鑠思百檢測

DETECTION OF TECHNICAL SOUSEPAD

透射電子顯微鏡(TEM-EDS)掃描電子顯微鏡(FESEM-EDS)球差電鏡激光共聚焦顯微鏡(LSCM)原子力顯微鏡(AFM)電子探針儀(EPMA)金相顯微鏡電子背散射衍射儀(EBSD)臺階儀,膜厚儀,探針接觸式輪廓儀,3D輪廓儀工業(yè)CT白光干涉儀(非接觸式3D表面輪廓儀)電鏡測試FIB制樣離子減薄制樣冷凍超薄切片制樣樹脂包埋制樣(生物制樣)液氮脆斷制樣金網(wǎng)鉬網(wǎng)銅網(wǎng)超薄碳膜微柵制樣電鏡制樣X射線光電子能譜分析儀(XPS)紫外光電子能譜(UPS)俄歇電子能譜(AES)X射線衍射儀(XRD)X射線散射儀SAXS/WAXSX射線殘余應(yīng)力分析儀X射線熒光光譜分析儀(XRF)電感耦合等離子體光譜儀(ICP-OES)紫外可見反射儀(DRS)拉曼光譜(RAMAN)紫外-可見分光光度計(UV)圓二色譜(CD)傅里葉變換紅外光譜分析儀(FTIR)吡啶紅外(DRIFTS)單晶衍射儀穆斯堡爾光譜儀穩(wěn)態(tài)瞬態(tài)熒光光譜分析儀(PL)原子吸收分光光度計原子熒光光度計(AFS)三維熒光 /熒光分光光度計紅外熱成像儀霧度儀旋光儀橢偏儀光譜測試電感耦合等離子體質(zhì)譜儀(ICP-MS)電噴霧離子化質(zhì)譜儀(ESI-MS)頂空-固相微萃取氣質(zhì)聯(lián)用儀(HS -SPME -GC -MS)二次離子質(zhì)譜(SIMS)基質(zhì)輔助激光解吸電離飛行時間質(zhì)譜儀(MALDI-TOF)裂解氣質(zhì)聯(lián)用儀(PY-GC-MS)氣質(zhì)聯(lián)用儀(GC-MS)同位素質(zhì)譜儀液質(zhì)聯(lián)用儀(LC-MS)質(zhì)譜測試差示掃描量熱儀(DSC)熱重分析儀(TGA)熱分析聯(lián)用儀(DSC-TGA)靜態(tài)/動態(tài)熱機械分析儀(TMA/DMA)熱重紅外聯(lián)用儀(TG-IR)熱重紅外質(zhì)譜聯(lián)用儀(TG-IR-MS)熱重紅外氣相質(zhì)譜聯(lián)用(TG-IR-GC-MS)紅外熱成像儀激光導(dǎo)熱儀錐形量熱儀(CONE)熱譜測試電子順磁共振波譜儀(EPR、ESR)固體核磁共振儀(NMR)液體核磁共振儀(NMR)微波網(wǎng)絡(luò)矢量分析儀/矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀核磁順磁波譜測試比表面及孔徑分析儀(BET)表面張力儀(界面張力儀)高壓吸附儀化學(xué)吸附儀(TPD TPR)接觸角測量儀納米壓痕儀壓汞儀(MIP)表界面物性測試氣相色譜儀(GC)高效液相色譜儀(HPLC)離子色譜儀(IC)凝膠色譜儀(GPC)液相色譜(LC)色譜測試電導(dǎo)率儀電化學(xué)工作站腐蝕測試儀介電常數(shù)測定儀卡爾費休水分測定儀自動電位滴定儀電化學(xué)儀器測試Zeta電位儀工業(yè)分析激光粒度儀流變儀密度測定儀納米粒度儀邵氏 維氏 洛氏硬度計有機鹵素分析儀(F,Cl,Br,I,At,Ts)有機元素分析儀(EA)粘度計振動樣品磁強計(VSM)土壤分析測試植物分析測試其他測試同步輻射GIWAXS GISAXS同步輻射XRD,PDF,SAXS同步輻射吸收譜-高能機時同步輻射吸收譜之軟X射線同步輻射吸收譜之硬X射線同步輻射聚焦離子束掃描電鏡(FIB-SEM)礦物定量分析系統(tǒng)MLA球差校正透射電子顯微鏡高端電鏡類原位XPS測試原位EBSD(in situ -EBSD)原位紅外原位掃描電子顯微鏡(in-situ-SEM)原位透射電子顯微鏡高端原位測試飛行時間二次離子質(zhì)譜儀(TOF-SIMS)輝光放電光譜(GD-OES MS)三維原子探針(APT)高端質(zhì)譜類Micro/Nano /工業(yè)CT飛秒瞬態(tài)吸收光譜儀(fs-TAS)掃描隧道顯微鏡深能級瞬態(tài)譜儀正電子湮滅壽命譜儀其他XPS數(shù)據(jù)分析XRD全巖黏土分析表面成分分析技術(shù)-XPS測試分析常規(guī)XRD數(shù)據(jù)分析成分指紋分析技術(shù)-紅外測試分析二維紅外光譜技術(shù)紅外(IR)數(shù)據(jù)分析拉曼數(shù)據(jù)分析三維熒光數(shù)據(jù)分析圓二色譜(CD)數(shù)據(jù)分析成分含量分析EPR/ESR數(shù)據(jù)分析VSM數(shù)據(jù)分析電化學(xué)數(shù)據(jù)分析矢量網(wǎng)絡(luò)數(shù)據(jù)分析電磁分析CT數(shù)據(jù)分析X射線吸收精細(xì)結(jié)構(gòu)普(XAFS)數(shù)據(jù)分析穆斯堡爾譜數(shù)據(jù)分析小角散射(SAXS/WAXS)數(shù)據(jù)分析高端測試分析固體核磁數(shù)據(jù)分析液體核磁(NMR)測試+分析一體化液體核磁(NMR)數(shù)據(jù)分析化學(xué)結(jié)構(gòu)分析EBSD數(shù)據(jù)分析TEM數(shù)據(jù)分析單晶XRD數(shù)據(jù)分析晶體結(jié)構(gòu)確證技術(shù)-XRD精修XRD定性定量分析晶體結(jié)構(gòu)分析BET數(shù)據(jù)分析其它數(shù)據(jù)分析需求熱分析數(shù)據(jù)處理數(shù)據(jù)分析作圖其他數(shù)據(jù)分析半導(dǎo)體激光器模擬發(fā)光二極管仿真光電探測器仿真太陽能電池仿真半導(dǎo)體器件仿真表面能差分密度磁矩單原子催化電荷密度電解水制氫反應(yīng)(HER)費米面(fermi surface)電子局域化函數(shù)(electron localization function)第一性原理分子模擬量子化學(xué)相分析有限元模擬常規(guī)理化-水樣常規(guī)理化-土樣/沉積物常規(guī)理化-氣體常規(guī)理化-植物/蔬果/農(nóng)作物常規(guī)理化-食品常規(guī)理化-肥料/飼料常規(guī)理化-巖礦常規(guī)理化-垃圾常規(guī)理化-職業(yè)衛(wèi)生常規(guī)理化-其它常規(guī)理化項目纖維素、半纖維素、木質(zhì)素含量bcr形態(tài)順序提取/tessier五步提取法土壤水體抗生素微塑料微生物磷脂脂肪酸(PLFA)非標(biāo)理化-其它非標(biāo)理化項目穩(wěn)定同位素放射性同位素同位素-其它金屬同位素同位素多糖的單糖組成測定可溶性寡糖定量土壤氨基糖多糖全套分析多糖甲基化植物糖化學(xué)-常規(guī)指標(biāo)糖化學(xué)液質(zhì)聯(lián)用LCMS高效液相色譜HPLC氣相色譜GC氣質(zhì)聯(lián)用GCMS全二維氣質(zhì)GC×GC-MS氣相色譜-離子遷移譜聯(lián)用儀(GC-IMS)液相色譜-原子熒光聯(lián)用(LC-AFS)制備型HPLC色譜質(zhì)譜數(shù)據(jù)分析液相色譜-電感耦合等離子體質(zhì)譜(LC-ICPMS)色譜質(zhì)譜DOM(FT- ICR- MS)水質(zhì)NOM(LC-OCD-OND)DOM(FT-ICR-MS)數(shù)據(jù)分析環(huán)境高端電池產(chǎn)品整體解決方案正極顆粒表面微觀形貌正極顆粒物截面形貌與元素三元正極顆粒循環(huán)前后晶界裂紋正極顆粒摻雜元素分布正極顆粒截面元素分布和晶格表征正極極片原位晶相分析正極極片截面元素分布和晶格表征正極表面CEI膜測試方法XPS正極極片截面微觀形貌觀察和元素分布正極極片CEI膜成分分析與厚度測定正極極片介電常數(shù)正極極片浸潤性正極極片包覆層觀察正極極片雜質(zhì)含量測定正極極片氧空位測定負(fù)極顆粒表面微觀形貌觀察和元素分布負(fù)極顆粒截面微觀形貌觀察和元素分布石墨類型判定負(fù)極顆粒粒徑分析負(fù)極極片孔洞分析負(fù)極顆粒包覆層觀察負(fù)極顆粒羥基含量測定負(fù)極極片包覆層觀察負(fù)極表面SEI膜分析XPS法負(fù)極極片SEI膜成分分析與厚度測定負(fù)極極片截面微觀形貌觀察和元素分布負(fù)極極片石墨碳和無定型碳比例隔膜表面微觀形貌觀察隔膜循環(huán)前后孔徑變化質(zhì)子交換膜形貌(厚度)觀察 CP+SEM質(zhì)子交換膜雜質(zhì)元素電池循環(huán)后鼓包氣電池循環(huán)后爆炸氣鋰電池極片和集流體間的粘結(jié)強度三元正極材料NCM比例燃料電池-整體解決方案電池產(chǎn)品-隔膜電池產(chǎn)品-優(yōu)勢項目正極材料-PH值正極材料-比表面積正極材料-磁性異物正極材料-化學(xué)成分正極材料-晶體結(jié)構(gòu)正極材料-粒徑分布正極材料-首次放電比容量及首次庫倫效率正極材料-水分含量正極材料-松裝密度正極材料-未知物分析正極材料-形貌,厚度與結(jié)構(gòu)正極材料-壓實密度正極材料-振實密度電池產(chǎn)品-正極材料負(fù)極材料-PH值負(fù)極材料-比表面積負(fù)極材料-層間距 石墨化度負(fù)極材料成分分析負(fù)極材料-磁性異物負(fù)極材料-粉末壓實密度負(fù)極材料-固定碳含量負(fù)極材料-化學(xué)成分負(fù)極材料-粒徑分布負(fù)極材料-石墨鑒定負(fù)極材料-水分負(fù)極材料-限用物質(zhì)含量負(fù)極材料-形貌與結(jié)構(gòu)負(fù)極材料-陰離子的測定負(fù)極材料-有機物含量負(fù)極材料-真密度負(fù)極材料-振實密度負(fù)極顆粒-石墨取向性(OI值)首次放電比容量及首次庫倫效率電池產(chǎn)品-負(fù)極材料電解液-電導(dǎo)率電解液-化學(xué)元素含量電解液-密度電解液-水分含量電解液-未知物分析電解液-游離酸(HF含量)電池產(chǎn)品-電解液電池產(chǎn)品-隔膜電池產(chǎn)品-隔膜
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活動價 ¥350.00
透射電子顯微鏡TEM
儀器型號 FEI Tecnai G2 F30,FEI Titan G2

服務(wù)周期 收到樣品后平均5-7工作日完成
項目簡介

注意:首次下單建議先聯(lián)系鑠思百工作人員,溝通拍攝要求后再下單

1,粉體、液體、可測試,薄膜或塊狀樣品不能直接拍攝,需另行制樣(如離子減薄、包埋切片、FIB等);

2,樣品的厚度不超過100nm,如果顆粒稍大一點,可適當(dāng)研磨至100nm以下(可先拍SEM判定顆粒大小);

3,一般制樣選微柵銅網(wǎng)即可,如果顆粒直徑小于10nm用超薄碳膜制樣;樣品含Cu,需要拍EDS能譜和mapping可選鎳網(wǎng)或者鉬網(wǎng)等;

4,強磁樣品要求顆粒大小不超過200nm,且不接受自己制樣;強磁樣品拍攝時會出現(xiàn)不同程度的抖動,會影響拍攝效果以及周期;因磁性抖動導(dǎo)致的效果不佳,不安排復(fù)測;


5,請務(wù)必仔細(xì)檢查您的樣品,若發(fā)現(xiàn)以弱磁強磁充當(dāng)非磁或者以強磁充當(dāng)弱磁非磁,我們將可能無法安排您的實驗,不承擔(dān)以此造成的時間和樣品損失;且須賠償原訂單金額的兩倍費用!!若造成設(shè)備損壞,維修費用須由您全部承擔(dān);

6,若需要負(fù)染制樣,請下單負(fù)染色技術(shù):

7,若樣品需要特殊條件保存,請下單前聯(lián)系鑠思百工作人員確認(rèn)


8、透射云視頻不接受自己制樣!!需由測試工程師來安排制樣。(含有易揮發(fā)的元素如鹵素,P,S,有機物等易揮發(fā)和熔點低的樣品,要判斷后再安排測試)


結(jié)果展示

1. 形貌圖


2.
點掃圖


3.
線掃圖


4.
面掃圖


5.衍射圖


樣品要求

1. 樣品狀態(tài)

粉末、液體樣品均可,薄膜和塊體等無法直接測試,需要離子減薄、雙噴、FIB、切片制樣請?zhí)崆罢f明并確認(rèn)。

2. 樣品成分要求

該說明僅針對材料測試類樣品,生物類樣品與材料類處理方式完全不同。一般對測試樣品有如下幾方面的要求:

安全性:無毒、無放射性;

是否含有有機物:有機物在高壓下不穩(wěn)定,拍攝過程中極易被打散,樣品被打散的同時會污染到儀器,如需拍攝,請務(wù)必與工作人員確認(rèn)。帶有機物的樣品,無法拍攝mapping,請在預(yù)約的時候不要選擇此選項;

磁性:磁性顆粒,易吸附到極靴上,原則上電鏡(SEM和TEM)不拍磁性樣品。但是不同的設(shè)備,測試?yán)蠋煵煌臉悠诽幚斫?jīng)驗狀況下,對所拍樣品中磁性強弱的接受度不同,所以在預(yù)約時候請大家務(wù)必如實填寫樣品是否含磁及磁性的強弱。為方便區(qū)分樣品是否有磁性及磁性強弱,我們按如下方法對磁性樣品進行定義:

磁性樣品:含鐵、鈷、鎳、錳等磁性元素均為磁性樣品。注意,磁性分硬磁和軟磁,有些材料對外不表現(xiàn)磁性,但加磁場后容易磁化,受熱后磁性增強也需要定義為磁性樣品。

強磁:吸鐵石能吸起來的樣品。

弱磁:吸鐵石吸不起來但是按前述定義為磁性的樣品。

3. 銅網(wǎng)的選擇

一般普通形貌樣品用銅網(wǎng),高分辨用超薄碳膜或者微柵;

樣品為片狀,或者大于幾十納米,看高分辨可以用微柵(微柵沒有襯底,中間是空心);

樣品若小于10nm不建議用微柵,因為會撈不上樣品;

量子點或小顆粒10nm,只能用超薄碳膜,相對襯度不是很好;mapping要做C元素,用微柵,要求片狀樣品剛好在銅網(wǎng)孔的中間,在孔邊緣也是會有碳膜存在,因為微柵骨架上也有碳膜在;

銅網(wǎng),超薄碳膜,微柵都是有Cu元素,如果做mapping,樣品剛好在骨架上,就會掃到做Cu元素,一般用鉬網(wǎng)代替,但普通鉬網(wǎng)做高分辨效果不好



常見問題



1. 能現(xiàn)場測試嗎?寄樣的話,我不在旁邊怎么才能拍到我要的圖片?

現(xiàn)場測試:目前不行,可以云視頻寄樣測試:SEM或TEM,會給到您一個測試單,您把對應(yīng)的制樣要求(分散劑、超聲時間、銅網(wǎng)等)、測試要求(標(biāo)尺、拍攝位置、形貌效果等)、測試目的等寫清楚,測試?yán)蠋煏茨付ǖ囊髞砼?/span>

2. 一個樣品會提供幾張圖片?默認(rèn)拍攝邏輯如何?

每樣品15張左右,具體根據(jù)樣品的拍攝情況而定;拍攝邏輯一般是選取2-3個有代表性的區(qū)域,具體區(qū)域逐級放大拍攝。

比如拍攝高分辨形貌,既有高分辨也有低倍形貌圖,從低倍到高倍分別在比如5nm、10nm、20nm、50nm、100nm、200nm、500nm分別拍攝一張圖片,拍攝2-3個代表性位置,一共提供15張左右圖,具體放大備注/標(biāo)尺根據(jù)實際樣品大小做出調(diào)整,若用戶有特殊要求則按照要求拍攝。

3. JPG、TIFF、DM3的區(qū)別

JPG和TIFF均是圖片格式,可以直接打開,也可以用DM軟件處理; DM3格式是Gatan公司的特有格式,配有DM軟件打開分析處理。

4. DM軟件常用的處理步驟

1.將tif等圖片格式的TEM照片拖入DM軟件,然后轉(zhuǎn)換圖片格式(Edit-Change Date Type-Integer,4-一直點確認(rèn));

2.軟件內(nèi)標(biāo)尺的確認(rèn)。先用虛線照圖中原有標(biāo)尺畫一條同等長度的線,然后(Analysis-Calibrate-看圖操作);

3.FFT(傅里葉)變換:按住Ctrl+Alt,畫一個虛線框,再將框拖至你所要分析的圖片位置,然后(Process-FFT);

4.Inverse FFT:在FFT圖中右鍵(選擇要分析的是點,環(huán)等),然后(Process-Apply Mask-Process-Inverse FFT);
(PS:要獲得晶面間距的數(shù)據(jù)就需要在反FFT的圖中獲得)

具體可下載資料查看:tif等圖片格式導(dǎo)入DM軟件數(shù)據(jù)處理的教程

5. 讓TEM照片中某個區(qū)域內(nèi)的晶格條紋變得更加清晰的步驟

1.用虛線框工具Ctrl+Alt(必須選擇2的n次方的面積圖形,這影響后面的FFT變換)——Ctrl+C-Ctrl+V——右鍵新建一個圖像方框,并將復(fù)制粘貼后的圖形拖入到該圖像方框中——在原圖中添加一個帶有數(shù)字長度單位的標(biāo)尺(右鍵-layout-第一個)——把標(biāo)尺拖入新建的圖像方框,并將它轉(zhuǎn)到新的Workspace處理。

2.更清晰(導(dǎo)出反FFT圖然后與原圖層疊加);疊加方式:Process-Simple Math(選擇“a+b”)。

6. 形貌圖片或高分辨圖片,不清楚,比較糊

1.樣品含有機物或有磁性,高壓下抖動比較厲害,很難抓拍出好的效果;

2.樣品顆粒大且厚,沒有薄區(qū);(備注:一般看形貌,要求樣品厚度小于100nm,看高分辨或晶格,樣品厚度要小于5-10nm

3.襯度不好

備注:TEM襯度是指在正焦或微微欠焦?fàn)顟B(tài)下樣品的清晰度,即樣品跟背景的反差,主要影響因素有:(1)樣品厚度(越薄越好,要求100nm以下);(2)樣品含有的元素序數(shù)(元素序數(shù)大的好一些);(3)電鏡自身分辨率;(4)部分分散劑如甲苯、丙酮等,也會導(dǎo)致襯度較低)。

高分辨比常規(guī)形貌,對樣品的磁性、厚度、穩(wěn)定性等要求更高,影響也更大

7. 高分辨圖片,給到的晶格條紋效果不好

1 .樣品結(jié)晶性不好,晶格就會不清楚;

2.襯度不好,襯度是指樣品跟背景的反差,金、銀等金屬的晶格會相對強一些,但像碳之類的,晶格會弱一些,一般晶格不清楚都是輕的元素,重的元素還好;

3.儀器本身原因,無法控制,高倍下圖片一直在抖,不是保持不變,老師根據(jù)經(jīng)驗抓拍,一般會多拍幾張篩選后數(shù)據(jù)才發(fā)過來;

4.對高分辨要求較高,比如要求2nm晶格且分辨率很高,建議嘗試球差,常規(guī)電鏡一般可拍攝最小標(biāo)尺5nm左右,實際拍攝效果跟樣品有關(guān)。

8. 給到的形貌圖團聚,沒有分散或單顆圖片

如測試單寫明要求拍單顆或分散比較好的形貌,但給到的仍是團聚圖片,多半是因為樣品團聚比較厲害,無法超聲開,具體可與鑠思百工作人員確認(rèn)。

像量子點樣品,或一個視野要求看到幾十個顆粒,為方便老師測試,最好由客戶自己提供對應(yīng)濃度和超聲時間(先在低倍下嘗試,根據(jù)低倍的圖片來調(diào)整濃度),不然我們測試時很難提供到合適的濃度。

9. 能譜數(shù)據(jù),mapping效果不好

mapping與樣品厚度、樣品對于電子束是否敏感關(guān)系較大

1.樣品厚度太大,mapping掃不出信號,一般300-30nm比較好;

2.樣品是有機物(不建議做MAPPING,做高分辨也不是很合適,容易被電子束打壞),掃久了會積碳,會拍不了;

3.樣品是磁性樣品,能譜分1代能譜和2代能譜,因為磁性樣品對儀器有損傷,一般愿意給拍磁性樣品的儀器會相對老一些,配的能譜基本都是1代能譜,馬賽克點比較大,較糊。

10. 對于包裹類大顆粒物質(zhì),未拍到包覆層形貌或者高分辨包覆層形貌

1.未包覆成功或者包覆很少,拍攝時候很難找到包覆層形貌;

2.樣品顆粒太大,厚度較厚,很難拍攝到。

11. 我樣品DLS測出的粒徑是10nm,為啥TEM測出來的是20nm

測試原理不同,TEM為圖片結(jié)果,是樣品真實形貌,其他測試由曲線得出的顆粒尺寸為計算值。


12. 樣品為異質(zhì)結(jié)類樣品,兩相晶格沒拍出來或拍出效果不好

能是因為其中相的晶體不是很好,拍攝時長時間照射,轉(zhuǎn)化為非晶體了,即如需在一張照片里拍出兩種晶格,需要樣品交界處結(jié)晶性較好,且耐電子束,一般雙相可以拍出,但三相較難在一張圖片里呈現(xiàn)



相關(guān)資料

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副標(biāo)題

【摘要】獲取衍射花樣的方法是光闌選區(qū)衍射和微束選區(qū)衍射,前者多在5平方微米以上,后者可在0.5平方微米以下,我們這里主要講述前者。在制備透射電子顯微鏡薄膜樣品時,鑠思百檢測平臺工作人員在與很多同學(xué)溝通中了解到,大多數(shù)同學(xué)沒有太好的處理薄膜樣品的方法,針對此,鑠思百檢測平臺團隊組織相關(guān)同事對網(wǎng)上海量知識進行整理,希望可以幫助到科研圈的伙伴們;實驗方法獲取衍射花樣的方法是光闌選區(qū)衍射和微束選區(qū)衍...
【摘要】TEM制樣時,為了確保樣品能夠搭載在載網(wǎng)上,會在載網(wǎng)上覆蓋一層有機膜,稱為支持膜。樣品接觸載網(wǎng)支持膜時,會很牢固的吸附在支持膜上,不至于從載網(wǎng)的空洞處滑落,以便在電鏡上觀察。在支持膜上噴碳提高支持膜的導(dǎo)電性,達(dá)到良好的導(dǎo)電效果。
【摘要】 TEM樣品的最終減薄,以獲得電子束透明的觀察區(qū)域。在制備透射電子顯微鏡薄膜樣品時,鑠思百檢測平臺工作人員在與很多同學(xué)溝通中了解到,大多數(shù)同學(xué)沒有太好的處理薄膜樣品的方法,針對此,鑠思百檢測平臺團隊組織相關(guān)同事對網(wǎng)上海量知識進行整理,希望可以幫助到科研圈的伙伴們;離子減薄目的:TEM樣品的最終減薄,以獲得電子束透明的觀察區(qū)域。
用于金屬和合金試樣的制備。(1)塊狀樣切成約0.3mm厚的均勻薄片;(2)用金剛砂紙機械研磨到約120~150μm厚;(3)拋光研磨到約100μm厚;(4)沖成Ф3mm 的圓片;(5)選擇合適的電解液和雙噴電解儀的工作條件,將Ф3mm 的圓片中心減薄出小孔;(6)迅速取出減薄試樣放入無水乙醇中漂洗干凈。
我們所得到的SEM和TEM等電鏡圖片的下部分常常帶有測試的相關(guān)參數(shù),如測試電壓,放大倍數(shù)和標(biāo)尺長度和標(biāo)尺大小等,那么對于我們在向期刊進行投稿時,編輯者都要求圖片中不需含有其測試的大部分參數(shù),只需含有測試的標(biāo)尺比例即可,則需要借助相關(guān)的軟件進行處理。
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