二次離子質(zhì)譜（SIMS）檢測

No. 1技術(shù)指標

縱向分辨率：2-10nm

離子源：Cs離子及O離子

束斑及能量：30um及以上

質(zhì)量比分辨率：>4000

雜質(zhì)檢測限：ppm-ppb級別

No.2擅長樣品

Si、GaN、SiC、III-V、II-VI塊體及半導體薄膜材料微量摻雜元素的深度剖析

No.3定量分析

Si基（P、B、C、H、O等）

GaN基（Mg、Si、C、H、O等）

SiC基部分元素定量分析

No.4工作原理

SIMS可以探測濃度非常低的摻雜和雜質(zhì)，也可以提供從幾nm到幾十μm范圍內(nèi)的元素深度分布。一定能量的離子打到固體表面會引起表面原子分子或原子團的二次發(fā)射，即離子濺射。濺射的粒子一般以中性為主，其中有一部分帶有正、負電荷，這就是二次離子。利用質(zhì)量分析器接收分析二次離子就得到二次離子質(zhì)譜。SIMS具有很高的靈敏度，可達到ppm甚至ppb量級。

No.5應用范圍

1、摻雜和雜質(zhì)深度分析

2、薄膜的組成和雜質(zhì)的測量（金屬、介電質(zhì)、Si、III-V和II-VI材料）

3、淺注入和超薄膜的超高分辨率深度分析

4、塊材分析，包括Si中的B, C, O和 N元素

5、芯片分析，芯片結(jié)構(gòu)及雜質(zhì)元素定性定量分析，包括LED芯片、功率器件、SiC、氧化鎵等半導體芯片

收費標準及樣品要求

案例圖片

其他注意事項

1、Unit：指一個測試條件，根據(jù)樣品復雜情況或者耗時情況而定

2、SIMS測試條件比較復雜，不同基體材料，測不同的元素都可能不一樣，具體報價要看樣品具體結(jié)構(gòu)和測試要求。

3、SIMS最小束斑：幾十個微米

4、多孔結(jié)構(gòu)不建議測SIMS，孔會影響深度分辨率

5、常規(guī)的動態(tài)SIMS測試因為表面狀態(tài)的影響，表面10-20 nm 內(nèi)不準確，因此需要測試穩(wěn)定后讀取數(shù)值；

6、有機薄膜的成分涉及到標樣選擇，因為基底是有機薄膜，Cameca SIMS為磁質(zhì)譜SIMS，很可能無法精確定量，應該選擇Tof-SIMS做定性分析；

7、芯片SIMS因為尺寸小，結(jié)構(gòu)復雜，需要對其進行前處理，包括了拋光或者去除電極等操作，具有樣品處理的額外收費，另外尺寸小定位分析耗時長，因此相對wafer或者Bulk樣品會有上浮。