FIB制樣是啥？

FIB制樣是啥？

聚焦離子束技術(shù)（FIB）原理

FIB就是聚焦離子束技術(shù)（Focused Ion beam）簡(jiǎn)稱：FIB，F(xiàn)IB的原理是利用電透鏡將離子源（大多數(shù)FIB都用鎵Ga，也有設(shè)備具有氦He和氖Ne離子源)產(chǎn)生的離子束經(jīng)過(guò)離子槍加速,聚焦后作用于樣品表面，實(shí)現(xiàn)樣品材料的剝離、沉積、注入、切割和改性。將掃描電子顯微鏡（SEM）與FIB集成為一個(gè)系統(tǒng)，可充分發(fā)揮各自的優(yōu)點(diǎn)，加工過(guò)程中可利用電子束實(shí)時(shí)監(jiān)控樣品加工進(jìn)度可更好的控制加工精度，成為了納米級(jí)分析、制造的主要方法。目前已廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體集成電路修改、離子注入、切割和故障分析等。

聚焦離子束技術(shù)（FIB）的作用：

1.產(chǎn)生二次電子信號(hào)取得電子像.此功能與SEM（掃描電子顯微鏡）相似

2.用強(qiáng)電流離子束對(duì)表面原子進(jìn)行剝離,以完成微、納米級(jí)表面形貌加工。

3.通常是以物理濺射的方式搭配化學(xué)氣體反應(yīng)，有選擇性的剝除金屬，氧化硅層或沉積金屬層。

可提供的服務(wù)：

TEM透射樣品制備:對(duì)于表面薄膜、涂層、粉未大顆粒，塊體等樣品，在指定位置準(zhǔn)確定位切割進(jìn)行TEM樣品的制備;

SEM/EDS剖面分析:FIB準(zhǔn)確定位切割，制備截面樣品，進(jìn)行SEM和EDS能譜分析;

EBSD電子背散射衍射分析:進(jìn)行晶體取向成像、顯微織構(gòu)、界面等分析;

微納結(jié)構(gòu)加工∶在微納結(jié)構(gòu)操作機(jī)械手、Omniprobe操作探針、離子束切割等的配合下，進(jìn)行各種微納結(jié)構(gòu)的搬運(yùn)、各種顯微結(jié)構(gòu)形狀或圖案的加工。

聚焦離子束技術(shù)（FIB）注意事項(xiàng)

（1）樣品大小5×5×1cm，當(dāng)樣品過(guò)大需切割取樣。

（2）樣品需導(dǎo)電，不導(dǎo)電樣品必須能噴金增加導(dǎo)電性。

（3）切割深度必須小于50微米。

無(wú)論是透射電鏡還是掃描透射電鏡樣品都需要制備非常薄的樣品，以便電子能夠穿透樣品，形成電子衍射圖像。傳統(tǒng)的制備TEM樣品的方法是機(jī)械切片研磨，用這種方法只能分析大面積樣品。采用聚焦離子束則可以對(duì)樣品的某一局部切片進(jìn)行觀察。與切割橫截面的方法一樣，制作TEM樣品是利用聚焦離子束從前后兩個(gè)方向加工，最后在中間留下一個(gè)薄的區(qū)域作為TEM觀察的樣品。

FIB-TEM的制樣流程：

1)找到目標(biāo)位置（定位非常重要)，表面噴Cr保護(hù)（樣品導(dǎo)電則不用噴Cr) ;

2）將目標(biāo)位置前后兩側(cè)的樣品挖空，剩下目標(biāo)區(qū)域;

3）機(jī)械納米手將這個(gè)薄片取出，開(kāi)始離子束減薄;

4）減薄到理想厚度后停止;

5）將樣品焊到銅網(wǎng)上的樣品柱上，標(biāo)注好樣品位置。

下圖所示為FIB-TEM制樣的工藝過(guò)程：

關(guān)鍵詞：FIB，聚焦離子束技術(shù)