GBT 25188-2010硅晶片表面超薄氧化硅層厚度的測量 X射線光電子能譜法

【國家標(biāo)準(zhǔn)】標(biāo)準(zhǔn)號：GBT 25188-2010

　中文名：硅晶片表面超薄氧化硅層厚度的測量 X射線光電子能譜法

　范圍：

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了一種準(zhǔn)確測量硅晶片表面超薄氧化硅層厚度的方法， 即ｘ射線光電子能譜法（ＸＰＳ）。本標(biāo)準(zhǔn)適用于熱氧化法在硅晶片表面制備的超薄氧化硅層厚度的準(zhǔn)確測量； 通常， 本標(biāo)準(zhǔn)適用的氧化硅層厚度不大于６nm。

      單晶硅基片表面氧化硅層和碳質(zhì)污染層的模型如圖１所示。 在二氧化硅和元素硅界面間存在中間氧化物， 如:ｓｉ2Ｏ3、 ＳｉＯ和ｓｉ2Ｏ。本方法需考慮中間氧化物層對氧化硅層厚度測量的影響。當(dāng)樣品表面輕微污染（碳質(zhì)污染層為0.15ｎｍ～0.3ｎｍ）時(shí)，污染層對厚度測量的影響可以忽略；當(dāng)樣品表面污染較嚴(yán)重時(shí)，按６．１．２進(jìn)行清洗。

　發(fā)布時(shí)間：2010-09-26

　實(shí)施時(shí)間：2011-08-01

　頒發(fā)部門：國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局

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