XPS理論知識(shí)介紹 二維碼
發(fā)表時(shí)間:2023-11-02 14:20作者:鑠思百檢測(cè) XPS基本基本概念和原理 XPS是基于光電效應(yīng)來(lái)進(jìn)行表面分析的。如圖1所示,用能量為hν的特征X射線照射待測(cè)樣品表面,光子將其全部能量轉(zhuǎn)移給原子或分子中的束縛電子;由于X射線能量較高,主要是原子內(nèi)層軌道上的電子被電離成自由電子。通過(guò)能量分析器和光電倍增管檢測(cè)出射電子的能量及數(shù)量,根據(jù)愛(ài)因斯坦光電發(fā)射方程(Ek=hν-EB,其中:Ek為出射電子的動(dòng)能;EB為樣品中電子的結(jié)合能;hν為入射光子的能量)即可計(jì)算出樣品的結(jié)合能。以被測(cè)電子的動(dòng)能或結(jié)合能為橫坐標(biāo),出射電子的數(shù)目為縱坐標(biāo)即可繪制出被測(cè)樣品的X射線光電子能譜圖
(1)光電效應(yīng)(photoelectron effect)
(2)結(jié)合能 (3)化學(xué)位移
2、光電子能譜分析方法
1)定性分析 ②X射線的伴峰:一般情況下由于X射線源并非完全單一引起, 同時(shí)區(qū)別Auger電子峰和X射線光電子峰; ④ X射線“鬼峰”:由于X射源的陽(yáng)極可能不純或被污染,則產(chǎn)生的X射線不純。 “鬼峰”為非陽(yáng)極材料X射線所激發(fā)出的光電子譜線; ⑤能量損失峰:光電子在離開(kāi)樣品表面的過(guò)程中有可能與表面的其它電子相互作用而損失一定的能量,從而在XPS低動(dòng)能側(cè)出現(xiàn)一些伴峰,即能量損失峰;
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