背散射衍射和背散射的區(qū)別

背散射衍射和背散射的區(qū)別

背散射衍射是什么

將一束電子束轟擊至樣品表面，電子撞擊晶體中原子產(chǎn)生散射，這些散射電子由于撞擊的晶面類型(指數(shù)、原子密度)不同在某些特定角度產(chǎn)生衍射效應，在空間產(chǎn)生行射圓錐。幾乎所有晶面都會形成各自的衍射圓錐，并向空間無限發(fā)散。

用熒光屏平面去截取這樣-一個個無限發(fā)散的衍射圓錐，就得到了一系列的菊池帶。而截取菊池帶的數(shù)量和寬度，與熒光屏大小和熒光屏距樣品(衍射源)的遠近有關。

再把熒光屏獲取的電子信號用后面的高靈敏度CCD相機采集轉換并顯示出來。

背散射是什么

背散射電子( BSE )是由入射電子束與原子核的彈性散射或非彈性散射所產(chǎn)生的高能電子。背散射電子( BSE )的產(chǎn)率,即出射的背散射電子( BSE )數(shù)與入射電子數(shù)之比,取決于樣品平均原子序數(shù):平均原子數(shù)越高,或元素越重,襯度就越亮。在飛納臺式掃描電鏡中，背散射電子是通過放置在樣品上方的四分割半導體探測器檢測到的。在這篇博客

中,將解釋什么是半導體探測器,以及如何在描電子顯微鏡下檢測背散射電子。

兩者共同點都是背散射電子源，但是用途迥異。

區(qū)別在于：BSE在SEM里是背散射電子信號成形貌像；EBSD是利用背散射電子衍射出來的菊池花樣進行晶體取向標定。BSE一般主要是用其對原子序數(shù)襯度比較敏感，可用來看析出相啊，第二相分布等，EBSD可以用來看變形后如冷軋等其內(nèi)部晶粒取向，織構取向等問題的。