鑠思百檢測

DETECTION OF TECHNICAL SOUSEPAD

透射電子顯微鏡(TEM-EDS)掃描電子顯微鏡(FESEM-EDS)球差電鏡激光共聚焦顯微鏡(LSCM)原子力顯微鏡(AFM)電子探針儀(EPMA)金相顯微鏡電子背散射衍射儀(EBSD)臺(tái)階儀,膜厚儀,探針接觸式輪廓儀,3D輪廓儀工業(yè)CT白光干涉儀(非接觸式3D表面輪廓儀)電鏡測試FIB制樣離子減薄制樣冷凍超薄切片制樣樹脂包埋制樣(生物制樣)液氮脆斷制樣金網(wǎng)鉬網(wǎng)銅網(wǎng)超薄碳膜微柵制樣電鏡制樣X射線光電子能譜分析儀(XPS)紫外光電子能譜(UPS)俄歇電子能譜(AES)X射線衍射儀(XRD)X射線散射儀SAXS/WAXSX射線殘余應(yīng)力分析儀X射線熒光光譜分析儀(XRF)電感耦合等離子體光譜儀(ICP-OES)紫外可見反射儀(DRS)拉曼光譜(RAMAN)紫外-可見分光光度計(jì)(UV)圓二色譜(CD)傅里葉變換紅外光譜分析儀(FTIR)吡啶紅外(DRIFTS)單晶衍射儀穆斯堡爾光譜儀穩(wěn)態(tài)瞬態(tài)熒光光譜分析儀(PL)原子吸收分光光度計(jì)原子熒光光度計(jì)(AFS)三維熒光 /熒光分光光度計(jì)紅外熱成像儀霧度儀旋光儀橢偏儀光譜測試電感耦合等離子體質(zhì)譜儀(ICP-MS)電噴霧離子化質(zhì)譜儀(ESI-MS)頂空-固相微萃取氣質(zhì)聯(lián)用儀(HS -SPME -GC -MS)二次離子質(zhì)譜(SIMS)基質(zhì)輔助激光解吸電離飛行時(shí)間質(zhì)譜儀(MALDI-TOF)裂解氣質(zhì)聯(lián)用儀(PY-GC-MS)氣質(zhì)聯(lián)用儀(GC-MS)同位素質(zhì)譜儀液質(zhì)聯(lián)用儀(LC-MS)質(zhì)譜測試差示掃描量熱儀(DSC)熱重分析儀(TGA)熱分析聯(lián)用儀(DSC-TGA)靜態(tài)/動(dòng)態(tài)熱機(jī)械分析儀(TMA/DMA)熱重紅外聯(lián)用儀(TG-IR)熱重紅外質(zhì)譜聯(lián)用儀(TG-IR-MS)熱重紅外氣相質(zhì)譜聯(lián)用(TG-IR-GC-MS)紅外熱成像儀激光導(dǎo)熱儀錐形量熱儀(CONE)熱譜測試電子順磁共振波譜儀(EPR、ESR)固體核磁共振儀(NMR)液體核磁共振儀(NMR)微波網(wǎng)絡(luò)矢量分析儀/矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀核磁順磁波譜測試比表面及孔徑分析儀(BET)表面張力儀(界面張力儀)高壓吸附儀化學(xué)吸附儀(TPD TPR)接觸角測量儀納米壓痕儀壓汞儀(MIP)表界面物性測試氣相色譜儀(GC)高效液相色譜儀(HPLC)離子色譜儀(IC)凝膠色譜儀(GPC)液相色譜(LC)色譜測試電導(dǎo)率儀電化學(xué)工作站腐蝕測試儀介電常數(shù)測定儀卡爾費(fèi)休水分測定儀自動(dòng)電位滴定儀電化學(xué)儀器測試Zeta電位儀工業(yè)分析激光粒度儀流變儀密度測定儀納米粒度儀邵氏 維氏 洛氏硬度計(jì)有機(jī)鹵素分析儀(F,Cl,Br,I,At,Ts)有機(jī)元素分析儀(EA)粘度計(jì)振動(dòng)樣品磁強(qiáng)計(jì)(VSM)土壤分析測試植物分析測試其他測試同步輻射GIWAXS GISAXS同步輻射XRD,PDF,SAXS同步輻射吸收譜-高能機(jī)時(shí)同步輻射吸收譜之軟X射線同步輻射吸收譜之硬X射線同步輻射聚焦離子束掃描電鏡(FIB-SEM)礦物定量分析系統(tǒng)MLA球差校正透射電子顯微鏡高端電鏡類原位XPS測試原位EBSD(in situ -EBSD)原位紅外原位掃描電子顯微鏡(in-situ-SEM)原位透射電子顯微鏡高端原位測試飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜儀(TOF-SIMS)輝光放電光譜(GD-OES MS)三維原子探針(APT)高端質(zhì)譜類Micro/Nano /工業(yè)CT飛秒瞬態(tài)吸收光譜儀(fs-TAS)掃描隧道顯微鏡深能級(jí)瞬態(tài)譜儀正電子湮滅壽命譜儀其他XPS數(shù)據(jù)分析XRD全巖黏土分析表面成分分析技術(shù)-XPS測試分析常規(guī)XRD數(shù)據(jù)分析成分指紋分析技術(shù)-紅外測試分析二維紅外光譜技術(shù)紅外(IR)數(shù)據(jù)分析拉曼數(shù)據(jù)分析三維熒光數(shù)據(jù)分析圓二色譜(CD)數(shù)據(jù)分析成分含量分析EPR/ESR數(shù)據(jù)分析VSM數(shù)據(jù)分析電化學(xué)數(shù)據(jù)分析矢量網(wǎng)絡(luò)數(shù)據(jù)分析電磁分析CT數(shù)據(jù)分析X射線吸收精細(xì)結(jié)構(gòu)普(XAFS)數(shù)據(jù)分析穆斯堡爾譜數(shù)據(jù)分析小角散射(SAXS/WAXS)數(shù)據(jù)分析高端測試分析固體核磁數(shù)據(jù)分析液體核磁(NMR)測試+分析一體化液體核磁(NMR)數(shù)據(jù)分析化學(xué)結(jié)構(gòu)分析EBSD數(shù)據(jù)分析TEM數(shù)據(jù)分析單晶XRD數(shù)據(jù)分析晶體結(jié)構(gòu)確證技術(shù)-XRD精修XRD定性定量分析晶體結(jié)構(gòu)分析BET數(shù)據(jù)分析其它數(shù)據(jù)分析需求熱分析數(shù)據(jù)處理數(shù)據(jù)分析作圖其他數(shù)據(jù)分析半導(dǎo)體激光器模擬發(fā)光二極管仿真光電探測器仿真太陽能電池仿真半導(dǎo)體器件仿真表面能差分密度磁矩單原子催化電荷密度電解水制氫反應(yīng)(HER)費(fèi)米面(fermi surface)電子局域化函數(shù)(electron localization function)第一性原理分子模擬量子化學(xué)相分析有限元模擬常規(guī)理化-水樣常規(guī)理化-土樣/沉積物常規(guī)理化-氣體常規(guī)理化-植物/蔬果/農(nóng)作物常規(guī)理化-食品常規(guī)理化-肥料/飼料常規(guī)理化-巖礦常規(guī)理化-垃圾常規(guī)理化-職業(yè)衛(wèi)生常規(guī)理化-其它常規(guī)理化項(xiàng)目纖維素、半纖維素、木質(zhì)素含量bcr形態(tài)順序提取/tessier五步提取法土壤水體抗生素微塑料微生物磷脂脂肪酸(PLFA)非標(biāo)理化-其它非標(biāo)理化項(xiàng)目穩(wěn)定同位素放射性同位素同位素-其它金屬同位素同位素多糖的單糖組成測定可溶性寡糖定量土壤氨基糖多糖全套分析多糖甲基化植物糖化學(xué)-常規(guī)指標(biāo)糖化學(xué)液質(zhì)聯(lián)用LCMS高效液相色譜HPLC氣相色譜GC氣質(zhì)聯(lián)用GCMS全二維氣質(zhì)GC×GC-MS氣相色譜-離子遷移譜聯(lián)用儀(GC-IMS)液相色譜-原子熒光聯(lián)用(LC-AFS)制備型HPLC色譜質(zhì)譜數(shù)據(jù)分析液相色譜-電感耦合等離子體質(zhì)譜(LC-ICPMS)色譜質(zhì)譜DOM(FT- ICR- MS)水質(zhì)NOM(LC-OCD-OND)DOM(FT-ICR-MS)數(shù)據(jù)分析環(huán)境高端電池產(chǎn)品整體解決方案正極顆粒表面微觀形貌正極顆粒物截面形貌與元素三元正極顆粒循環(huán)前后晶界裂紋正極顆粒摻雜元素分布正極顆粒截面元素分布和晶格表征正極極片原位晶相分析正極極片截面元素分布和晶格表征正極表面CEI膜測試方法XPS正極極片截面微觀形貌觀察和元素分布正極極片CEI膜成分分析與厚度測定正極極片介電常數(shù)正極極片浸潤性正極極片包覆層觀察正極極片雜質(zhì)含量測定正極極片氧空位測定負(fù)極顆粒表面微觀形貌觀察和元素分布負(fù)極顆粒截面微觀形貌觀察和元素分布石墨類型判定負(fù)極顆粒粒徑分析負(fù)極極片孔洞分析負(fù)極顆粒包覆層觀察負(fù)極顆粒羥基含量測定負(fù)極極片包覆層觀察負(fù)極表面SEI膜分析XPS法負(fù)極極片SEI膜成分分析與厚度測定負(fù)極極片截面微觀形貌觀察和元素分布負(fù)極極片石墨碳和無定型碳比例隔膜表面微觀形貌觀察隔膜循環(huán)前后孔徑變化質(zhì)子交換膜形貌(厚度)觀察 CP+SEM質(zhì)子交換膜雜質(zhì)元素電池循環(huán)后鼓包氣電池循環(huán)后爆炸氣鋰電池極片和集流體間的粘結(jié)強(qiáng)度三元正極材料NCM比例燃料電池-整體解決方案電池產(chǎn)品-隔膜電池產(chǎn)品-優(yōu)勢項(xiàng)目正極材料-PH值正極材料-比表面積正極材料-磁性異物正極材料-化學(xué)成分正極材料-晶體結(jié)構(gòu)正極材料-粒徑分布正極材料-首次放電比容量及首次庫倫效率正極材料-水分含量正極材料-松裝密度正極材料-未知物分析正極材料-形貌,厚度與結(jié)構(gòu)正極材料-壓實(shí)密度正極材料-振實(shí)密度電池產(chǎn)品-正極材料負(fù)極材料-PH值負(fù)極材料-比表面積負(fù)極材料-層間距 石墨化度負(fù)極材料成分分析負(fù)極材料-磁性異物負(fù)極材料-粉末壓實(shí)密度負(fù)極材料-固定碳含量負(fù)極材料-化學(xué)成分負(fù)極材料-粒徑分布負(fù)極材料-石墨鑒定負(fù)極材料-水分負(fù)極材料-限用物質(zhì)含量負(fù)極材料-形貌與結(jié)構(gòu)負(fù)極材料-陰離子的測定負(fù)極材料-有機(jī)物含量負(fù)極材料-真密度負(fù)極材料-振實(shí)密度負(fù)極顆粒-石墨取向性(OI值)首次放電比容量及首次庫倫效率電池產(chǎn)品-負(fù)極材料電解液-電導(dǎo)率電解液-化學(xué)元素含量電解液-密度電解液-水分含量電解液-未知物分析電解液-游離酸(HF含量)電池產(chǎn)品-電解液電池產(chǎn)品-隔膜電池產(chǎn)品-隔膜
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材料測試方法總結(jié)

 二維碼
發(fā)表時(shí)間:2020-06-24 09:05作者:鑠思百檢測來源:鑠思百檢測

材料測試方法總結(jié)

成分分析:

  成分分析按照分析對(duì)象和要求可以分為微量樣品分析痕量成分分析兩種類型。按照分析的目的不同,又分為體相元素成分分析、表面成分分析和微區(qū)成分分析等方法。

  體相元素成分分析是指體相元素組成及其雜質(zhì)成分的分析,其方法包括原子吸收、原子發(fā)射ICP、質(zhì)譜以及X射線熒光與X射線衍射分析方法;其中前三種分析方法需要對(duì)樣品進(jìn)行溶解后再進(jìn)行測定,因此屬于破壞性樣品分析方法;而X射線熒光與衍射分析方法可以直接對(duì)固體樣品進(jìn)行測定因此又稱為非破壞性元素分析方法。


  表面與微區(qū)成份分析:

        X射線光電子能譜X-rayPhotoelectron Spectroscopy, XPS);(10納米,表面)

  俄歇電子能譜(Auger electronspectroscopy,AES;(6nm,表面)

  二次離子質(zhì)譜(Secondary IonMass Spectrometry, SIMS;(微米,表面)

  電子探針分析方法;(0.5微米,體相)

  電鏡的能譜分析;(1微米,體相)

  電鏡的電子能量損失譜分析;(0.5nm

  為達(dá)此目的,成分分析按照分析手段不同又分為光譜分析、質(zhì)譜分析和能譜分析。


1.光譜分析:主要包括火焰和電熱原子吸收光譜AAS,電感耦合等離子體原子發(fā)射光譜ICP-OES X-射線熒光光譜XFSX-射線衍射光譜分析法XRD;

  (1原子吸收光譜(AtomicAbsorption Spectrometry, AAS又稱原子吸收分光光度分析。原子吸收光譜分析是基于試樣蒸氣相中被測元素的基態(tài)原子對(duì)由光源發(fā)出的該原子的特征性窄頻輻射產(chǎn)生共振吸收,其吸光度在一定范圍內(nèi)與蒸氣相中被測元素的基態(tài)原子濃度成正比,以此測定試樣中該元素含量的一種儀器分析方法。

  原子吸收分析特點(diǎn):

 ?。?/span>a)根據(jù)蒸氣相中被測元素的基態(tài)原子對(duì)其原子共振輻射的吸收強(qiáng)度來測定試樣中被測元素的含量;

 ?。?/span>b)適合對(duì)納米材料中痕量金屬雜質(zhì)離子進(jìn)行定量測定,檢測限低,ng/cm310-10—10-14g;

  (c)測量準(zhǔn)確度很高,1%3—5%);

 ?。?/span>d)選擇性好,不需要進(jìn)行分離檢測;

 ?。?/span>e)分析元素范圍廣,70多種;應(yīng)該是缺點(diǎn)(不確定):難熔性元素,稀土元素和非金屬元素,不能同時(shí)進(jìn)行多元素分析;

 ?。?/span>2電感耦合等離子體原子發(fā)射光譜(Inductivelycoupledplasmaatomicemissionspectrometry,ICP-AES)

ICP是利用電感耦合等離子體作為激發(fā)源,根據(jù)處于激發(fā)態(tài)的待測元素原子回到基態(tài)時(shí)發(fā)射的特征譜線對(duì)待測元素進(jìn)行分析的方法;可進(jìn)行多元素同時(shí)分析,適合近70種元素的分析;很低的檢測限,一般可達(dá)到10-110-5μg/cm-3;穩(wěn)定性很好,精密度很高,相對(duì)偏差在1%以內(nèi),定量分析效果好;線性范圍可達(dá)46個(gè)數(shù)量級(jí);但是對(duì)非金屬元素的檢測靈敏度低。

  (3X-射線熒光光譜(X-rayfluorescence spectrometry, XFS)是一種非破壞性的分析方法,可對(duì)固體樣品直接測定。在納米材料成分分析中具有較大的優(yōu)點(diǎn);X射線熒光光譜儀有兩種基本類型波長色散型和能量色散型;具有較好的定性分析能力,可以分析原子序數(shù)大于3的所有元素。本低強(qiáng)度低,分析靈敏度高,其檢測限達(dá)到10-510-9g/g(或g/cm3);可以測定幾個(gè)納米到幾十微米的薄膜厚度。

 ?。?/span>4 X-射線衍射光譜分析法(X-raydiffraction analysisXRD


  2. 質(zhì)譜分析:主要包括電感耦合等離子體質(zhì)譜ICP-MS和飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜法TOF-SIMS

 ?。?/span>1電感耦合等離子體質(zhì)譜(inductivelycoupled plasma mass spectrometry, ICP-MS)ICP-MS是利用電感耦合等離子體作為離子源的一種元素質(zhì)譜分析方法;該離子源產(chǎn)生的樣品離子經(jīng)質(zhì)譜的質(zhì)量分析器和檢測器后得到質(zhì)譜;檢出限低(多數(shù)元素檢出限為ppb-ppt級(jí));線性范圍寬(可達(dá)7個(gè)數(shù)量級(jí));分析速度快(1分鐘可獲得70種元素的結(jié)果);譜圖干擾少(原子量相差1可以分離),能進(jìn)行同位素分析。

  (2飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜法(Time of FlightSecondary Ion Mass Spectrometry, TOF-SIMS是通過用一次離子激發(fā)樣品表面,打出極其微量的二次離子,根據(jù)二次離子因不同的質(zhì)量而飛行到探測器的時(shí)間不同來測定離子質(zhì)量的極高分辨率的測量技術(shù)。

工作原理:

1.利用聚焦的一次離子束在樣品上進(jìn)行穩(wěn)定的轟擊,一次離子可能受到樣品表面的背散射(概率很?。部赡艽┩腹腆w樣品表面的一些原子層深入到一定深度,在穿透過程中發(fā)生一系列彈性和非彈性碰撞。一次離子將其部分能量傳遞給晶格原子,這些原子中有一部分向表面運(yùn)動(dòng),并把能量傳遞給表面離子使之發(fā)射,這種過程成為粒子濺射。在一次離子束轟擊樣品時(shí),還有可能發(fā)生另外一些物理和化學(xué)過程:一次離子進(jìn)入晶格,引起晶格畸變;在具有吸附層覆蓋的表面上引起化學(xué)反應(yīng)等。濺射粒子大部分為中性原子和分子,小部分為帶正、負(fù)電荷的原子、分子和分子碎片;

2.電離的二次粒子(濺射的原子、分子和原子團(tuán)等)按質(zhì)荷比實(shí)現(xiàn)質(zhì)譜分離;

3.收集經(jīng)過質(zhì)譜分離的二次離子,可以得知樣品表面和本體的元素組成和分布。在分析過程中,質(zhì)量分析器不但可以提供對(duì)于每一時(shí)刻的新鮮表面的多元素分析數(shù)據(jù)。而且還可以提供表面某一元素分布的二次離子圖像。

4. TOFTime of Flight)的獨(dú)特之處在于其離子飛行時(shí)間只依賴于他們的質(zhì)量。由于其一次脈沖就可得到一個(gè)全譜,離子利用率最高,能最好地實(shí)現(xiàn)對(duì)樣品幾乎無損的靜態(tài)分析,而其更重要的特點(diǎn)是只要降低脈沖的重復(fù)頻率就可擴(kuò)展質(zhì)量范圍,從原理上不受限制。


  3. 能譜分析:主要包括X射線光電子能譜XPS和俄歇電子能譜法AES

 ?。?/span>1X射線光電子能譜(X-rayPhotoelectron Spectroscopy, XPS)

X射線光電子能譜(XPS )就是用X射線照射樣品表面,使其原子或分子的電子受激而發(fā)射出來,測量這些光電子的能量分布,從而獲得所需的信息。隨著微電子技術(shù)的發(fā)展,XPS也在不斷完善,目前,已開發(fā)出的小面積X射線光電子能譜,大大提高了XPS的空間分辨能力。通過對(duì)樣品進(jìn)行全掃描,在一次測定中即可檢測出全部或大部分元素。因此,XPS已發(fā)展成為具有表面元素分析、化學(xué)態(tài)和能帶結(jié)構(gòu)分析以及微區(qū)化學(xué)態(tài)成像分析等功能強(qiáng)大的表面分析儀器。X射線光電子能譜的理論依據(jù)就是愛因斯坦的光電子發(fā)散公式。XPS作為研究材料表面和界面電子及原子結(jié)構(gòu)的最重要手段之一,原則上可以測定元素周期表上除氫、氦以外的所有元素。其主要功能及應(yīng)用有三方面:第一,可提供物質(zhì)表面幾個(gè)原子層的元素定性、定量信息和化學(xué)狀態(tài)信息;第二,可對(duì)非均相覆蓋層進(jìn)行深度分布分析,了解元素隨深度分布的情況;第三,可對(duì)元素及其化學(xué)態(tài)進(jìn)行成像,給出不同化學(xué)態(tài)的不同元素在表面的分布圖像等。

 ?。?/span>2)俄歇電子能譜法(Auger electronspectroscopy,AES

  俄歇電子能譜法是用具有一定能量的電子束(X射線)激發(fā)樣品俄歇效應(yīng),通過檢測俄歇電子的能量和強(qiáng)度,從而獲得有關(guān)材料表面化學(xué)成分和結(jié)構(gòu)的信息的方法。利用受激原子俄歇躍遷退激過程發(fā)射的俄歇電子對(duì)試樣微區(qū)的表面成分進(jìn)行的定性定量分析。

  俄歇能譜儀與低能電子衍射儀聯(lián)用,可進(jìn)行試樣表面成分和晶體結(jié)構(gòu)分析,因此被稱為表面探針。

  電鏡-能譜分析方法:利用電鏡的電子束與固體微區(qū)作用產(chǎn)生的X射線進(jìn)行能譜分析(EDAX);與電子顯微鏡結(jié)合(SEM,TEM),可進(jìn)行微區(qū)成份分析;可進(jìn)行定性和定量分析。


形貌分析:

  相貌分析的主要內(nèi)容是分析材料的幾何形貌,材料的顆粒度,及顆粒度的分布以及形貌微區(qū)的成份和物相結(jié)構(gòu)等方面。

  形貌分析方法主要有:光學(xué)顯微鏡(Opticalmicroscopy,OM)、掃描電子顯微鏡(Scanningelectronmicroscopy, SEM)、透射電子顯微鏡(Transmission electron microscopy, TEM)、掃描隧道顯微鏡(Scanningtunneling microscopy, STM)和原子力顯微鏡(Atomic force microscopy, AFM)


1.SEM

  掃描電鏡分析可以提供從數(shù)納米到毫米范圍內(nèi)的形貌像,觀察視野大,其分辯率一般為6納米,對(duì)于場發(fā)射掃描電子顯微鏡,其空間分辯率可以達(dá)到0.5納米量級(jí)。

  其提供的信息主要有材料的幾何形貌,粉體的分散狀態(tài),納米顆粒大小及分布以及特定形貌區(qū)域的元素組成和物相結(jié)構(gòu)。掃描電鏡對(duì)樣品的要求比較低,無論是粉體樣品還是大塊樣品,均可以直接進(jìn)行形貌觀察


2. TEM

  透射電鏡具有很高的空間分辯能力,特別適合納米粉體材料的分析。

  其特點(diǎn)是樣品使用量少,不僅可以獲得樣品的形貌,顆粒大小,分布以還可以獲得特定區(qū)域的元素組成及物相結(jié)構(gòu)信息。

  透射電鏡比較適合納米粉體樣品的形貌分析,但顆粒大小應(yīng)小于300nm,否則電子束就不能透過了。對(duì)塊體樣品的分析,透射電鏡一般需要對(duì)樣品進(jìn)行減薄處理。

  透射電鏡可用于觀測微粒的尺寸、形態(tài)、粒徑大小、分布狀況、粒徑分布范圍等,并用統(tǒng)計(jì)平均方法計(jì)算粒徑,一般的電鏡觀察的是產(chǎn)物粒子的顆粒度而不是晶粒度。高分辨電子顯微鏡(HRTEM)可直接觀察微晶結(jié)構(gòu),尤其是為界面原子結(jié)構(gòu)分析提供了有效手段,它可以觀察到微小顆粒的固體外觀,根據(jù)晶體形貌和相應(yīng)的衍射花樣、高分辨像可以研究晶體的生長方向。


3.STMAFM形貌分析

  掃描隧道顯微鏡(STM)主要針對(duì)一些特殊導(dǎo)電固體樣品的形貌分析。可以達(dá)到原子量級(jí)的分辨率,但僅適合具有導(dǎo)電性的薄膜材料的形貌分析和表面原子結(jié)構(gòu)分布分析,對(duì)納米粉體材料不能分析。

  掃描隧道顯微鏡有原子量級(jí)的高分辨率,其平行和垂直于表面方向的分辨率分別為0.1 nm0.01nm,即能夠分辨出單個(gè)原子,因此可直接觀察晶體表面的近原子像;其次是能得到表面的三維圖像,可用于測量具有周期性或不具備周期性的表面結(jié)構(gòu)。通過探針可以操縱和移動(dòng)單個(gè)分子或原子,按照人們的意愿排布分子和原子,以及實(shí)現(xiàn)對(duì)表面進(jìn)行納米尺度的微加工,同時(shí),在測量樣品表面形貌時(shí),可以得到表面的掃描隧道譜,用以研究表面電子結(jié)構(gòu)。

  掃描原子力顯微鏡(AFM)可以對(duì)納米薄膜進(jìn)行形貌分析,分辨率可以達(dá)到幾十納米,比STM差,但適合導(dǎo)體和非導(dǎo)體樣品,不適合納米粉體的形貌分析。

  這四種形貌分析方法各有特點(diǎn),電鏡分析具有更多的優(yōu)勢,但STMAFM具有可以氣氛下進(jìn)行原位形貌分析的特點(diǎn)。


  物相結(jié)構(gòu)分析

  常用的物相分析方法有X射線衍射分析、激光拉曼分析、傅里葉紅外分析以及微區(qū)電子衍射分析。

1.X射線衍射分析

XRD物相分析是基于多晶樣品對(duì)X射線的衍射效應(yīng),對(duì)樣品中各組分的存在形態(tài)進(jìn)行分析。測定結(jié)晶情況,晶相,晶體結(jié)構(gòu)及成鍵狀態(tài)等等。可以確定各種晶態(tài)組分的結(jié)構(gòu)和含量。

  靈敏度較低,一般只能測定樣品中含量在1%以上的物相,同時(shí),定量測定的準(zhǔn)確度也不高,一般在1%的數(shù)量級(jí)。

XRD物相分析所需樣品量大(0.1g),才能得到比較準(zhǔn)確的結(jié)果,對(duì)非晶樣品不能分析。

X射線衍射分析主要用途有:XRD物相定性分析、物相定量分析、晶粒大小的測定、介孔結(jié)構(gòu)測定(小角X射線衍射)、多層膜分析(小角度XRD方法)、物質(zhì)狀態(tài)鑒別(區(qū)別晶態(tài)和非晶態(tài))。

2.拉曼分析(Raman analysis)

  當(dāng)一束激發(fā)光的光子與作為散射中心的分子發(fā)生相互作用時(shí),大部分光子僅是改變了方向,發(fā)生散射,而光的頻率仍與激發(fā)光源一致,這中散射稱為瑞利散射。

  但也存在很微量的光子不僅改變了光的傳播方向,而且也改變了光波的頻率,這種散射稱為拉曼散射。其散射光的強(qiáng)度約占總散射光強(qiáng)度的10-610-10。

  拉曼散射的產(chǎn)生原因是光子與分子之間發(fā)生了能量交換,改變了光子的能量。

  在固體材料中拉曼激活的機(jī)制很多,反映的范圍也很廣:如分子振動(dòng),各種元激發(fā)(電子,聲子,等離子體等),雜質(zhì),缺陷等。

  利用拉曼光譜可以對(duì)材料進(jìn)行分子結(jié)構(gòu)分析、理化特性分析和定性鑒定等,可揭示材料中的空位、間隙原子、位錯(cuò)、晶界和相界等方面信息。

3.紅外分析(IR)

  紅外光譜主要用來檢測有機(jī)官能團(tuán)。

  傅里葉紅外光譜儀可檢驗(yàn)金屬離子與非金屬離子成鍵、金屬離子的配位等化學(xué)環(huán)境情況及變化。

4.微區(qū)電子衍射分析(選區(qū)電子衍射)(Selected areaelectron diffraction, SAED)

  電子衍射與X射線一樣,也遵循布拉格方程,電子束很細(xì),適合作微區(qū)分析,因此,主要用于確定物相以及它們與基體的取向關(guān)系以及材料中的結(jié)構(gòu)缺陷等。


粒度(Particle size)分析

一般固體材料顆粒大小可以用顆粒粒度概念來描述。但由于顆粒形狀的復(fù)雜性,一般很難直接用一個(gè)尺度來描述一個(gè)顆粒大小,因此,在粒度大小的描述過程中廣泛采用等效粒度的概念。

  對(duì)于不同原理的粒度分析儀器,所依據(jù)的測量原理不同,其顆粒特性也不相同,只能進(jìn)行等效對(duì)比,不能進(jìn)行橫向直接對(duì)比。


  1. 顯微鏡法(Microscopy)SEM,TEM;1nm5μm范圍;適合納米材料的粒度大小和形貌分析;

  優(yōu)點(diǎn)是可以提供顆粒大小,分布以及形狀的數(shù)據(jù),此外,一般測量顆粒的大小可以從1納米到幾個(gè)微米數(shù)量級(jí)。并且給的是顆粒圖像的直觀數(shù)據(jù),容易理解。

  但其缺點(diǎn)是樣品制備過程會(huì)對(duì)結(jié)果產(chǎn)生嚴(yán)重影響,如樣品制備的分散性,直接會(huì)影響電鏡觀察質(zhì)量和分析結(jié)果。電鏡取樣量少,會(huì)產(chǎn)生取樣過程的非代表性。


  2.沉降法(SedimentationSize Analysis)

  沉降法的原理是基于顆粒在懸浮體系時(shí),顆粒本身重力(或所受離心力)、所受浮力和黏滯阻力三者平衡,并且黏滯力服從斯托克斯定律來實(shí)施測定的,此時(shí)顆粒在懸浮體系中以恒定速度沉降,且沉降速度與粒度大小的平方成正比;10nm20μm的顆粒;


  3.光散射法(LightScattering)

  激光衍射式粒度儀僅對(duì)粒度在5μm以上的樣品分析較準(zhǔn)確,而動(dòng)態(tài)光散射粒度儀則對(duì)粒度在m以下的納米樣品分析準(zhǔn)確。

  激光光散射法可以測量20nm3500μm的粒度分布,獲得的是等效球體積分布,測量準(zhǔn)確,速度快,代表性強(qiáng),重復(fù)性好,適合混合物料的測量。

  利用光子相干光譜方法可以測量1nm3000nm范圍的粒度分布,特別適合超細(xì)納米材料的粒度分析研究。測量體積分布,準(zhǔn)確性高,測量速度快,動(dòng)態(tài)范圍寬,可以研究分散體系的穩(wěn)定性。其缺點(diǎn)是不適用于粒度分布寬的樣品測定。光散射粒度測試方法的特點(diǎn):測量范圍廣,現(xiàn)在最先進(jìn)的激光光散射粒度測試儀可以測量1nm3000μ,基本滿足了超細(xì)粉體技術(shù)的要求;測定速度快,自動(dòng)化程度高,操作簡單。一般只需11.5min;測量準(zhǔn)確,重現(xiàn)性好;可以獲得粒度分布。

激光相干光譜粒度分析法:通過光子相關(guān)光譜(PCS)法,可以測量粒子的遷移速率。而液體中的納米顆粒以布朗運(yùn)動(dòng)為主,其運(yùn)動(dòng)速度取決于粒徑,溫度和粘度等因素。在恒定的溫度和粘度條件下,通過光子相關(guān)光譜(PCS)法測定顆粒的遷移速率就可以獲得相應(yīng)的顆粒粒度分布

  光子相關(guān)光譜(PCS)技術(shù)能夠測量粒度度為納米量級(jí)的懸浮物粒子,它在納米材料,生物工程、藥物學(xué)以及微生物領(lǐng)域有廣泛的應(yīng)用前景。


熱重分析

  熱分析常用的有示差掃描熱法(DifferentialScanningCalorimetry,DSC)熱重法(Thermogravimetry,TG ),簡稱為DSC-TG法。



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