掃描電鏡BSE和EBSD區(qū)別

電子背散射衍射EBSD是什么

將一束電子束轟擊至樣品表面，電子撞擊晶體中原子產(chǎn)生散射，這些散射電子由于撞擊的晶面類型(指數(shù)、原子密度)不同在某些特定角度產(chǎn)生衍射效應(yīng)，在空間產(chǎn)生行射圓錐。幾乎所有晶面都會(huì)形成各自的衍射圓錐，并向空間無(wú)限發(fā)散。

用熒光屏平面去截取這樣-一個(gè)個(gè)無(wú)限發(fā)散的衍射圓錐，就得到了一系列的菊池帶。而截取菊池帶的數(shù)量和寬度，與熒光屏大小和熒光屏距樣品(衍射源)的遠(yuǎn)近有關(guān)。再把熒光屏獲取的電子信號(hào)用后面的高靈敏度CCD相機(jī)采集轉(zhuǎn)換并顯示出來(lái)。

背散射電子( BSE )是由入射電子束與原子核的彈性散射或非彈性散射所產(chǎn)生的高能電子。背散射電子( BSE )的產(chǎn)率,即出射的背散射電子( BSE )數(shù)與入射電子數(shù)之比,取決于樣品平均原子序數(shù):平均原子數(shù)越高,或元素越重,襯度就越亮。在掃描電鏡中，背散射電子是通過(guò)放置在樣品上方的四分割半導(dǎo)體探測(cè)器檢測(cè)到的。

掃描電鏡BSE和EBSD區(qū)別

BSE與EBSD兩者共同點(diǎn)都是背散射電子源，但是用途迥異。 BSE在SEM里是背散射電子信號(hào)成形貌像;EBSD是利用背散射電子衍射出來(lái)的菊池花樣進(jìn)行晶體取向標(biāo)定,EBSD技術(shù)只能用來(lái)研究晶體材料

區(qū)別在于：BSE在SEM里是背散射電子信號(hào)成形貌像；EBSD是利用背散射電子衍射出來(lái)的菊池花樣進(jìn)行晶體取向標(biāo)定。BSE一般主要是用其對(duì)原子序數(shù)襯度比較敏感，可用來(lái)看析出相啊，第二相分布等，EBSD可以用來(lái)看變形后如冷軋等其內(nèi)部晶粒取向，織構(gòu)取向等問(wèn)題的。