聚焦離子束（FIB）常見問題

1、FIB制樣的注意事項(xiàng)是什么？

答：①首先確定樣品成分是否導(dǎo)電，導(dǎo)電性差的樣品要噴金；②其次FIB的目的，截面看SEM還是TEM；TEM是做普通高分辨還是球差，普通的高分辨減薄厚度比球差要厚一些，最薄可以減薄到十個(gè)nm左右的厚度；③進(jìn)而切割或取樣位置；④確定材料是否耐高壓，F(xiàn)IB制樣一般常用電壓是30KV；⑤樣品最好表面拋光。

2、FIB樣品為什么需要導(dǎo)電？

答：樣品是在SEM電鏡下進(jìn)行操作，需要清晰觀察到樣品形貌，否則無法精準(zhǔn)制樣。

3、FIB可以做什么？

答：①FIB-SEM：FIB制備微米級(jí)樣品截面，進(jìn)行SEM和能譜測(cè)試；樣品尺度要求2～30 μm，通常切樣面直徑不超過10 μn；②FIB-TEM：FIB制備滿足透射電鏡的TEM截面樣品；樣品包括：薄膜、塊體樣品，微米級(jí)顆粒；樣品種類：陶瓷、金屬等。

4、FIB切下來的樣品直接上TEM嗎？是否還需要離子減??？

答：FIB切過的樣品不需要離子減薄，可以直接上TEM，但要盡量減得薄一些，否則TEM不太好看，最好不要超過100 nm。

5、FIB-TEM的制樣流程是什么?

答：①找到目標(biāo)位置（定位非常重要），表面噴Pt保護(hù)（樣品導(dǎo)電則不用噴Pt）； ②將目標(biāo)位置前后兩側(cè)的樣品挖空，剩下目標(biāo)區(qū)域后進(jìn)行U-cut；③通過Easylift將這個(gè)薄片取出，將樣品焊到銅網(wǎng)上的樣品柱上，標(biāo)注好樣品位置；④減薄到理想厚度后停止。

6、FIB制樣可能引入的雜質(zhì)？

答：Pt和Ga，其中Pt是為了保護(hù)減薄區(qū)域，Ga是離子源。如果樣品不導(dǎo)電可能噴Au或者噴Cr，從而引入這兩種元素。

7、FIB切的透射薄片有孔或者部分脫落有影響嗎？

答：切樣的目的就是為了減薄樣品，一些材質(zhì)減薄后就會(huì)出現(xiàn)部分脫落、穿孔的現(xiàn)象，屬于正?，F(xiàn)象，有薄區(qū)，不影響透射拍攝即可，比如離子減薄制樣就是要在材料上穿一個(gè)孔。

8、FIB電路修補(bǔ)的原理是什么？

答：原理是利用鎵離子撞擊樣品表面，搭配有機(jī)氣體進(jìn)行有效的選擇性蝕刻(切斷電路)、沉積導(dǎo)體或非導(dǎo)體(新接電路)。

9、FIB離子注入的優(yōu)點(diǎn)有哪些？

答：無需掩模和感光膠層，簡化工藝，減少污染，提高器件的可靠性和成品率；對(duì)離子種類、電荷、能量等進(jìn)行精確控制。

10、FIB三維重構(gòu)的原理是什么？

答：主要是利用FIB對(duì)樣品表面進(jìn)行切割（厚度~2nm），然后利用背散射電子信號(hào)進(jìn)行成像，重復(fù)以上切割和成像兩個(gè)動(dòng)作，可實(shí)現(xiàn)對(duì)樣品三維結(jié)構(gòu)的連續(xù)成像，通過后期的計(jì)算機(jī)圖像處理技術(shù)獲取樣品在三維空間中的結(jié)構(gòu)信息。

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