二次離子質(zhì)譜（SIMS）問題解答匯總（二）

1.通常提到的是高分辨高靈敏度表面分析系統(tǒng)嗎？

   TOF-SIMS是高空間分辨和高探測(cè)靈敏度的成分分析系統(tǒng)；

2.3D重構(gòu)圖是需要自己分析畫出嗎？

專用軟件對(duì)數(shù)據(jù)處理；

3.請(qǐng)問數(shù)據(jù)分析要使用特定的軟件嗎？

    是專用軟件；質(zhì)譜圖可以導(dǎo)出用EXCEL打開的格式；

4.單顆粒面積太小深度剖析會(huì)不會(huì)荷電很差，導(dǎo)致結(jié)果不準(zhǔn)？

    看材料荷電效應(yīng)，單顆粒尺寸大小；

5.能不能定量測(cè)呢，包括成分？

    需要標(biāo)準(zhǔn)樣品可以定量分析；

6.FIB與SIMS聯(lián)用，邊緣效應(yīng)怎么處理呢？

    FIB加工后的斷面，在SIMS分析前需要用離子源再清潔后再測(cè)試；

7.分析深度能達(dá)到多少？

    表面是小于2nm, 結(jié)合濺射離子源可以到微米深度；

8.皮膚斷面怎么切才能沒有雜質(zhì)

    采用冷凍顯微薄片切片機(jī)在冷凍條件下制備截面樣品

9.高聚物表面的親水基團(tuán)的伸展方向和深度能測(cè)么？

    通過團(tuán)簇離子源深度剖析的方法可以試試；

10.礦物浮選劑方面做的多不？

    可以

11.深度剖面橫坐標(biāo)時(shí)間與深度如何轉(zhuǎn)換？

    首先獲得濺射速率，通過濺射速率可以把時(shí)間轉(zhuǎn)換成深度；（軟件和EXCEL都可以實(shí)現(xiàn)）

12.能分析的最小厚度是多少？

    深度剖析最小可以分析1個(gè)納米的厚度；

13.測(cè)試了無(wú)機(jī)物的深度剖析，界面上本來(lái)，成分不該有變化，但是也有一個(gè)起跳可能是什么原因？

    第一看儀器測(cè)試條件的穩(wěn)定性如何？（total ion/ 以及其它特征離子是不是都有回跳？如果都有回跳，可能是測(cè)試條件不穩(wěn)定）， 如果只是特別元素回跳而其它離子比較正常，那很可能是真實(shí)的界面擴(kuò)散；還有就是基體效應(yīng)的影響；總之還是要看實(shí)際情況而定；

14.可以對(duì)樣品僅金屬截面機(jī)械拋光后進(jìn)行TOFSIMS測(cè)量？

    污染干擾太多，這樣制樣可以測(cè)，但數(shù)據(jù)太雜；

15.生物或植物組織石蠟包埋切斷面會(huì)影響結(jié)果嗎？

    可以測(cè)，但測(cè)之前最好用團(tuán)簇離子源剝離表面再測(cè)比較好；

16.Si負(fù)極固態(tài)電解質(zhì)膜做Depth profile?

    真空兼容性好的，都可以測(cè)試；

17.AuS2如何確認(rèn)呢，有硫的話會(huì)有各種硫成分？

    分別采集正負(fù)離子圖譜，Au在正負(fù)離子模式下都有明顯的產(chǎn)額，伴隨Aux 團(tuán)簇離子；S、SOx主要在負(fù)離子模式下產(chǎn)額高，S/SO/SO2/SO3這些離子都會(huì)出現(xiàn)，AuxSy 或AuxSOy這種離子也會(huì)出現(xiàn)；

18.組織如果不冷凍如何固定在硅片上？

    需要冷凍或干燥態(tài)

19.hitachi的FIB-tof-sims，這個(gè)設(shè)備怎么樣呢？

    FIB+TOF的這種系統(tǒng)，成像很好（空間分辨率高），但質(zhì)量分辨不如專用的TOF-SIMS；適合無(wú)機(jī)材料，不適用有機(jī)高分子材料成分剖析（大分子離子產(chǎn)額低，質(zhì)量分辨率差）。