頂空-固相微萃取氣質(zhì)聯(lián)用儀(HS -SPME -GC -MS)二次離子質(zhì)譜(SIMS)基質(zhì)輔助激光解吸電離飛行時(shí)間質(zhì)譜儀(MALDI-TOF)裂解氣質(zhì)聯(lián)用儀(PY-GC-MS)氣質(zhì)聯(lián)用儀(GC-MS)同位素質(zhì)譜儀液質(zhì)聯(lián)用儀(LC-MS)質(zhì)譜測(cè)試差示掃描量熱儀(DSC)熱重分析儀(TGA)熱分析聯(lián)用儀(DSC-TGA)靜態(tài)/動(dòng)態(tài)熱機(jī)械分析儀(TMA/DMA)熱重紅外聯(lián)用儀(TG-IR)熱重紅外質(zhì)譜聯(lián)用儀(TG-IR-MS)熱重紅外氣相質(zhì)譜聯(lián)用(TG-IR-GC-MS)紅外熱成像儀激光導(dǎo)熱儀錐形量熱儀(CONE)熱譜測(cè)試電子順磁共振波譜儀(EPR、ESR)固體核磁共振儀(NMR)液體核磁共振儀(NMR)微波網(wǎng)絡(luò)矢量分析儀/矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀核磁順磁波譜測(cè)試比表面及孔徑分析儀(BET)表面張力儀(界面張力儀)高壓吸附儀化學(xué)吸附儀(TPD TPR)接觸角測(cè)量?jī)x納米壓痕儀壓汞儀(MIP)表界面物性測(cè)試氣相色譜儀(GC)高效液相色譜儀(HPLC)離子色譜儀(IC)凝膠色譜儀(GPC)液相色譜(LC)色譜測(cè)試電導(dǎo)率儀電化學(xué)工作站腐蝕測(cè)試儀介電常數(shù)測(cè)定儀卡爾費(fèi)休水分測(cè)定儀自動(dòng)電位滴定儀電化學(xué)儀器測(cè)試Zeta電位儀工業(yè)分析激光粒度儀流變儀密度測(cè)定儀納米粒度儀邵氏 維氏 洛氏硬度計(jì)有機(jī)鹵素分析儀(F,Cl,Br,I,At,Ts)有機(jī)元素分析儀(EA)粘度計(jì)振動(dòng)樣品磁強(qiáng)計(jì)(VSM)土壤分析測(cè)試植物分析測(cè)試其他測(cè)試同步輻射GIWAXS GISAXS同步輻射XRD,PDF,SAXS同步輻射吸收譜-高能機(jī)時(shí)同步輻射吸收譜之軟X射線同步輻射吸收譜之硬X射線同步輻射聚焦離子束掃描電鏡(FIB-SEM)礦物定量分析系統(tǒng)MLA球差校正透射電子顯微鏡高端電鏡類(lèi)原位XPS測(cè)試原位EBSD(in situ -EBSD)原位紅外原位掃描電子顯微鏡(in-situ-SEM)原位透射電子顯微鏡高端原位測(cè)試飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜儀(TOF-SIMS)輝光放電光譜(GD-OES MS)三維原子探針(APT)高端質(zhì)譜類(lèi)Micro/Nano /工業(yè)CT飛秒瞬態(tài)吸收光譜儀(fs-TAS)掃描隧道顯微鏡深能級(jí)瞬態(tài)譜儀正電子湮滅壽命譜儀其他XPS數(shù)據(jù)分析XRD全巖黏土分析表面成分分析技術(shù)-XPS測(cè)試分析常規(guī)XRD數(shù)據(jù)分析成分指紋分析技術(shù)-紅外測(cè)試分析二維紅外光譜技術(shù)紅外(IR)數(shù)據(jù)分析拉曼數(shù)據(jù)分析三維熒光數(shù)據(jù)分析圓二色譜(CD)數(shù)據(jù)分析成分含量分析EPR/ESR數(shù)據(jù)分析VSM數(shù)據(jù)分析電化學(xué)數(shù)據(jù)分析矢量網(wǎng)絡(luò)數(shù)據(jù)分析電磁分析CT數(shù)據(jù)分析X射線吸收精細(xì)結(jié)構(gòu)普(XAFS)數(shù)據(jù)分析穆斯堡爾譜數(shù)據(jù)分析小角散射(SAXS/WAXS)數(shù)據(jù)分析高端測(cè)試分析固體核磁數(shù)據(jù)分析液體核磁(NMR)測(cè)試+分析一體化液體核磁(NMR)數(shù)據(jù)分析化學(xué)結(jié)構(gòu)分析EBSD數(shù)據(jù)分析TEM數(shù)據(jù)分析單晶XRD數(shù)據(jù)分析晶體結(jié)構(gòu)確證技術(shù)-XRD精修XRD定性定量分析晶體結(jié)構(gòu)分析BET數(shù)據(jù)分析其它數(shù)據(jù)分析需求熱分析數(shù)據(jù)處理數(shù)據(jù)分析作圖其他數(shù)據(jù)分析半導(dǎo)體激光器模擬發(fā)光二極管仿真光電探測(cè)器仿真太陽(yáng)能電池仿真半導(dǎo)體器件仿真表面能差分密度磁矩單原子催化電荷密度電解水制氫反應(yīng)(HER)費(fèi)米面(fermi surface)電子局域化函數(shù)(electron localization function)第一性原理分子模擬量子化學(xué)相分析有限元模擬常規(guī)理化-水樣常規(guī)理化-土樣/沉積物常規(guī)理化-氣體常規(guī)理化-植物/蔬果/農(nóng)作物常規(guī)理化-食品常規(guī)理化-肥料/飼料常規(guī)理化-巖礦常規(guī)理化-垃圾常規(guī)理化-職業(yè)衛(wèi)生常規(guī)理化-其它常規(guī)理化項(xiàng)目纖維素、半纖維素、木質(zhì)素含量bcr形態(tài)順序提取/tessier五步提取法土壤水體抗生素微塑料微生物磷脂脂肪酸(PLFA)非標(biāo)理化-其它非標(biāo)理化項(xiàng)目穩(wěn)定同位素放射性同位素同位素-其它金屬同位素同位素多糖的單糖組成測(cè)定可溶性寡糖定量土壤氨基糖多糖全套分析多糖甲基化植物糖化學(xué)-常規(guī)指標(biāo)糖化學(xué)液質(zhì)聯(lián)用LCMS高效液相色譜HPLC氣相色譜GC氣質(zhì)聯(lián)用GCMS全二維氣質(zhì)GC×GC-MS氣相色譜-離子遷移譜聯(lián)用儀(GC-IMS)液相色譜-原子熒光聯(lián)用(LC-AFS)制備型HPLC色譜質(zhì)譜數(shù)據(jù)分析液相色譜-電感耦合等離子體質(zhì)譜(LC-ICPMS)色譜質(zhì)譜DOM(FT- ICR- MS)水質(zhì)NOM(LC-OCD-OND)DOM(FT-ICR-MS)數(shù)據(jù)分析環(huán)境高端電池產(chǎn)品整體解決方案正極顆粒表面微觀形貌正極顆粒物截面形貌與元素三元正極顆粒循環(huán)前后晶界裂紋正極顆粒摻雜元素分布正極顆粒截面元素分布和晶格表征正極極片原位晶相分析正極極片截面元素分布和晶格表征正極表面CEI膜測(cè)試方法XPS正極極片截面微觀形貌觀察和元素分布正極極片CEI膜成分分析與厚度測(cè)定正極極片介電常數(shù)正極極片浸潤(rùn)性正極極片包覆層觀察正極極片雜質(zhì)含量測(cè)定正極極片氧空位測(cè)定負(fù)極顆粒表面微觀形貌觀察和元素分布負(fù)極顆粒截面微觀形貌觀察和元素分布石墨類(lèi)型判定負(fù)極顆粒粒徑分析負(fù)極極片孔洞分析負(fù)極顆粒包覆層觀察負(fù)極顆粒羥基含量測(cè)定負(fù)極極片包覆層觀察負(fù)極表面SEI膜分析XPS法負(fù)極極片SEI膜成分分析與厚度測(cè)定負(fù)極極片截面微觀形貌觀察和元素分布負(fù)極極片石墨碳和無(wú)定型碳比例隔膜表面微觀形貌觀察隔膜循環(huán)前后孔徑變化質(zhì)子交換膜形貌(厚度)觀察 CP+SEM質(zhì)子交換膜雜質(zhì)元素電池循環(huán)后鼓包氣電池循環(huán)后爆炸氣鋰電池極片和集流體間的粘結(jié)強(qiáng)度三元正極材料NCM比例燃料電池-整體解決方案電池產(chǎn)品-隔膜電池產(chǎn)品-優(yōu)勢(shì)項(xiàng)目正極材料-PH值正極材料-比表面積正極材料-磁性異物正極材料-化學(xué)成分正極材料-晶體結(jié)構(gòu)正極材料-粒徑分布正極材料-首次放電比容量及首次庫(kù)倫效率正極材料-水分含量正極材料-松裝密度正極材料-未知物分析正極材料-形貌,厚度與結(jié)構(gòu)正極材料-壓實(shí)密度正極材料-振實(shí)密度電池產(chǎn)品-正極材料負(fù)極材料-PH值負(fù)極材料-比表面積負(fù)極材料-層間距 石墨化度負(fù)極材料成分分析負(fù)極材料-磁性異物負(fù)極材料-粉末壓實(shí)密度負(fù)極材料-固定碳含量負(fù)極材料-化學(xué)成分負(fù)極材料-粒徑分布負(fù)極材料-石墨鑒定負(fù)極材料-水分負(fù)極材料-限用物質(zhì)含量負(fù)極材料-形貌與結(jié)構(gòu)負(fù)極材料-陰離子的測(cè)定負(fù)極材料-有機(jī)物含量負(fù)極材料-真密度負(fù)極材料-振實(shí)密度負(fù)極顆粒-石墨取向性(OI值)首次放電比容量及首次庫(kù)倫效率電池產(chǎn)品-負(fù)極材料電解液-電導(dǎo)率電解液-化學(xué)元素含量電解液-密度電解液-水分含量電解液-未知物分析電解液-游離酸(HF含量)電池產(chǎn)品-電解液電池產(chǎn)品-隔膜電池產(chǎn)品-隔膜
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SIMS-TOF測(cè)試-鑠思百檢測(cè)

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發(fā)表時(shí)間:2025-06-17 10:11作者:鑠思百檢測(cè)來(lái)源:鑠思百檢測(cè)

SIMS-TOF 測(cè)試 - 鑠思百檢測(cè)專(zhuān)業(yè)服務(wù)

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在材料表面與微區(qū)成分分析領(lǐng)域,二次離子質(zhì)譜 - 飛行時(shí)間(SIMS-TOF)技術(shù)以其獨(dú)特的分析能力占據(jù)重要地位。鑠思百檢測(cè)憑借專(zhuān)業(yè)的技術(shù)團(tuán)隊(duì)和先進(jìn)的設(shè)備,為廣大科研工作者與企業(yè)提供精準(zhǔn)、高效的 SIMS-TOF 測(cè)試服務(wù),助力材料分析與研究邁向新高度。

一、SIMS-TOF 測(cè)試原理深度解析

SIMS-TOF 測(cè)試基于二次離子質(zhì)譜原理。當(dāng)高能離子束(如 O?、Cs?等)轟擊樣品表面時(shí),會(huì)使樣品表面的原子、分子獲得足夠能量而脫離表面,產(chǎn)生二次離子。這些二次離子在電場(chǎng)作用下加速并進(jìn)入飛行時(shí)間(TOF)質(zhì)量分析器。在飛行時(shí)間質(zhì)量分析器中,離子根據(jù)自身質(zhì)荷比(m/z)的不同,以不同的速度飛行,經(jīng)過(guò)一段固定長(zhǎng)度的飛行管道后,不同質(zhì)荷比的離子先后到達(dá)檢測(cè)器。通過(guò)測(cè)量離子從離子源到達(dá)檢測(cè)器的飛行時(shí)間,結(jié)合離子的加速電壓等參數(shù),就可以精確計(jì)算出離子的質(zhì)荷比,從而確定樣品表面及不同深度處的元素組成和分子結(jié)構(gòu)信息。通過(guò)對(duì)樣品進(jìn)行逐層剝蝕與分析,還能實(shí)現(xiàn)元素的深度剖析,獲取樣品元素分布的三維信息。

二、SIMS-TOF 測(cè)試的核心技術(shù)優(yōu)勢(shì)

(一)超高靈敏度

SIMS-TOF 測(cè)試能夠檢測(cè)到樣品中極低含量的元素,檢測(cè)限可低至 ppm 甚至 ppb 級(jí)別 ,對(duì)于痕量元素和雜質(zhì)的分析具有顯著優(yōu)勢(shì),能夠準(zhǔn)確捕捉到樣品中極微量的成分變化,為材料的純度檢測(cè)和微量摻雜元素研究提供有力支持。

(二)微區(qū)與表面分析能力

可對(duì)樣品表面及微區(qū)進(jìn)行高空間分辨率分析,橫向分辨率可達(dá)亞微米級(jí)別。這使得它能夠精確分析樣品表面的成分分布、微區(qū)的元素組成差異,對(duì)于研究材料表面的涂層、薄膜、界面處的元素?cái)U(kuò)散和分布情況具有獨(dú)特優(yōu)勢(shì)。

(三)多元素與分子分析

不僅能夠分析各類(lèi)元素,還可用于有機(jī)分子的檢測(cè),實(shí)現(xiàn)對(duì)樣品從無(wú)機(jī)元素到有機(jī)分子的全面成分分析。通過(guò)對(duì)不同質(zhì)荷比離子信號(hào)的分析,可同時(shí)獲取多種元素和分子的信息,滿足復(fù)雜樣品體系的分析需求。

(四)深度剖析功能

通過(guò)控制離子束的轟擊時(shí)間和能量,能夠?qū)悠愤M(jìn)行逐層剝蝕,實(shí)現(xiàn)元素的深度剖析。從樣品表面到內(nèi)部不同深度,清晰呈現(xiàn)元素濃度的變化趨勢(shì),為研究材料的元素?cái)U(kuò)散、表面改性層深度等提供關(guān)鍵數(shù)據(jù)。

三、鑠思百檢測(cè)的 SIMS-TOF 測(cè)試服務(wù)亮點(diǎn)

(一)頂尖儀器設(shè)備

鑠思百檢測(cè)配備國(guó)際先進(jìn)的 SIMS-TOF 儀器,該儀器具有高靈敏度的離子源和高精度的飛行時(shí)間質(zhì)量分析器。離子源能夠穩(wěn)定產(chǎn)生高能離子束,確保對(duì)樣品表面的有效轟擊和二次離子的穩(wěn)定產(chǎn)生;飛行時(shí)間質(zhì)量分析器具備極快的檢測(cè)速度和超高的質(zhì)量分辨率,能夠在短時(shí)間內(nèi)準(zhǔn)確區(qū)分質(zhì)荷比相近的離子,獲得高質(zhì)量的質(zhì)譜數(shù)據(jù),即使對(duì)于復(fù)雜樣品體系,也能清晰呈現(xiàn)各成分信息。

(二)專(zhuān)業(yè)精英團(tuán)隊(duì)

我們的技術(shù)團(tuán)隊(duì)由具有豐富 SIMS-TOF 測(cè)試經(jīng)驗(yàn)的專(zhuān)業(yè)人員組成,成員涵蓋材料科學(xué)、分析化學(xué)、物理學(xué)等多學(xué)科領(lǐng)域。團(tuán)隊(duì)成員不僅熟練掌握儀器的操作與維護(hù),還具備深厚的數(shù)據(jù)分析和解讀能力。從樣品的預(yù)處理、測(cè)試條件的精細(xì)優(yōu)化,到復(fù)雜質(zhì)譜數(shù)據(jù)的深度解析,都能為客戶提供專(zhuān)業(yè)、全面的技術(shù)支持。根據(jù)客戶的研究目的和樣品特性,量身定制個(gè)性化的測(cè)試方案,確保測(cè)試結(jié)果準(zhǔn)確反映樣品的實(shí)際情況。

(三)全流程優(yōu)質(zhì)服務(wù)體系

  1. 樣品咨詢與接收:鑠思百檢測(cè)為客戶提供專(zhuān)業(yè)細(xì)致的樣品咨詢服務(wù),詳細(xì)了解樣品的來(lái)源、性質(zhì)和測(cè)試需求,評(píng)估樣品是否適合進(jìn)行 SIMS-TOF 測(cè)試,并給予專(zhuān)業(yè)的樣品制備建議。對(duì)于符合測(cè)試要求的樣品,及時(shí)接收并妥善保管,做好樣品登記工作。

  1. 測(cè)試方案精準(zhǔn)制定:依據(jù)樣品的特性和客戶的具體需求,技術(shù)團(tuán)隊(duì)制定科學(xué)合理的測(cè)試方案。包括選擇合適的離子源類(lèi)型、優(yōu)化離子束能量和束流強(qiáng)度、確定分析區(qū)域和深度剖析參數(shù)等關(guān)鍵測(cè)試條件,確保測(cè)試能夠獲取最準(zhǔn)確、最全面的樣品信息。

  1. 嚴(yán)謹(jǐn)測(cè)試過(guò)程執(zhí)行:在嚴(yán)格控制的實(shí)驗(yàn)環(huán)境下,按照既定測(cè)試方案進(jìn)行 SIMS-TOF 測(cè)試。技術(shù)人員全程密切監(jiān)控儀器運(yùn)行狀態(tài)和測(cè)試過(guò)程,實(shí)時(shí)調(diào)整測(cè)試參數(shù),確保測(cè)試的穩(wěn)定性和數(shù)據(jù)的可靠性。對(duì)測(cè)試過(guò)程中出現(xiàn)的任何異常情況,能夠迅速做出反應(yīng)并妥善處理。

  1. 深度數(shù)據(jù)處理與分析:運(yùn)用專(zhuān)業(yè)的數(shù)據(jù)處理軟件和算法,對(duì)原始質(zhì)譜數(shù)據(jù)進(jìn)行細(xì)致處理。包括背景扣除、峰識(shí)別與校準(zhǔn)、定量分析等操作,提取元素含量、濃度分布曲線、分子結(jié)構(gòu)信息等關(guān)鍵數(shù)據(jù)。結(jié)合專(zhuān)業(yè)知識(shí)和豐富經(jīng)驗(yàn),對(duì)數(shù)據(jù)進(jìn)行深入解讀和分析,挖掘數(shù)據(jù)背后的科學(xué)意義,為客戶提供詳細(xì)的分析報(bào)告和專(zhuān)業(yè)的結(jié)果解讀。

  1. 完善報(bào)告出具與售后支持:為客戶出具詳細(xì)、規(guī)范的測(cè)試報(bào)告,報(bào)告內(nèi)容涵蓋樣品信息、測(cè)試方法、測(cè)試結(jié)果圖譜、數(shù)據(jù)分析結(jié)論等全面信息,確??蛻裟軌蚯逦?、準(zhǔn)確地了解測(cè)試結(jié)果。同時(shí),提供完善的售后支持服務(wù),隨時(shí)解答客戶在報(bào)告解讀、數(shù)據(jù)應(yīng)用過(guò)程中遇到的問(wèn)題,為客戶的科研和生產(chǎn)工作提供持續(xù)的幫助和支持。

四、SIMS-TOF 測(cè)試的多元應(yīng)用領(lǐng)域

(一)半導(dǎo)體與微電子領(lǐng)域

在半導(dǎo)體材料和芯片制造過(guò)程中,用于檢測(cè)半導(dǎo)體材料中的雜質(zhì)元素分布、摻雜濃度及其均勻性,分析芯片表面的涂層和薄膜成分,研究器件界面處的元素?cái)U(kuò)散行為等,為提高半導(dǎo)體器件的性能和可靠性提供關(guān)鍵數(shù)據(jù)支持,助力半導(dǎo)體工藝的優(yōu)化和創(chuàng)新。

(二)材料表面工程領(lǐng)域

對(duì)于材料表面的涂層、鍍層、薄膜等,可精確分析其成分、厚度以及與基體材料的元素?cái)U(kuò)散情況。評(píng)估表面改性處理(如離子注入、化學(xué)氣相沉積等)的效果,為材料表面性能的改善和表面工程技術(shù)的發(fā)展提供重要依據(jù)。

(三)地質(zhì)與礦物研究領(lǐng)域

用于分析地質(zhì)樣品中微量元素和同位素的分布,研究礦物的形成過(guò)程和演化歷史。通過(guò)對(duì)礦物表面和內(nèi)部元素分布的分析,揭示地質(zhì)作用過(guò)程中的元素遷移和富集規(guī)律,為地質(zhì)勘探和礦產(chǎn)資源開(kāi)發(fā)提供科學(xué)依據(jù)。

(四)生命科學(xué)與生物醫(yī)學(xué)領(lǐng)域

在生物材料研究中,分析生物材料表面的元素組成和分子結(jié)構(gòu),評(píng)估生物材料與生物體的相容性;在藥物研發(fā)方面,研究藥物在載體材料中的分布和釋放行為;還可用于細(xì)胞表面成分分析和生物組織微區(qū)元素研究,為生命科學(xué)和生物醫(yī)學(xué)研究提供新的分析手段和思路。

(五)考古與文物保護(hù)領(lǐng)域

對(duì)文物表面的元素和物質(zhì)組成進(jìn)行無(wú)損或微損分析,研究文物的制作工藝、材料來(lái)源以及腐蝕和老化機(jī)制。為文物的鑒定、保護(hù)和修復(fù)提供科學(xué)依據(jù),助力文化遺產(chǎn)的保護(hù)和傳承。
鑠思百檢測(cè)的 SIMS-TOF 測(cè)試服務(wù),憑借先進(jìn)的技術(shù)、專(zhuān)業(yè)的團(tuán)隊(duì)和優(yōu)質(zhì)的服務(wù),為各領(lǐng)域的材料分析與研究保駕護(hù)航。如果您有 SIMS-TOF 測(cè)試需求,歡迎隨時(shí)與我們聯(lián)系,我們將竭誠(chéng)為您服務(wù),為您的科研和生產(chǎn)工作提供強(qiáng)有力的支持!


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