二次離子質(zhì)譜（SIMS）問(wèn)題解答匯總（一）

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發(fā)表時(shí)間：2023-09-20 17:09作者：鑠思百檢測(cè)

在做TOF-SIMS測(cè)試時(shí)，武漢鑠思百檢測(cè)小編在與很多同學(xué)溝通中了解到，好多同學(xué)對(duì)此項(xiàng)目不太了解，所以對(duì)TOF-SIMS測(cè)試進(jìn)行問(wèn)題收集并整理，希望可以幫助到科研圈的伙伴們；

1. 質(zhì)譜測(cè)試正負(fù)離子模式是什么？測(cè)試的是同樣一個(gè)位置嗎？

TOF-SIMS是采用初級(jí)離子源（Bi源）入射樣品的表面激發(fā)出材料里的離子，通常給樣品加不同偏壓分別采集正離子或負(fù)離子，金屬離子主要在正離子模式產(chǎn)額比較高，而電負(fù)性元素如O\OH\F\Cl\S\N\Br等在負(fù)離子模式產(chǎn)額高，如果組分有金屬氧化物，比如NiO, 那一定會(huì)在正離子模式產(chǎn)生Ni原子離子，以及NixOy的分子離子，而負(fù)離子模式一定有O原子離子，同時(shí)也有NixOy的分子離子，當(dāng)然在正離子模式下大多數(shù)情況 x>y, 負(fù)離子模式下x<y, 這個(gè)案例中也有NiOH這樣的離子，說(shuō)明有可能有氫氧化物存在。

2. TOF-SIMS可以看含量不？？應(yīng)該怎么做？

正常TOF-SIMS是看不了含量的，數(shù)據(jù)橫坐標(biāo)是M/Z，縱坐標(biāo)是強(qiáng)度/計(jì)數(shù)。理由如下：強(qiáng)度與含量是沒(méi)有直接關(guān)系的。首先，同種基材不同離子的產(chǎn)額不同，產(chǎn)額高的譜峰強(qiáng)度高，但并不代表含量高，也就是說(shuō)譜峰強(qiáng)弱與含量沒(méi)有直接對(duì)應(yīng)關(guān)系，如果要定量必須選用與測(cè)試樣品基體效應(yīng)相同的標(biāo)準(zhǔn)樣品，得到靈敏度因子才可以定量！第二，同種離子在不同基體材料中的離子產(chǎn)額也不同，所以同一樣品不同離子譜峰強(qiáng)度與含量無(wú)關(guān)，同種離子在不同材料中的譜峰強(qiáng)弱也與含量無(wú)關(guān)，只有同種材料的不同樣品中的同種離子可以比較，譜峰強(qiáng)度高代表含量高。做深度濺射曲線可以看隨深度方式，分子片段的相對(duì)變化趨勢(shì)。

3. 測(cè)試的是同樣一個(gè)位置嗎？

是的。默認(rèn)測(cè)試同樣可以位置的正負(fù)離子模式。

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