GBT18735-2002分析電鏡(AEM EDS)納米薄標(biāo)樣通用規(guī)范標(biāo)準(zhǔn)

GBT18735-2002分析電子顯微鏡（AEM-EDS）納米薄標(biāo)準(zhǔn)樣品通用技術(shù)條件

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了用分析電子顯微鏡（AEM\EDS）即透射電子顯微鏡或帶掃描附件的透射電子顯微鏡X射線光譜儀測(cè)量標(biāo)度系數(shù)（K a-b）的納米薄標(biāo)樣品的技術(shù)要求、試驗(yàn)條件和試驗(yàn)方法。適用于分析電子顯微鏡，即透射電子顯微鏡，術(shù)語：臨界厚度，標(biāo)度因子，薄標(biāo)樣品一般為納米粉體或薄膜，厚度小于100nm-300nm。電子顯微鏡的工作電壓為100kv和以上

發(fā)布時(shí)間：2002-05-22   實(shí)施時(shí)間：2002-12-01

發(fā)布部門：國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局

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