首先我們來了解一下SEM掃描電鏡

掃描電鏡（SEM）是介于透射電鏡和光學(xué)顯微鏡之間的一種微觀形貌觀察手段，可直接利用樣品表面材料的物質(zhì)性能進行微觀成像。掃描電鏡以其特有的優(yōu)點，影響掃描電鏡（SEM）的幾大要素。

C. 成像方式及所用的調(diào)制信號： 當(dāng)以二次電子為調(diào)制信號時，由于其能量低(小于50 eV)，平均自由程短（10~100nm左右），只有在表層50～100nm的深度范圍內(nèi)的二次電子才能逸出樣品表面，發(fā)生散射次數(shù)很有限，基本未向側(cè)向擴展，因此，二次電子像分辨率約等于束斑直徑。當(dāng)以背散射電子為調(diào)制信號時，由于背散射電子能量比較高，穿透能力強，可從樣品中較深的區(qū)域逸出(約為有效作用深度的30％左右)。在此深度范圍，入射電子已有了相當(dāng)寬的側(cè)向擴展，所以背散射電子像分辨率要比二次電子像低，一般在500～2000nm左右。如果以吸收電子、X射線、陰極熒光、束感生電導(dǎo)或電位等作為調(diào)制信號的其他操作方式，由于信號來自整個電子束散射區(qū)域，所得掃描像的分辨率都比較低，一般在l 000nm或l0000nm以上不等。

此外，例如信噪比、磁場條件，機械振動引起的束流漂移都有影響。

包括：表面形貌襯度和原子序數(shù)襯度。表面形貌襯度由試樣表面的不平整性引起。原子序數(shù)襯度指掃描電子束入射試祥時產(chǎn)生的背散射電子、吸收電子、X射線，對微區(qū)內(nèi)原子序數(shù)的差異相當(dāng)敏感。原子序數(shù)越大，圖像越亮。二次電子受原子序數(shù)的影響較小。高分子中各組分之間的平均原子序數(shù)差別不大；所以只有—些特殊的高分子多相體系才能利用這種襯度成像。

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