X射線光電子能譜儀（XPS）測試常見問題

1、XPS樣品怎么制備：

粉末制樣

§   壓片

§   粘到雙面膠帶上

§   分散到揮發(fā)性有機溶劑中，形成懸濁液滴到硅片等固體基片、金屬箔或濾膜、海綿等基底上

纖維細絲（網(wǎng)）樣品

§   纏繞或壓在架子或回形針上，或樣品臺的孔中央，分析區(qū)域內(nèi)纖維絲懸空，避免基底元素干擾分析結(jié)果；

§   包裹在有孔的鋁箔中，用小束斑XPS分析孔內(nèi)樣品；

液體、膏狀樣品

§   滴到Si片、聚乙烯/聚丙烯、金屬片、濾膜、樹脂、海綿等固體基片上晾干或冷凍干燥

2、H和He為什么不能測XPS

主要原因有三點：

1) H和He的光電離界面小，信號太弱；

2) H1s電子很容易轉(zhuǎn)移，在大多數(shù)情況下會轉(zhuǎn)移到其他原子附近，檢測起來非常困難;

3) H和He沒有內(nèi)層電子，其外層電子用于成鍵，H以原子核形式存在。所以用X射線去激發(fā)時，沒有光電子可以被激發(fā)出來。

3、什么是荷電校正，如何進行荷電校正

XPS分析中，樣品表面導電差樣品表面導電差，或雖導電但未有效接地。此時，當X射線不斷照射樣品時，樣品表面發(fā)射光電子，表面虧電子，出現(xiàn)正電荷積累（XPS中荷正電），從而影響XPS譜峰，影響XPS分析。在用XPS測量絕緣體或者半導體時，需要對荷電效應(yīng)所引起的偏差進行校正，稱之為“荷電校正”。

最常用的，人們一般采用外來污染碳的C1s作為基準峰來進行校準。以測量值和參考值(284.8 eV)之差作為荷電校正值(Δ)來矯正譜中其他元素的結(jié)合能。

具體操作：1) 求取荷電校正值：C單質(zhì)的標準峰位(一般采用284.8 eV)-實際測得的C單質(zhì)峰位=荷電校正值Δ；2)采用荷電校正值對其他譜圖進行校正：將要分析元素的XPS圖譜的結(jié)合能加上Δ，即得到校正后的峰位（整個過程中XPS譜圖強度不變）。將校正后的峰位和強度作圖得到的就是校正后的XPS譜圖。

4、磁性元素對XPS有沒有影響

有，磁性樣品最好進行退磁、消磁處理也可在測試中采用磁透鏡模式或靜電透鏡模式

5、XPS表征的是樣品的表面還是體相？

表面10nm以內(nèi)。

6、XPS中，價帶譜是什么？

計算價帶位置，及能帶中電子態(tài)密度隨能量的分布

7、Mg靶與Al靶的區(qū)別？

能量不同，分辨率不同，Mg靶分辨率高，Al靶能量高。

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