sims測試截面需要切割嗎

sims測試截面需要切割嗎？制備截面或剖面的時(shí)，最怕引入新的污染或造成交叉污染，因此需要采用離子束剖面切割來制備樣品。

TOF-SIMS主要通過離子源發(fā)射離子束濺射樣品表面進(jìn)行分析。離子束作為一次離子源，經(jīng)過一次離子光學(xué)系統(tǒng)的聚焦和傳輸，到達(dá)樣品表面。樣品表面經(jīng)過濺射，產(chǎn)生二次離子，系統(tǒng)將產(chǎn)生的二次離子提取和聚焦，并將二次離子送入離子飛行系統(tǒng)。在離子飛行系統(tǒng)中，不同種類的二次離子由于質(zhì)荷比不同，飛行速度也不同，在飛行系統(tǒng)分離，通過檢測這些離子進(jìn)行相關(guān)分析

圖2 TOF-SIMS 機(jī)理圖

二次離子質(zhì)譜主要利用質(zhì)譜法區(qū)分一次離子濺射樣品表面后產(chǎn)生的二次離子，可用來分析樣品表面元素成分和分布。

飛行時(shí)間分析技術(shù)利用不同離子的質(zhì)荷比不同造成的飛行速度不同來區(qū)分不同種類的離子。

TOF-SIMS結(jié)合了二次離子質(zhì)譜和飛行時(shí)間器的功能，提高了檢測樣品元素成分和分布的準(zhǔn)確性。

TOF-SIMS橫向和縱向的分辨率高且質(zhì)譜提供的靈敏度高，可以分析元素、同位素、分子等信息。

這些特點(diǎn)使得TOF-SIMS成為表面分析的主要技術(shù)之一，可以提供EDX、AES、XPS等技術(shù)無法提供的元素信息。

接下來鑠思百檢測小編帶大家了解更多關(guān)于SIMS的測試常見問題及解答

1.通常提到的是高分辨高靈敏度表面分析系統(tǒng)嗎？

   TOF-SIMS是高空間分辨和高探測靈敏度的成分分析系統(tǒng)；

2.3D重構(gòu)圖是需要自己分析畫出嗎？

專用軟件對(duì)數(shù)據(jù)處理；

3.請(qǐng)問數(shù)據(jù)分析要使用特定的軟件嗎？

    是專用軟件；質(zhì)譜圖可以導(dǎo)出用EXCEL打開的格式；

4.單顆粒面積太小深度剖析會(huì)不會(huì)荷電很差，導(dǎo)致結(jié)果不準(zhǔn)？

    看材料荷電效應(yīng)，單顆粒尺寸大小；

5.能不能定量測呢，包括成分？

    需要標(biāo)準(zhǔn)樣品可以定量分析；

6.FIB與SIMS聯(lián)用，邊緣效應(yīng)怎么處理呢？

    FIB加工后的斷面，在SIMS分析前需要用離子源再清潔后再測試；

7.分析深度能達(dá)到多少？

    表面是小于2nm, 結(jié)合濺射離子源可以到微米深度；

8.皮膚斷面怎么切才能沒有雜質(zhì)

    采用冷凍顯微薄片切片機(jī)在冷凍條件下制備截面樣品

9.高聚物表面的親水基團(tuán)的伸展方向和深度能測么？

    通過團(tuán)簇離子源深度剖析的方法可以試試；

10.礦物浮選劑方面做的多不？

    可以

11.深度剖面橫坐標(biāo)時(shí)間與深度如何轉(zhuǎn)換？

    首先獲得濺射速率，通過濺射速率可以把時(shí)間轉(zhuǎn)換成深度；（軟件和EXCEL都可以實(shí)現(xiàn)）

12.能分析的最小厚度是多少？

    深度剖析最小可以分析1個(gè)納米的厚度；

13.測試了無機(jī)物的深度剖析，界面上本來，成分不該有變化，但是也有一個(gè)起跳可能是什么原因？

    第一看儀器測試條件的穩(wěn)定性如何？（total ion/ 以及其它特征離子是不是都有回跳？如果都有回跳，可能是測試條件不穩(wěn)定）， 如果只是特別元素回跳而其它離子比較正常，那很可能是真實(shí)的界面擴(kuò)散；還有就是基體效應(yīng)的影響；總之還是要看實(shí)際情況而定；

14.可以對(duì)樣品僅金屬截面機(jī)械拋光后進(jìn)行TOFSIMS測量？

    污染干擾太多，這樣制樣可以測，但數(shù)據(jù)太雜；

15.生物或植物組織石蠟包埋切斷面會(huì)影響結(jié)果嗎？

    可以測，但測之前最好用團(tuán)簇離子源剝離表面再測比較好；

16.Si負(fù)極固態(tài)電解質(zhì)膜做Depth profile?

    真空兼容性好的，都可以測試；

17.AuS2如何確認(rèn)呢，有硫的話會(huì)有各種硫成分？

    分別采集正負(fù)離子圖譜，Au在正負(fù)離子模式下都有明顯的產(chǎn)額，伴隨Aux 團(tuán)簇離子；S、SOx主要在負(fù)離子模式下產(chǎn)額高，S/SO/SO2/SO3這些離子都會(huì)出現(xiàn)，AuxSy 或AuxSOy這種離子也會(huì)出現(xiàn)；

18.組織如果不冷凍如何固定在硅片上？

    需要冷凍或干燥態(tài)

19.hitachi的FIB-tof-sims，這個(gè)設(shè)備怎么樣呢？

    FIB+TOF的這種系統(tǒng)，成像很好（空間分辨率高），但質(zhì)量分辨不如專用的TOF-SIMS；適合無機(jī)材料，不適用有機(jī)高分子材料成分剖析（大分子離子產(chǎn)額低，質(zhì)量分辨率差）。