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DETECTION OF TECHNICAL SOUSEPAD

透射電子顯微鏡(TEM-EDS)掃描電子顯微鏡(FESEM-EDS)球差電鏡激光共聚焦顯微鏡(LSCM)原子力顯微鏡(AFM)電子探針儀(EPMA)金相顯微鏡電子背散射衍射儀(EBSD)臺(tái)階儀,膜厚儀,探針接觸式輪廓儀,3D輪廓儀工業(yè)CT白光干涉儀(非接觸式3D表面輪廓儀)電鏡測(cè)試FIB制樣離子減薄制樣冷凍超薄切片制樣樹脂包埋制樣(生物制樣)液氮脆斷制樣金網(wǎng)鉬網(wǎng)銅網(wǎng)超薄碳膜微柵制樣電鏡制樣X射線光電子能譜分析儀(XPS)紫外光電子能譜(UPS)俄歇電子能譜(AES)X射線衍射儀(XRD)X射線散射儀SAXS/WAXSX射線殘余應(yīng)力分析儀X射線熒光光譜分析儀(XRF)電感耦合等離子體光譜儀(ICP-OES)紫外可見反射儀(DRS)拉曼光譜(RAMAN)紫外-可見分光光度計(jì)(UV)圓二色譜(CD)傅里葉變換紅外光譜分析儀(FTIR)吡啶紅外(DRIFTS)單晶衍射儀穆斯堡爾光譜儀穩(wěn)態(tài)瞬態(tài)熒光光譜分析儀(PL)原子吸收分光光度計(jì)原子熒光光度計(jì)(AFS)三維熒光 /熒光分光光度計(jì)紅外熱成像儀霧度儀旋光儀橢偏儀光譜測(cè)試電感耦合等離子體質(zhì)譜儀(ICP-MS)電噴霧離子化質(zhì)譜儀(ESI-MS)頂空-固相微萃取氣質(zhì)聯(lián)用儀(HS -SPME -GC -MS)二次離子質(zhì)譜(SIMS)基質(zhì)輔助激光解吸電離飛行時(shí)間質(zhì)譜儀(MALDI-TOF)裂解氣質(zhì)聯(lián)用儀(PY-GC-MS)氣質(zhì)聯(lián)用儀(GC-MS)同位素質(zhì)譜儀液質(zhì)聯(lián)用儀(LC-MS)質(zhì)譜測(cè)試差示掃描量熱儀(DSC)熱重分析儀(TGA)熱分析聯(lián)用儀(DSC-TGA)靜態(tài)/動(dòng)態(tài)熱機(jī)械分析儀(TMA/DMA)熱重紅外聯(lián)用儀(TG-IR)熱重紅外質(zhì)譜聯(lián)用儀(TG-IR-MS)熱重紅外氣相質(zhì)譜聯(lián)用(TG-IR-GC-MS)紅外熱成像儀激光導(dǎo)熱儀錐形量熱儀(CONE)熱譜測(cè)試電子順磁共振波譜儀(EPR、ESR)固體核磁共振儀(NMR)液體核磁共振儀(NMR)微波網(wǎng)絡(luò)矢量分析儀/矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀核磁順磁波譜測(cè)試比表面及孔徑分析儀(BET)表面張力儀(界面張力儀)高壓吸附儀化學(xué)吸附儀(TPD TPR)接觸角測(cè)量儀納米壓痕儀壓汞儀(MIP)表界面物性測(cè)試氣相色譜儀(GC)高效液相色譜儀(HPLC)離子色譜儀(IC)凝膠色譜儀(GPC)液相色譜(LC)色譜測(cè)試電導(dǎo)率儀電化學(xué)工作站腐蝕測(cè)試儀介電常數(shù)測(cè)定儀卡爾費(fèi)休水分測(cè)定儀自動(dòng)電位滴定儀電化學(xué)儀器測(cè)試Zeta電位儀工業(yè)分析激光粒度儀流變儀密度測(cè)定儀納米粒度儀邵氏 維氏 洛氏硬度計(jì)有機(jī)鹵素分析儀(F,Cl,Br,I,At,Ts)有機(jī)元素分析儀(EA)粘度計(jì)振動(dòng)樣品磁強(qiáng)計(jì)(VSM)土壤分析測(cè)試植物分析測(cè)試其他測(cè)試同步輻射GIWAXS GISAXS同步輻射XRD,PDF,SAXS同步輻射吸收譜-高能機(jī)時(shí)同步輻射吸收譜之軟X射線同步輻射吸收譜之硬X射線同步輻射聚焦離子束掃描電鏡(FIB-SEM)礦物定量分析系統(tǒng)MLA球差校正透射電子顯微鏡高端電鏡類原位XPS測(cè)試原位EBSD(in situ -EBSD)原位紅外原位掃描電子顯微鏡(in-situ-SEM)原位透射電子顯微鏡高端原位測(cè)試飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜儀(TOF-SIMS)輝光放電光譜(GD-OES MS)三維原子探針(APT)高端質(zhì)譜類Micro/Nano /工業(yè)CT飛秒瞬態(tài)吸收光譜儀(fs-TAS)掃描隧道顯微鏡深能級(jí)瞬態(tài)譜儀正電子湮滅壽命譜儀其他XPS數(shù)據(jù)分析XRD全巖黏土分析表面成分分析技術(shù)-XPS測(cè)試分析常規(guī)XRD數(shù)據(jù)分析成分指紋分析技術(shù)-紅外測(cè)試分析二維紅外光譜技術(shù)紅外(IR)數(shù)據(jù)分析拉曼數(shù)據(jù)分析三維熒光數(shù)據(jù)分析圓二色譜(CD)數(shù)據(jù)分析成分含量分析EPR/ESR數(shù)據(jù)分析VSM數(shù)據(jù)分析電化學(xué)數(shù)據(jù)分析矢量網(wǎng)絡(luò)數(shù)據(jù)分析電磁分析CT數(shù)據(jù)分析X射線吸收精細(xì)結(jié)構(gòu)普(XAFS)數(shù)據(jù)分析穆斯堡爾譜數(shù)據(jù)分析小角散射(SAXS/WAXS)數(shù)據(jù)分析高端測(cè)試分析固體核磁數(shù)據(jù)分析液體核磁(NMR)測(cè)試+分析一體化液體核磁(NMR)數(shù)據(jù)分析化學(xué)結(jié)構(gòu)分析EBSD數(shù)據(jù)分析TEM數(shù)據(jù)分析單晶XRD數(shù)據(jù)分析晶體結(jié)構(gòu)確證技術(shù)-XRD精修XRD定性定量分析晶體結(jié)構(gòu)分析BET數(shù)據(jù)分析其它數(shù)據(jù)分析需求熱分析數(shù)據(jù)處理數(shù)據(jù)分析作圖其他數(shù)據(jù)分析半導(dǎo)體激光器模擬發(fā)光二極管仿真光電探測(cè)器仿真太陽能電池仿真半導(dǎo)體器件仿真表面能差分密度磁矩單原子催化電荷密度電解水制氫反應(yīng)(HER)費(fèi)米面(fermi surface)電子局域化函數(shù)(electron localization function)第一性原理分子模擬量子化學(xué)相分析有限元模擬常規(guī)理化-水樣常規(guī)理化-土樣/沉積物常規(guī)理化-氣體常規(guī)理化-植物/蔬果/農(nóng)作物常規(guī)理化-食品常規(guī)理化-肥料/飼料常規(guī)理化-巖礦常規(guī)理化-垃圾常規(guī)理化-職業(yè)衛(wèi)生常規(guī)理化-其它常規(guī)理化項(xiàng)目纖維素、半纖維素、木質(zhì)素含量bcr形態(tài)順序提取/tessier五步提取法土壤水體抗生素微塑料微生物磷脂脂肪酸(PLFA)非標(biāo)理化-其它非標(biāo)理化項(xiàng)目穩(wěn)定同位素放射性同位素同位素-其它金屬同位素同位素多糖的單糖組成測(cè)定可溶性寡糖定量土壤氨基糖多糖全套分析多糖甲基化植物糖化學(xué)-常規(guī)指標(biāo)糖化學(xué)液質(zhì)聯(lián)用LCMS高效液相色譜HPLC氣相色譜GC氣質(zhì)聯(lián)用GCMS全二維氣質(zhì)GC×GC-MS氣相色譜-離子遷移譜聯(lián)用儀(GC-IMS)液相色譜-原子熒光聯(lián)用(LC-AFS)制備型HPLC色譜質(zhì)譜數(shù)據(jù)分析液相色譜-電感耦合等離子體質(zhì)譜(LC-ICPMS)色譜質(zhì)譜DOM(FT- ICR- MS)水質(zhì)NOM(LC-OCD-OND)DOM(FT-ICR-MS)數(shù)據(jù)分析環(huán)境高端電池產(chǎn)品整體解決方案正極顆粒表面微觀形貌正極顆粒物截面形貌與元素三元正極顆粒循環(huán)前后晶界裂紋正極顆粒摻雜元素分布正極顆粒截面元素分布和晶格表征正極極片原位晶相分析正極極片截面元素分布和晶格表征正極表面CEI膜測(cè)試方法XPS正極極片截面微觀形貌觀察和元素分布正極極片CEI膜成分分析與厚度測(cè)定正極極片介電常數(shù)正極極片浸潤性正極極片包覆層觀察正極極片雜質(zhì)含量測(cè)定正極極片氧空位測(cè)定負(fù)極顆粒表面微觀形貌觀察和元素分布負(fù)極顆粒截面微觀形貌觀察和元素分布石墨類型判定負(fù)極顆粒粒徑分析負(fù)極極片孔洞分析負(fù)極顆粒包覆層觀察負(fù)極顆粒羥基含量測(cè)定負(fù)極極片包覆層觀察負(fù)極表面SEI膜分析XPS法負(fù)極極片SEI膜成分分析與厚度測(cè)定負(fù)極極片截面微觀形貌觀察和元素分布負(fù)極極片石墨碳和無定型碳比例隔膜表面微觀形貌觀察隔膜循環(huán)前后孔徑變化質(zhì)子交換膜形貌(厚度)觀察 CP+SEM質(zhì)子交換膜雜質(zhì)元素電池循環(huán)后鼓包氣電池循環(huán)后爆炸氣鋰電池極片和集流體間的粘結(jié)強(qiáng)度三元正極材料NCM比例燃料電池-整體解決方案電池產(chǎn)品-隔膜電池產(chǎn)品-優(yōu)勢(shì)項(xiàng)目正極材料-PH值正極材料-比表面積正極材料-磁性異物正極材料-化學(xué)成分正極材料-晶體結(jié)構(gòu)正極材料-粒徑分布正極材料-首次放電比容量及首次庫倫效率正極材料-水分含量正極材料-松裝密度正極材料-未知物分析正極材料-形貌,厚度與結(jié)構(gòu)正極材料-壓實(shí)密度正極材料-振實(shí)密度電池產(chǎn)品-正極材料負(fù)極材料-PH值負(fù)極材料-比表面積負(fù)極材料-層間距 石墨化度負(fù)極材料成分分析負(fù)極材料-磁性異物負(fù)極材料-粉末壓實(shí)密度負(fù)極材料-固定碳含量負(fù)極材料-化學(xué)成分負(fù)極材料-粒徑分布負(fù)極材料-石墨鑒定負(fù)極材料-水分負(fù)極材料-限用物質(zhì)含量負(fù)極材料-形貌與結(jié)構(gòu)負(fù)極材料-陰離子的測(cè)定負(fù)極材料-有機(jī)物含量負(fù)極材料-真密度負(fù)極材料-振實(shí)密度負(fù)極顆粒-石墨取向性(OI值)首次放電比容量及首次庫倫效率電池產(chǎn)品-負(fù)極材料電解液-電導(dǎo)率電解液-化學(xué)元素含量電解液-密度電解液-水分含量電解液-未知物分析電解液-游離酸(HF含量)電池產(chǎn)品-電解液電池產(chǎn)品-隔膜電池產(chǎn)品-隔膜
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GBT36402-2018陶瓷材料的熱分析-質(zhì)譜聯(lián)用測(cè)試方法

 二維碼
發(fā)表時(shí)間:2019-11-25 14:49作者:武漢鑠思百檢測(cè)技術(shù)有限公司來源:鑠思百檢測(cè)

GBT36402-2018陶瓷材料的熱分析-質(zhì)譜聯(lián)用測(cè)試方法


范圍:本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了陶瓷材料的熱分析-質(zhì)譜聯(lián)用測(cè)試方法的術(shù)語和定義、儀器設(shè)備、試樣和標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)、儀器校驗(yàn)方法、分析步驟和試驗(yàn)報(bào)告。本標(biāo)準(zhǔn)適用于陶瓷材料在程序控溫和一定氣氛下的質(zhì)量變化、熱焓變化及其逸出氣體成分的檢測(cè)。

1熱分析thermalanalysis;TA

在程序控溫和一定氣氛下,測(cè)量物質(zhì)的某種物理性質(zhì)與溫度或時(shí)間關(guān)系的一類技術(shù)。常用的熱分析儀主要有熱重儀、差示掃描量熱儀、同步熱分析儀、熱機(jī)械分析儀、熱膨脹儀、動(dòng)態(tài)機(jī)械儀等。

2熱重法thermogravimetry;TG

在程序控溫和一定氣氛下,測(cè)量試樣的質(zhì)量與溫度或時(shí)間關(guān)系的技術(shù)。熱重曲線(TGcurve)是由熱重儀測(cè)得以質(zhì)量(或質(zhì)量分?jǐn)?shù))隨溫度或時(shí)間變化形式表示的曲線。曲線的縱坐標(biāo)為質(zhì)量m(或質(zhì)量分?jǐn)?shù)),向上表示質(zhì)量增加,向下表示質(zhì)量減小;橫坐標(biāo)為溫度T或時(shí)間t,自左向右表示溫度升高或時(shí)間增加。微商熱重曲線(derivativethermogravimetriccurve,DTGcurve)是由測(cè)得的TG曲線,以質(zhì)量變化速率與溫度或時(shí)間的關(guān)系圖示。

3差熱分析differentialthermalanalysis;DTA

在程序控溫和一定氣氛下,測(cè)量試樣和參比物溫度差與溫度或時(shí)間關(guān)系的技術(shù)。差熱分析曲線(DTAcurve)是由差熱分析儀測(cè)得的曲線。曲線的縱坐標(biāo)是試樣和參比物的溫度差(ΔT),橫坐標(biāo)是溫度或時(shí)間,吸/放熱峰以曲線吸/放熱標(biāo)識(shí)所示方向?yàn)闇?zhǔn)。

4差示掃描量熱法differentialscanningcalorimetry;DSC

在程序控溫和一定氣氛下,測(cè)量輸給試樣和參比物的熱流速率或加熱功率(差)與溫度或時(shí)間關(guān)系的技術(shù)。根據(jù)測(cè)量方法,可分為熱流式差示掃描量熱法(heat-fluxDSC)和功率補(bǔ)償式差示掃描量熱法(power-compensationDSC)。熱流式DSC是按程序控溫改變?cè)嚇雍蛥⒈任餃囟葧r(shí),測(cè)量與試樣和參比物溫差相關(guān)的熱流速率與溫度或時(shí)間關(guān)系的技術(shù)。功率補(bǔ)償式DSC是在程序控溫并保持試樣和參比物溫度相等時(shí),測(cè)量輸給試樣和參比物的加熱功率(差)與溫度或時(shí)間關(guān)系的技術(shù)。差示掃描量熱曲線(DSCcurve)是由差示掃描量熱儀測(cè)得的試樣和參比物的熱流速率或加熱功率(差)與溫度或時(shí)間的關(guān)系曲線圖示。曲線的縱坐標(biāo)為熱流速率(heatflowrate)或稱熱流量(heatflow),橫坐標(biāo)為溫度或時(shí)間,吸/放熱峰以曲線吸/放熱標(biāo)識(shí)所示方向?yàn)闇?zhǔn),通常曲線向上為正,表示吸熱效應(yīng);向下為負(fù),表示放熱反應(yīng)。

5同步熱分析法simultaneousthermalanalyticaltechniques;STA

在程序控溫和一定氣氛下,對(duì)一個(gè)試樣同時(shí)采用兩種或多種熱分析技術(shù)。本標(biāo)準(zhǔn)中所定義的同步熱分析法是在程序控溫和一定氣氛下,同時(shí)測(cè)量試樣的質(zhì)量以及試樣與參比物的溫度差或熱流差與時(shí)間或溫度關(guān)系的一種同時(shí)聯(lián)用技術(shù),分別簡稱為TG-DTA法或TG-DSC法。

6質(zhì)譜法massspectrometry;MS

分離和記錄離子化的原子或分子的方法。質(zhì)譜儀一般是由離子源、質(zhì)量分析器、離子檢測(cè)系統(tǒng)3個(gè)主要部分和進(jìn)樣系統(tǒng)、真空系統(tǒng)兩個(gè)輔助部分組成。樣品分子由進(jìn)樣系統(tǒng)導(dǎo)入離子源,在離子源中以某種方式電離成為分子離子,同時(shí)也可能伴隨著碎裂,生成各種碎片離子。這些離子經(jīng)過加速電極加速,以一定速度進(jìn)入質(zhì)量分析器,按質(zhì)荷比(m/z)大小被分離后,依次達(dá)到離子檢測(cè)器被檢測(cè),檢測(cè)它們的強(qiáng)度。這里質(zhì)荷比(m/z)是離子的質(zhì)量(m)與其所帶的電荷(z)之比,m以原子量質(zhì)量單位(amu)算,z以電子電量為單位計(jì)算。

7進(jìn)樣系統(tǒng)samplingsystem;SS

在室溫和常壓下,氣態(tài)或液態(tài)樣品通過一個(gè)可調(diào)噴口以中性流的形式導(dǎo)入離子源內(nèi)進(jìn)行質(zhì)譜分析的裝置。氣體和低沸點(diǎn)液體樣品的進(jìn)樣,只需用注射針穿過密封墊圈將樣品注入加熱的真空儲(chǔ)存器,液體樣品進(jìn)入后立即氣化,并維持一定的樣品氣壓。在熱分析-質(zhì)譜聯(lián)用系統(tǒng)中,采用石英玻璃毛細(xì)管或不銹鋼毛細(xì)管等接口,從熱分析儀逸出的氣體,通過這個(gè)接口進(jìn)入到質(zhì)譜儀。為使從熱分析儀出來的逸出氣體不會(huì)在輸送過程中冷凝,輸送管道及接口通常要加熱到200℃~300℃。

8真空系統(tǒng)vacuumsystem;VS

裝置內(nèi)部分物質(zhì)被排除,使其壓力小于101.3kPa(一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)大氣壓)的特定空間。真空度常用帕斯卡(Pa)或托爾(Torr)做為壓力的單位。質(zhì)譜儀通常在高真空條件下工作,真空度一般在10-4Pa~10-6Pa。通常儀器的尺寸越大,離子平均自由程愈大,真空度就愈高。

分析步驟熱分析 - 質(zhì)譜聯(lián)用測(cè)定方法分析步驟如下:

a )開機(jī)前準(zhǔn)備: 檢查氣路、電源;

b )按照儀器操作規(guī)程開機(jī);

c )稱量樣品: 將若干毫克待測(cè)樣品置于 TG-DTA 或 TG-DSC 坩堝內(nèi),稱重, 并記錄讀數(shù);

d )通入載氣: 載氣流量視需要而定, 流量通常為 30 mL / min~50 mL / min ;

e )根據(jù)測(cè)試要求, 在計(jì)算機(jī)上設(shè)定測(cè)量溫度范圍、升(降) 溫速率、 氣體流量和溫度程控方式等試驗(yàn)條件, 具體設(shè)定方法參考不同儀器的使用說明書;

f )在計(jì)算機(jī)上設(shè)定好程序后, 開始試驗(yàn), 記錄 TG 、 DTA / DSC 、 MS 掃描曲線, 分析試驗(yàn)結(jié)果。


發(fā)布時(shí)間:2018-06-07實(shí)施時(shí)間:2019-05-01

頒發(fā)部門:國家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局


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