XPS基本基本概念和原理 二維碼
發(fā)表時(shí)間:2022-09-22 17:07作者:鑠思百檢測(cè) XPS基本基本概念和原理 XPS是基于光電效應(yīng)來進(jìn)行表面分析的。如圖1所示,用能量為hν的特征X射線照射待測(cè)樣品表面,光子將其全部能量轉(zhuǎn)移給原子或分子中的束縛電子;由于X射線能量較高,主要是原子內(nèi)層軌道上的電子被電離成自由電子。通過能量分析器和光電倍增管檢測(cè)出射電子的能量及數(shù)量,根據(jù)愛因斯坦光電發(fā)射方程(Ek=hν-EB,其中:Ek為出射電子的動(dòng)能;EB為樣品中電子的結(jié)合能;hν為入射光子的能量)即可計(jì)算出樣品的結(jié)合能。以被測(cè)電子的動(dòng)能或結(jié)合能為橫坐標(biāo),出射電子的數(shù)目為縱坐標(biāo)即可繪制出被測(cè)樣品的X射線光電子能譜圖
(1)光電效應(yīng)(photoelectron effect)
(2)結(jié)合能 (3)化學(xué)位移
2、光電子能譜分析方法
1)定性分析 ②X射線的伴峰:一般情況下由于X射線源并非完全單一引起, 同時(shí)區(qū)別Auger電子峰和X射線光電子峰; ④ X射線“鬼峰”:由于X射源的陽極可能不純或被污染,則產(chǎn)生的X射線不純。 “鬼峰”為非陽極材料X射線所激發(fā)出的光電子譜線; ⑤能量損失峰:光電子在離開樣品表面的過程中有可能與表面的其它電子相互作用而損失一定的能量,從而在XPS低動(dòng)能側(cè)出現(xiàn)一些伴峰,即能量損失峰;
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