鑠思百檢測(cè)

DETECTION OF TECHNICAL SOUSEPAD

透射電子顯微鏡(TEM-EDS)掃描電子顯微鏡(FESEM-EDS)球差電鏡激光共聚焦顯微鏡(LSCM)原子力顯微鏡(AFM)電子探針儀(EPMA)金相顯微鏡電子背散射衍射儀(EBSD)臺(tái)階儀,膜厚儀,探針接觸式輪廓儀,3D輪廓儀工業(yè)CT白光干涉儀(非接觸式3D表面輪廓儀)電鏡測(cè)試FIB制樣離子減薄制樣冷凍超薄切片制樣樹(shù)脂包埋制樣(生物制樣)液氮脆斷制樣金網(wǎng)鉬網(wǎng)銅網(wǎng)超薄碳膜微柵制樣電鏡制樣X射線(xiàn)光電子能譜分析儀(XPS)紫外光電子能譜(UPS)俄歇電子能譜(AES)X射線(xiàn)衍射儀(XRD)X射線(xiàn)散射儀SAXS/WAXSX射線(xiàn)殘余應(yīng)力分析儀X射線(xiàn)熒光光譜分析儀(XRF)電感耦合等離子體光譜儀(ICP-OES)紫外可見(jiàn)反射儀(DRS)拉曼光譜(RAMAN)紫外-可見(jiàn)分光光度計(jì)(UV)圓二色譜(CD)傅里葉變換紅外光譜分析儀(FTIR)吡啶紅外(DRIFTS)單晶衍射儀穆斯堡爾光譜儀穩(wěn)態(tài)瞬態(tài)熒光光譜分析儀(PL)原子吸收分光光度計(jì)原子熒光光度計(jì)(AFS)三維熒光 /熒光分光光度計(jì)紅外熱成像儀霧度儀旋光儀橢偏儀光譜測(cè)試電感耦合等離子體質(zhì)譜儀(ICP-MS)電噴霧離子化質(zhì)譜儀(ESI-MS)頂空-固相微萃取氣質(zhì)聯(lián)用儀(HS -SPME -GC -MS)二次離子質(zhì)譜(SIMS)基質(zhì)輔助激光解吸電離飛行時(shí)間質(zhì)譜儀(MALDI-TOF)裂解氣質(zhì)聯(lián)用儀(PY-GC-MS)氣質(zhì)聯(lián)用儀(GC-MS)同位素質(zhì)譜儀液質(zhì)聯(lián)用儀(LC-MS)質(zhì)譜測(cè)試差示掃描量熱儀(DSC)熱重分析儀(TGA)熱分析聯(lián)用儀(DSC-TGA)靜態(tài)/動(dòng)態(tài)熱機(jī)械分析儀(TMA/DMA)熱重紅外聯(lián)用儀(TG-IR)熱重紅外質(zhì)譜聯(lián)用儀(TG-IR-MS)熱重紅外氣相質(zhì)譜聯(lián)用(TG-IR-GC-MS)紅外熱成像儀激光導(dǎo)熱儀錐形量熱儀(CONE)熱譜測(cè)試電子順磁共振波譜儀(EPR、ESR)固體核磁共振儀(NMR)液體核磁共振儀(NMR)微波網(wǎng)絡(luò)矢量分析儀/矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀核磁順磁波譜測(cè)試比表面及孔徑分析儀(BET)表面張力儀(界面張力儀)高壓吸附儀化學(xué)吸附儀(TPD TPR)接觸角測(cè)量?jī)x納米壓痕儀壓汞儀(MIP)表界面物性測(cè)試氣相色譜儀(GC)高效液相色譜儀(HPLC)離子色譜儀(IC)凝膠色譜儀(GPC)液相色譜(LC)色譜測(cè)試電導(dǎo)率儀電化學(xué)工作站腐蝕測(cè)試儀介電常數(shù)測(cè)定儀卡爾費(fèi)休水分測(cè)定儀自動(dòng)電位滴定儀電化學(xué)儀器測(cè)試Zeta電位儀工業(yè)分析激光粒度儀流變儀密度測(cè)定儀納米粒度儀邵氏 維氏 洛氏硬度計(jì)有機(jī)鹵素分析儀(F,Cl,Br,I,At,Ts)有機(jī)元素分析儀(EA)粘度計(jì)振動(dòng)樣品磁強(qiáng)計(jì)(VSM)土壤分析測(cè)試植物分析測(cè)試其他測(cè)試同步輻射GIWAXS GISAXS同步輻射XRD,PDF,SAXS同步輻射吸收譜-高能機(jī)時(shí)同步輻射吸收譜之軟X射線(xiàn)同步輻射吸收譜之硬X射線(xiàn)同步輻射聚焦離子束掃描電鏡(FIB-SEM)礦物定量分析系統(tǒng)MLA球差校正透射電子顯微鏡高端電鏡類(lèi)原位XPS測(cè)試原位EBSD(in situ -EBSD)原位紅外原位掃描電子顯微鏡(in-situ-SEM)原位透射電子顯微鏡高端原位測(cè)試飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜儀(TOF-SIMS)輝光放電光譜(GD-OES MS)三維原子探針(APT)高端質(zhì)譜類(lèi)Micro/Nano /工業(yè)CT飛秒瞬態(tài)吸收光譜儀(fs-TAS)掃描隧道顯微鏡深能級(jí)瞬態(tài)譜儀正電子湮滅壽命譜儀其他XPS數(shù)據(jù)分析XRD全巖黏土分析表面成分分析技術(shù)-XPS測(cè)試分析常規(guī)XRD數(shù)據(jù)分析成分指紋分析技術(shù)-紅外測(cè)試分析二維紅外光譜技術(shù)紅外(IR)數(shù)據(jù)分析拉曼數(shù)據(jù)分析三維熒光數(shù)據(jù)分析圓二色譜(CD)數(shù)據(jù)分析成分含量分析EPR/ESR數(shù)據(jù)分析VSM數(shù)據(jù)分析電化學(xué)數(shù)據(jù)分析矢量網(wǎng)絡(luò)數(shù)據(jù)分析電磁分析CT數(shù)據(jù)分析X射線(xiàn)吸收精細(xì)結(jié)構(gòu)普(XAFS)數(shù)據(jù)分析穆斯堡爾譜數(shù)據(jù)分析小角散射(SAXS/WAXS)數(shù)據(jù)分析高端測(cè)試分析固體核磁數(shù)據(jù)分析液體核磁(NMR)測(cè)試+分析一體化液體核磁(NMR)數(shù)據(jù)分析化學(xué)結(jié)構(gòu)分析EBSD數(shù)據(jù)分析TEM數(shù)據(jù)分析單晶XRD數(shù)據(jù)分析晶體結(jié)構(gòu)確證技術(shù)-XRD精修XRD定性定量分析晶體結(jié)構(gòu)分析BET數(shù)據(jù)分析其它數(shù)據(jù)分析需求熱分析數(shù)據(jù)處理數(shù)據(jù)分析作圖其他數(shù)據(jù)分析半導(dǎo)體激光器模擬發(fā)光二極管仿真光電探測(cè)器仿真太陽(yáng)能電池仿真半導(dǎo)體器件仿真表面能差分密度磁矩單原子催化電荷密度電解水制氫反應(yīng)(HER)費(fèi)米面(fermi surface)電子局域化函數(shù)(electron localization function)第一性原理分子模擬量子化學(xué)相分析有限元模擬常規(guī)理化-水樣常規(guī)理化-土樣/沉積物常規(guī)理化-氣體常規(guī)理化-植物/蔬果/農(nóng)作物常規(guī)理化-食品常規(guī)理化-肥料/飼料常規(guī)理化-巖礦常規(guī)理化-垃圾常規(guī)理化-職業(yè)衛(wèi)生常規(guī)理化-其它常規(guī)理化項(xiàng)目纖維素、半纖維素、木質(zhì)素含量bcr形態(tài)順序提取/tessier五步提取法土壤水體抗生素微塑料微生物磷脂脂肪酸(PLFA)非標(biāo)理化-其它非標(biāo)理化項(xiàng)目穩(wěn)定同位素放射性同位素同位素-其它金屬同位素同位素多糖的單糖組成測(cè)定可溶性寡糖定量土壤氨基糖多糖全套分析多糖甲基化植物糖化學(xué)-常規(guī)指標(biāo)糖化學(xué)液質(zhì)聯(lián)用LCMS高效液相色譜HPLC氣相色譜GC氣質(zhì)聯(lián)用GCMS全二維氣質(zhì)GC×GC-MS氣相色譜-離子遷移譜聯(lián)用儀(GC-IMS)液相色譜-原子熒光聯(lián)用(LC-AFS)制備型HPLC色譜質(zhì)譜數(shù)據(jù)分析液相色譜-電感耦合等離子體質(zhì)譜(LC-ICPMS)色譜質(zhì)譜DOM(FT- ICR- MS)水質(zhì)NOM(LC-OCD-OND)DOM(FT-ICR-MS)數(shù)據(jù)分析環(huán)境高端電池產(chǎn)品整體解決方案正極顆粒表面微觀形貌正極顆粒物截面形貌與元素三元正極顆粒循環(huán)前后晶界裂紋正極顆粒摻雜元素分布正極顆粒截面元素分布和晶格表征正極極片原位晶相分析正極極片截面元素分布和晶格表征正極表面CEI膜測(cè)試方法XPS正極極片截面微觀形貌觀察和元素分布正極極片CEI膜成分分析與厚度測(cè)定正極極片介電常數(shù)正極極片浸潤(rùn)性正極極片包覆層觀察正極極片雜質(zhì)含量測(cè)定正極極片氧空位測(cè)定負(fù)極顆粒表面微觀形貌觀察和元素分布負(fù)極顆粒截面微觀形貌觀察和元素分布石墨類(lèi)型判定負(fù)極顆粒粒徑分析負(fù)極極片孔洞分析負(fù)極顆粒包覆層觀察負(fù)極顆粒羥基含量測(cè)定負(fù)極極片包覆層觀察負(fù)極表面SEI膜分析XPS法負(fù)極極片SEI膜成分分析與厚度測(cè)定負(fù)極極片截面微觀形貌觀察和元素分布負(fù)極極片石墨碳和無(wú)定型碳比例隔膜表面微觀形貌觀察隔膜循環(huán)前后孔徑變化質(zhì)子交換膜形貌(厚度)觀察 CP+SEM質(zhì)子交換膜雜質(zhì)元素電池循環(huán)后鼓包氣電池循環(huán)后爆炸氣鋰電池極片和集流體間的粘結(jié)強(qiáng)度三元正極材料NCM比例燃料電池-整體解決方案電池產(chǎn)品-隔膜電池產(chǎn)品-優(yōu)勢(shì)項(xiàng)目正極材料-PH值正極材料-比表面積正極材料-磁性異物正極材料-化學(xué)成分正極材料-晶體結(jié)構(gòu)正極材料-粒徑分布正極材料-首次放電比容量及首次庫(kù)倫效率正極材料-水分含量正極材料-松裝密度正極材料-未知物分析正極材料-形貌,厚度與結(jié)構(gòu)正極材料-壓實(shí)密度正極材料-振實(shí)密度電池產(chǎn)品-正極材料負(fù)極材料-PH值負(fù)極材料-比表面積負(fù)極材料-層間距 石墨化度負(fù)極材料成分分析負(fù)極材料-磁性異物負(fù)極材料-粉末壓實(shí)密度負(fù)極材料-固定碳含量負(fù)極材料-化學(xué)成分負(fù)極材料-粒徑分布負(fù)極材料-石墨鑒定負(fù)極材料-水分負(fù)極材料-限用物質(zhì)含量負(fù)極材料-形貌與結(jié)構(gòu)負(fù)極材料-陰離子的測(cè)定負(fù)極材料-有機(jī)物含量負(fù)極材料-真密度負(fù)極材料-振實(shí)密度負(fù)極顆粒-石墨取向性(OI值)首次放電比容量及首次庫(kù)倫效率電池產(chǎn)品-負(fù)極材料電解液-電導(dǎo)率電解液-化學(xué)元素含量電解液-密度電解液-水分含量電解液-未知物分析電解液-游離酸(HF含量)電池產(chǎn)品-電解液電池產(chǎn)品-隔膜電池產(chǎn)品-隔膜
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預(yù)約詳情

紫外光電子能譜(UPS測(cè)試)

 
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送樣請(qǐng)附帶“委托測(cè)試單”。



紫外光電子能譜UPS

?設(shè)備型號(hào)

20230919

Thermo ESCALAB 250XI



?樣品準(zhǔn)備須知?。?!

20230919

1、樣品最好是新鮮干燥的薄膜、塊體材料,表面必須平整無(wú)污染,尺寸必須大于5*5mm-小于10*10mm左右,厚度小于2mm。UPS的光斑大小3mmX3mm,如果因樣品尺寸不符合要求導(dǎo)致收集到樣品托或者其他位置的信息,需要同學(xué)承擔(dān)責(zé)任。

2、UPS測(cè)試表面1-2nm信息,表面吸附的碳氧會(huì)影響測(cè)試結(jié)果,建議暴露空氣中的樣品選擇用離子源清潔后測(cè)試,數(shù)據(jù)更加準(zhǔn)確。

3、粉末樣品建議使用旋涂法制備樣品要求是基材材質(zhì)為ITO、FTO、單晶硅片等半導(dǎo)體材料,且表面導(dǎo)電性連續(xù),不能使用刻蝕后基材制樣,尺寸必須大于5*5mm-小于等于10*10mm左右,厚度小于2mm,涂完膜干燥后能看到薄薄一層樣品即可。

4、粉末樣品需要制樣,粉末顆粒直徑最好在1萬(wàn)目以下,摸起來(lái)類(lèi)似面粉,越細(xì)越好。使用旋涂法制樣,需要制備1cmX1cm的薄片,請(qǐng)?zhí)峁?ml體積的樣品量。做粉末樣品風(fēng)險(xiǎn)大,不建議做,測(cè)試反饋真實(shí)的數(shù)據(jù)不做解釋和復(fù)測(cè)處理。如果下單,默認(rèn)接受風(fēng)險(xiǎn)。

5、如果測(cè)試目的是功函數(shù),要求樣品的導(dǎo)電性比較良好,電阻小于3千歐(可用萬(wàn)用表檢測(cè))。

6、粉末樣品如非必要不建議測(cè)試。

7、UPS測(cè)試對(duì)樣品的要求比較高,切記一定要滿(mǎn)足測(cè)試所需樣品的要求?。?!



?樣品測(cè)試填寫(xiě)要求注意事項(xiàng)

20230919

1.樣品數(shù)量填寫(xiě)需要測(cè)試樣品的數(shù)量

2.樣品編號(hào)(名稱(chēng))請(qǐng)輸入該組樣品編號(hào),以逗號(hào)分隔,例如1,2,3

3. 樣品成分:容易氧化以及接觸大氣變質(zhì)的樣品,可選擇手套箱制樣,防止樣品氧化/變質(zhì),即要求同學(xué)真空包裝樣品。無(wú)法回收手套箱制樣的樣品,必然暴露大氣。若手套箱制樣結(jié)束后需要進(jìn)行手套箱保存,請(qǐng)?zhí)崆皞渥⑶宄?/span>

4.樣品形態(tài):粉末/塊體/薄膜

塊狀/薄膜:尺寸必須大于5*5mm-小于10*10mm左右,厚度小于2mm,粉末樣品:2ml體積的樣品量,如果因尺寸不合適導(dǎo)致的測(cè)試到基體信息,需自己承擔(dān)風(fēng)險(xiǎn)。

5.是否需要制樣:是/否

粉末樣品不建議測(cè)試!測(cè)試反饋真實(shí)數(shù)據(jù),樣品問(wèn)題,不支持解釋與復(fù)測(cè),下單即默認(rèn)接受風(fēng)險(xiǎn)。

6.粉末制樣方式:旋涂法/壓片法

粉末樣品建議用旋涂法,常規(guī)壓片法測(cè)試反饋數(shù)據(jù)不好,有風(fēng)險(xiǎn)。

7.樣品導(dǎo)電性:導(dǎo)電/ 電阻<3KΩ半導(dǎo)體

導(dǎo)電性必須好,要不然測(cè)試加不上偏壓,電阻<1kΩ半導(dǎo)體一般數(shù)據(jù)比較好;1kΩ半導(dǎo)體<電阻<3kΩ半導(dǎo)體存在譜圖位移的風(fēng)險(xiǎn),即測(cè)試數(shù)據(jù)不準(zhǔn)確,下單前確定是否需要做,默認(rèn)下單已接受風(fēng)險(xiǎn);樣品電阻太大可能存在偏壓加不上的情況,根據(jù)經(jīng)驗(yàn)當(dāng)電阻大于3kΩ,加不上偏壓,如因不清楚自己樣品信息導(dǎo)致偏壓加不上的需自己承擔(dān)責(zé)任。

8.樣品表面是否需要濺射清潔處理:是/否

ups測(cè)試表面1-2nm信息,樣品暴露空氣中會(huì)吸附空氣中碳氧,直接測(cè)試會(huì)干擾測(cè)試結(jié)果,用離子源清潔會(huì)去除表面吸附污染,從而保證數(shù)據(jù)更接近真實(shí)樣品信息,如因樣品表面污染導(dǎo)致的結(jié)果不準(zhǔn)確,需同學(xué)自己承擔(dān)責(zé)任。

9.測(cè)試目的【可多選】:功函數(shù)/價(jià)帶頂

針對(duì)導(dǎo)體,電阻<3kΩ半導(dǎo)體才可以加偏壓得到二次電子截止邊計(jì)算功函數(shù)。UPS數(shù)據(jù)分析能得到價(jià)帶和功函數(shù),分析不出帶隙。

10.測(cè)試數(shù)據(jù)具體要求(若有)




?測(cè)試提示:

20230919

1.可開(kāi)正規(guī)測(cè)試發(fā)票,附帶測(cè)試清單。

2.有腐蝕性,毒性,或其他有危害性等特殊樣品要事先告知測(cè)試人員,測(cè)試人員也要告知樣品方哪些樣品不能測(cè)或會(huì)對(duì)儀器產(chǎn)生損傷,測(cè)試后會(huì)對(duì)樣品產(chǎn)生哪些變化;

3.客戶(hù)需提供詳細(xì)的樣品資料,包括元素,主要成分和詳細(xì)測(cè)試參數(shù)及條件。和測(cè)試人員充分討論,商定最終測(cè)試條件;

4.測(cè)試人員與顧客通過(guò)QQ,微信或郵件溝通,出現(xiàn)測(cè)試糾紛,郵件或聊天記錄將作為重要的仲裁依據(jù);請(qǐng)加QQ和技術(shù)人員交流。QQ:82187958。微信:15071040697

5.杜絕測(cè)試、解析和合成違反國(guó)家相關(guān)法律法規(guī)的樣品,一經(jīng)發(fā)現(xiàn)將追究其法律責(zé)任。



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