鑠思百檢測(cè)

DETECTION OF TECHNICAL SOUSEPAD

透射電子顯微鏡(TEM-EDS)掃描電子顯微鏡(FESEM-EDS)球差電鏡激光共聚焦顯微鏡(LSCM)原子力顯微鏡(AFM)電子探針儀(EPMA)金相顯微鏡電子背散射衍射儀(EBSD)臺(tái)階儀,膜厚儀,探針接觸式輪廓儀,3D輪廓儀工業(yè)CT白光干涉儀(非接觸式3D表面輪廓儀)電鏡測(cè)試FIB制樣離子減薄制樣冷凍超薄切片制樣樹(shù)脂包埋制樣(生物制樣)液氮脆斷制樣金網(wǎng)鉬網(wǎng)銅網(wǎng)超薄碳膜微柵制樣電鏡制樣X射線光電子能譜分析儀(XPS)紫外光電子能譜(UPS)俄歇電子能譜(AES)X射線衍射儀(XRD)X射線散射儀SAXS/WAXSX射線殘余應(yīng)力分析儀X射線熒光光譜分析儀(XRF)電感耦合等離子體光譜儀(ICP-OES)紫外可見(jiàn)反射儀(DRS)拉曼光譜(RAMAN)紫外-可見(jiàn)分光光度計(jì)(UV)圓二色譜(CD)傅里葉變換紅外光譜分析儀(FTIR)吡啶紅外(DRIFTS)單晶衍射儀穆斯堡爾光譜儀穩(wěn)態(tài)瞬態(tài)熒光光譜分析儀(PL)原子吸收分光光度計(jì)原子熒光光度計(jì)(AFS)三維熒光 /熒光分光光度計(jì)紅外熱成像儀霧度儀旋光儀橢偏儀光譜測(cè)試電感耦合等離子體質(zhì)譜儀(ICP-MS)電噴霧離子化質(zhì)譜儀(ESI-MS)頂空-固相微萃取氣質(zhì)聯(lián)用儀(HS -SPME -GC -MS)二次離子質(zhì)譜(SIMS)基質(zhì)輔助激光解吸電離飛行時(shí)間質(zhì)譜儀(MALDI-TOF)裂解氣質(zhì)聯(lián)用儀(PY-GC-MS)氣質(zhì)聯(lián)用儀(GC-MS)同位素質(zhì)譜儀液質(zhì)聯(lián)用儀(LC-MS)質(zhì)譜測(cè)試差示掃描量熱儀(DSC)熱重分析儀(TGA)熱分析聯(lián)用儀(DSC-TGA)靜態(tài)/動(dòng)態(tài)熱機(jī)械分析儀(TMA/DMA)熱重紅外聯(lián)用儀(TG-IR)熱重紅外質(zhì)譜聯(lián)用儀(TG-IR-MS)熱重紅外氣相質(zhì)譜聯(lián)用(TG-IR-GC-MS)紅外熱成像儀激光導(dǎo)熱儀錐形量熱儀(CONE)熱譜測(cè)試電子順磁共振波譜儀(EPR、ESR)固體核磁共振儀(NMR)液體核磁共振儀(NMR)微波網(wǎng)絡(luò)矢量分析儀/矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀核磁順磁波譜測(cè)試比表面及孔徑分析儀(BET)表面張力儀(界面張力儀)高壓吸附儀化學(xué)吸附儀(TPD TPR)接觸角測(cè)量?jī)x納米壓痕儀壓汞儀(MIP)表界面物性測(cè)試氣相色譜儀(GC)高效液相色譜儀(HPLC)離子色譜儀(IC)凝膠色譜儀(GPC)液相色譜(LC)色譜測(cè)試電導(dǎo)率儀電化學(xué)工作站腐蝕測(cè)試儀介電常數(shù)測(cè)定儀卡爾費(fèi)休水分測(cè)定儀自動(dòng)電位滴定儀電化學(xué)儀器測(cè)試Zeta電位儀工業(yè)分析激光粒度儀流變儀密度測(cè)定儀納米粒度儀邵氏 維氏 洛氏硬度計(jì)有機(jī)鹵素分析儀(F,Cl,Br,I,At,Ts)有機(jī)元素分析儀(EA)粘度計(jì)振動(dòng)樣品磁強(qiáng)計(jì)(VSM)土壤分析測(cè)試植物分析測(cè)試其他測(cè)試同步輻射GIWAXS GISAXS同步輻射XRD,PDF,SAXS同步輻射吸收譜-高能機(jī)時(shí)同步輻射吸收譜之軟X射線同步輻射吸收譜之硬X射線同步輻射聚焦離子束掃描電鏡(FIB-SEM)礦物定量分析系統(tǒng)MLA球差校正透射電子顯微鏡高端電鏡類原位XPS測(cè)試原位EBSD(in situ -EBSD)原位紅外原位掃描電子顯微鏡(in-situ-SEM)原位透射電子顯微鏡高端原位測(cè)試飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜儀(TOF-SIMS)輝光放電光譜(GD-OES MS)三維原子探針(APT)高端質(zhì)譜類Micro/Nano /工業(yè)CT飛秒瞬態(tài)吸收光譜儀(fs-TAS)掃描隧道顯微鏡深能級(jí)瞬態(tài)譜儀正電子湮滅壽命譜儀其他XPS數(shù)據(jù)分析XRD全巖黏土分析表面成分分析技術(shù)-XPS測(cè)試分析常規(guī)XRD數(shù)據(jù)分析成分指紋分析技術(shù)-紅外測(cè)試分析二維紅外光譜技術(shù)紅外(IR)數(shù)據(jù)分析拉曼數(shù)據(jù)分析三維熒光數(shù)據(jù)分析圓二色譜(CD)數(shù)據(jù)分析成分含量分析EPR/ESR數(shù)據(jù)分析VSM數(shù)據(jù)分析電化學(xué)數(shù)據(jù)分析矢量網(wǎng)絡(luò)數(shù)據(jù)分析電磁分析CT數(shù)據(jù)分析X射線吸收精細(xì)結(jié)構(gòu)普(XAFS)數(shù)據(jù)分析穆斯堡爾譜數(shù)據(jù)分析小角散射(SAXS/WAXS)數(shù)據(jù)分析高端測(cè)試分析固體核磁數(shù)據(jù)分析液體核磁(NMR)測(cè)試+分析一體化液體核磁(NMR)數(shù)據(jù)分析化學(xué)結(jié)構(gòu)分析EBSD數(shù)據(jù)分析TEM數(shù)據(jù)分析單晶XRD數(shù)據(jù)分析晶體結(jié)構(gòu)確證技術(shù)-XRD精修XRD定性定量分析晶體結(jié)構(gòu)分析BET數(shù)據(jù)分析其它數(shù)據(jù)分析需求熱分析數(shù)據(jù)處理數(shù)據(jù)分析作圖其他數(shù)據(jù)分析半導(dǎo)體激光器模擬發(fā)光二極管仿真光電探測(cè)器仿真太陽(yáng)能電池仿真半導(dǎo)體器件仿真表面能差分密度磁矩單原子催化電荷密度電解水制氫反應(yīng)(HER)費(fèi)米面(fermi surface)電子局域化函數(shù)(electron localization function)第一性原理分子模擬量子化學(xué)相分析有限元模擬常規(guī)理化-水樣常規(guī)理化-土樣/沉積物常規(guī)理化-氣體常規(guī)理化-植物/蔬果/農(nóng)作物常規(guī)理化-食品常規(guī)理化-肥料/飼料常規(guī)理化-巖礦常規(guī)理化-垃圾常規(guī)理化-職業(yè)衛(wèi)生常規(guī)理化-其它常規(guī)理化項(xiàng)目纖維素、半纖維素、木質(zhì)素含量bcr形態(tài)順序提取/tessier五步提取法土壤水體抗生素微塑料微生物磷脂脂肪酸(PLFA)非標(biāo)理化-其它非標(biāo)理化項(xiàng)目穩(wěn)定同位素放射性同位素同位素-其它金屬同位素同位素多糖的單糖組成測(cè)定可溶性寡糖定量土壤氨基糖多糖全套分析多糖甲基化植物糖化學(xué)-常規(guī)指標(biāo)糖化學(xué)液質(zhì)聯(lián)用LCMS高效液相色譜HPLC氣相色譜GC氣質(zhì)聯(lián)用GCMS全二維氣質(zhì)GC×GC-MS氣相色譜-離子遷移譜聯(lián)用儀(GC-IMS)液相色譜-原子熒光聯(lián)用(LC-AFS)制備型HPLC色譜質(zhì)譜數(shù)據(jù)分析液相色譜-電感耦合等離子體質(zhì)譜(LC-ICPMS)色譜質(zhì)譜DOM(FT- ICR- MS)水質(zhì)NOM(LC-OCD-OND)DOM(FT-ICR-MS)數(shù)據(jù)分析環(huán)境高端電池產(chǎn)品整體解決方案正極顆粒表面微觀形貌正極顆粒物截面形貌與元素三元正極顆粒循環(huán)前后晶界裂紋正極顆粒摻雜元素分布正極顆粒截面元素分布和晶格表征正極極片原位晶相分析正極極片截面元素分布和晶格表征正極表面CEI膜測(cè)試方法XPS正極極片截面微觀形貌觀察和元素分布正極極片CEI膜成分分析與厚度測(cè)定正極極片介電常數(shù)正極極片浸潤(rùn)性正極極片包覆層觀察正極極片雜質(zhì)含量測(cè)定正極極片氧空位測(cè)定負(fù)極顆粒表面微觀形貌觀察和元素分布負(fù)極顆粒截面微觀形貌觀察和元素分布石墨類型判定負(fù)極顆粒粒徑分析負(fù)極極片孔洞分析負(fù)極顆粒包覆層觀察負(fù)極顆粒羥基含量測(cè)定負(fù)極極片包覆層觀察負(fù)極表面SEI膜分析XPS法負(fù)極極片SEI膜成分分析與厚度測(cè)定負(fù)極極片截面微觀形貌觀察和元素分布負(fù)極極片石墨碳和無(wú)定型碳比例隔膜表面微觀形貌觀察隔膜循環(huán)前后孔徑變化質(zhì)子交換膜形貌(厚度)觀察 CP+SEM質(zhì)子交換膜雜質(zhì)元素電池循環(huán)后鼓包氣電池循環(huán)后爆炸氣鋰電池極片和集流體間的粘結(jié)強(qiáng)度三元正極材料NCM比例燃料電池-整體解決方案電池產(chǎn)品-隔膜電池產(chǎn)品-優(yōu)勢(shì)項(xiàng)目正極材料-PH值正極材料-比表面積正極材料-磁性異物正極材料-化學(xué)成分正極材料-晶體結(jié)構(gòu)正極材料-粒徑分布正極材料-首次放電比容量及首次庫(kù)倫效率正極材料-水分含量正極材料-松裝密度正極材料-未知物分析正極材料-形貌,厚度與結(jié)構(gòu)正極材料-壓實(shí)密度正極材料-振實(shí)密度電池產(chǎn)品-正極材料負(fù)極材料-PH值負(fù)極材料-比表面積負(fù)極材料-層間距 石墨化度負(fù)極材料成分分析負(fù)極材料-磁性異物負(fù)極材料-粉末壓實(shí)密度負(fù)極材料-固定碳含量負(fù)極材料-化學(xué)成分負(fù)極材料-粒徑分布負(fù)極材料-石墨鑒定負(fù)極材料-水分負(fù)極材料-限用物質(zhì)含量負(fù)極材料-形貌與結(jié)構(gòu)負(fù)極材料-陰離子的測(cè)定負(fù)極材料-有機(jī)物含量負(fù)極材料-真密度負(fù)極材料-振實(shí)密度負(fù)極顆粒-石墨取向性(OI值)首次放電比容量及首次庫(kù)倫效率電池產(chǎn)品-負(fù)極材料電解液-電導(dǎo)率電解液-化學(xué)元素含量電解液-密度電解液-水分含量電解液-未知物分析電解液-游離酸(HF含量)電池產(chǎn)品-電解液電池產(chǎn)品-隔膜電池產(chǎn)品-隔膜
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原位XRD

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發(fā)表時(shí)間:2021-02-03 10:50作者:鑠思百檢測(cè)來(lái)源:鑠思百檢測(cè)

原位XRD

我國(guó)是無(wú)機(jī)粉體原材料生產(chǎn)的大國(guó)。這類材料一般是晶體,其組成離子在空間有規(guī)則地周期性重復(fù)排列,組成晶體點(diǎn)陣,可看成是天然光柵。鑠思百分析測(cè)試中心提供原位XRD檢測(cè)服務(wù),測(cè)試提供測(cè)試條件,詳情咨詢客服!

它們的結(jié)構(gòu)及純度檢測(cè)一般采用室溫粉末X射線衍射技術(shù)進(jìn)行檢測(cè),然而材料的晶體結(jié)構(gòu)隨溫度發(fā)生變化,導(dǎo)致物性也隨溫度變化,尤其是結(jié)構(gòu)相變伴隨著物性的巨大變化。

因此,為了拓寬室溫XRD技術(shù)的一個(gè)溫度點(diǎn)的限制,在不同溫度下的XRD測(cè)試技術(shù)(即變溫XRD技術(shù))將成為當(dāng)今高科技時(shí)代的一項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù),能夠檢測(cè)材料的結(jié)構(gòu)及物性的穩(wěn)定性,進(jìn)而提高產(chǎn)品質(zhì)量評(píng)價(jià)的指標(biāo)和范圍。


一、
引言


原位XRD技術(shù)早在20世紀(jì)60年代就已運(yùn)用到材料科學(xué)研究中,是現(xiàn)代物質(zhì)微觀結(jié)構(gòu)分析的常規(guī)武器,是對(duì)物質(zhì)的組成和結(jié)構(gòu)進(jìn)行鑒定和研究的基本手段。X射線衍射是通過(guò)X射線在樣品中的衍射現(xiàn)象,利用衍射峰的位置和強(qiáng)度,來(lái)定性分析材料的結(jié)晶類型、晶體參數(shù)、晶體缺陷、不同結(jié)構(gòu)相的含量等。


原位XRD技術(shù)可以廣泛應(yīng)用于各種領(lǐng)域,其中在電池的充放電過(guò)程中,電極材料的結(jié)晶類型、晶體參數(shù)等會(huì)發(fā)生變化,如果能確定電池充放電過(guò)程中電極材料發(fā)生的具體變化,就能夠?qū)ν茰y(cè)反應(yīng)機(jī)理提供強(qiáng)有力的證據(jù)支持。為觀察電極材料充放電過(guò)程中的結(jié)構(gòu)變化,傳統(tǒng)的做法是要準(zhǔn)備大量不同充放電狀態(tài)下的電極材料,再使用XRD手段進(jìn)行測(cè)試,可以想象工作量多么龐大。然而,材料的晶體結(jié)構(gòu)隨溫度發(fā)生變化,導(dǎo)致物性也隨溫度變化,尤其是結(jié)構(gòu)相變伴隨著物性的巨大變化。


因此,為了拓寬室溫XRD技術(shù)的一個(gè)溫度點(diǎn)的限制,在不同溫度下的XRD測(cè)試技術(shù)將成為當(dāng)今高科技時(shí)代的一項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù),在工業(yè)生產(chǎn)上能夠檢測(cè)材料的結(jié)構(gòu)及物性的穩(wěn)定性,進(jìn)而提高產(chǎn)品質(zhì)量評(píng)價(jià)的指標(biāo)和范圍。


二、
原位XRD技術(shù)介紹


原位XRD技術(shù)正是一種可以實(shí)現(xiàn)實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)電極材料相變和結(jié)構(gòu)演變的有效測(cè)試手段。由于不同極片間的物理差異性和拆電池、極片洗滌、轉(zhuǎn)移等操作過(guò)程的影響,非原位XRD測(cè)試往往不能很好的還原電池材料在充放電過(guò)程中真實(shí)狀況,比如不同極片上活性材料的質(zhì)量和分布不盡相同,這會(huì)導(dǎo)致不同充放電狀態(tài)下的XRD峰強(qiáng)可比性較差;不同極片在拆卸洗滌后往往處于不同褶皺狀態(tài),所得到的XRD峰則會(huì)發(fā)生不同程度的偏移。


原位XRD測(cè)試的整個(gè)過(guò)程是對(duì)同一個(gè)材料的同一片區(qū)域位置進(jìn)行掃描分析,因此得到的信息(無(wú)論是晶胞參數(shù)、峰強(qiáng)度,還是其他參數(shù))具有較高的可比性,可以得到一系列實(shí)時(shí)的結(jié)構(gòu)變化信息,有助于深入認(rèn)識(shí)材料在充放電過(guò)程中發(fā)生的反應(yīng),對(duì)如何改進(jìn)材料具有較高的指導(dǎo)意義。


三、
原位XRD測(cè)試數(shù)據(jù)


實(shí)驗(yàn)中我們采用NCM材料做陰極,用石墨做陽(yáng)極材料,做成電芯進(jìn)行原位XRD測(cè)試,將電芯逐漸從3.0V充電到4.5V,每隔一段電壓掃描一次。XRD測(cè)試采用X射線衍射儀,實(shí)驗(yàn)結(jié)果如下圖所示:

圖一

圖二


從圖一圖二可以看出,隨著充電電壓的升高,正極材料NCM的(003)峰開(kāi)始向低角度偏移,此時(shí)NCM的(003)晶面間距增大,即c軸變大,當(dāng)電壓達(dá)到4.0V時(shí)達(dá)到最低值,隨后隨電壓升高又向高角度偏移;與之相對(duì)應(yīng),(110)峰隨電壓升高向高角度偏移,中間沒(méi)有反彈趨勢(shì),說(shuō)明(110)晶面間距減小,對(duì)應(yīng)著a軸一直變小。


當(dāng)電壓大于4.4V后,003峰峰強(qiáng)變低,并開(kāi)始寬化,說(shuō)明此時(shí)晶體結(jié)構(gòu)開(kāi)始嚴(yán)重變形,晶胞中原子不能很好的規(guī)整排列,達(dá)到材料極限承受電壓。另外,材料充放電過(guò)程中的結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性及相變過(guò)程對(duì)其電化學(xué)性能,特別是循環(huán)穩(wěn)定性有著重要影響。


通過(guò)分析可得到晶胞參數(shù)在充放電過(guò)程中的變化圖,從而評(píng)估不同的正極材料引起的鋰離子電池體積膨脹,為鋰離子電池的安全研究、材料選取提供可行數(shù)據(jù)和分析手段。


四、
結(jié)語(yǔ)


原位XRD作為一種XRD的衍生測(cè)試手段,可以很好的解決非原位XRD測(cè)試過(guò)程中的諸多問(wèn)題,目前已在鋰離子電極材料測(cè)試中得到了很好的運(yùn)用,它能夠?qū)崟r(shí)檢測(cè)電極材料在充放電的過(guò)程中的產(chǎn)物及物相的變化,并且能夠?yàn)樯钊肜斫鈨?chǔ)鋰機(jī)制與失效機(jī)理,對(duì)優(yōu)化材料設(shè)計(jì)、合成與應(yīng)用條件有重要的意義。


文章分類: 科研設(shè)備
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