鑠思百檢測(cè)

DETECTION OF TECHNICAL SOUSEPAD

透射電子顯微鏡(TEM-EDS)掃描電子顯微鏡(FESEM-EDS)球差電鏡激光共聚焦顯微鏡(LSCM)原子力顯微鏡(AFM)電子探針儀(EPMA)金相顯微鏡電子背散射衍射儀(EBSD)臺(tái)階儀,膜厚儀,探針接觸式輪廓儀,3D輪廓儀工業(yè)CT白光干涉儀(非接觸式3D表面輪廓儀)電鏡測(cè)試FIB制樣離子減薄制樣冷凍超薄切片制樣樹(shù)脂包埋制樣(生物制樣)液氮脆斷制樣金網(wǎng)鉬網(wǎng)銅網(wǎng)超薄碳膜微柵制樣電鏡制樣X射線(xiàn)光電子能譜分析儀(XPS)紫外光電子能譜(UPS)俄歇電子能譜(AES)X射線(xiàn)衍射儀(XRD)X射線(xiàn)散射儀SAXS/WAXSX射線(xiàn)殘余應(yīng)力分析儀X射線(xiàn)熒光光譜分析儀(XRF)電感耦合等離子體光譜儀(ICP-OES)紫外可見(jiàn)反射儀(DRS)拉曼光譜(RAMAN)紫外-可見(jiàn)分光光度計(jì)(UV)圓二色譜(CD)傅里葉變換紅外光譜分析儀(FTIR)吡啶紅外(DRIFTS)單晶衍射儀穆斯堡爾光譜儀穩(wěn)態(tài)瞬態(tài)熒光光譜分析儀(PL)原子吸收分光光度計(jì)原子熒光光度計(jì)(AFS)三維熒光 /熒光分光光度計(jì)紅外熱成像儀霧度儀旋光儀橢偏儀光譜測(cè)試電感耦合等離子體質(zhì)譜儀(ICP-MS)電噴霧離子化質(zhì)譜儀(ESI-MS)頂空-固相微萃取氣質(zhì)聯(lián)用儀(HS -SPME -GC -MS)二次離子質(zhì)譜(SIMS)基質(zhì)輔助激光解吸電離飛行時(shí)間質(zhì)譜儀(MALDI-TOF)裂解氣質(zhì)聯(lián)用儀(PY-GC-MS)氣質(zhì)聯(lián)用儀(GC-MS)同位素質(zhì)譜儀液質(zhì)聯(lián)用儀(LC-MS)質(zhì)譜測(cè)試差示掃描量熱儀(DSC)熱重分析儀(TGA)熱分析聯(lián)用儀(DSC-TGA)靜態(tài)/動(dòng)態(tài)熱機(jī)械分析儀(TMA/DMA)熱重紅外聯(lián)用儀(TG-IR)熱重紅外質(zhì)譜聯(lián)用儀(TG-IR-MS)熱重紅外氣相質(zhì)譜聯(lián)用(TG-IR-GC-MS)紅外熱成像儀激光導(dǎo)熱儀錐形量熱儀(CONE)熱譜測(cè)試電子順磁共振波譜儀(EPR、ESR)固體核磁共振儀(NMR)液體核磁共振儀(NMR)微波網(wǎng)絡(luò)矢量分析儀/矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀核磁順磁波譜測(cè)試比表面及孔徑分析儀(BET)表面張力儀(界面張力儀)高壓吸附儀化學(xué)吸附儀(TPD TPR)接觸角測(cè)量?jī)x納米壓痕儀壓汞儀(MIP)表界面物性測(cè)試氣相色譜儀(GC)高效液相色譜儀(HPLC)離子色譜儀(IC)凝膠色譜儀(GPC)液相色譜(LC)色譜測(cè)試電導(dǎo)率儀電化學(xué)工作站腐蝕測(cè)試儀介電常數(shù)測(cè)定儀卡爾費(fèi)休水分測(cè)定儀自動(dòng)電位滴定儀電化學(xué)儀器測(cè)試Zeta電位儀工業(yè)分析激光粒度儀流變儀密度測(cè)定儀納米粒度儀邵氏 維氏 洛氏硬度計(jì)有機(jī)鹵素分析儀(F,Cl,Br,I,At,Ts)有機(jī)元素分析儀(EA)粘度計(jì)振動(dòng)樣品磁強(qiáng)計(jì)(VSM)土壤分析測(cè)試植物分析測(cè)試其他測(cè)試同步輻射GIWAXS GISAXS同步輻射XRD,PDF,SAXS同步輻射吸收譜-高能機(jī)時(shí)同步輻射吸收譜之軟X射線(xiàn)同步輻射吸收譜之硬X射線(xiàn)同步輻射聚焦離子束掃描電鏡(FIB-SEM)礦物定量分析系統(tǒng)MLA球差校正透射電子顯微鏡高端電鏡類(lèi)原位XPS測(cè)試原位EBSD(in situ -EBSD)原位紅外原位掃描電子顯微鏡(in-situ-SEM)原位透射電子顯微鏡高端原位測(cè)試飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜儀(TOF-SIMS)輝光放電光譜(GD-OES MS)三維原子探針(APT)高端質(zhì)譜類(lèi)Micro/Nano /工業(yè)CT飛秒瞬態(tài)吸收光譜儀(fs-TAS)掃描隧道顯微鏡深能級(jí)瞬態(tài)譜儀正電子湮滅壽命譜儀其他XPS數(shù)據(jù)分析XRD全巖黏土分析表面成分分析技術(shù)-XPS測(cè)試分析常規(guī)XRD數(shù)據(jù)分析成分指紋分析技術(shù)-紅外測(cè)試分析二維紅外光譜技術(shù)紅外(IR)數(shù)據(jù)分析拉曼數(shù)據(jù)分析三維熒光數(shù)據(jù)分析圓二色譜(CD)數(shù)據(jù)分析成分含量分析EPR/ESR數(shù)據(jù)分析VSM數(shù)據(jù)分析電化學(xué)數(shù)據(jù)分析矢量網(wǎng)絡(luò)數(shù)據(jù)分析電磁分析CT數(shù)據(jù)分析X射線(xiàn)吸收精細(xì)結(jié)構(gòu)普(XAFS)數(shù)據(jù)分析穆斯堡爾譜數(shù)據(jù)分析小角散射(SAXS/WAXS)數(shù)據(jù)分析高端測(cè)試分析固體核磁數(shù)據(jù)分析液體核磁(NMR)測(cè)試+分析一體化液體核磁(NMR)數(shù)據(jù)分析化學(xué)結(jié)構(gòu)分析EBSD數(shù)據(jù)分析TEM數(shù)據(jù)分析單晶XRD數(shù)據(jù)分析晶體結(jié)構(gòu)確證技術(shù)-XRD精修XRD定性定量分析晶體結(jié)構(gòu)分析BET數(shù)據(jù)分析其它數(shù)據(jù)分析需求熱分析數(shù)據(jù)處理數(shù)據(jù)分析作圖其他數(shù)據(jù)分析半導(dǎo)體激光器模擬發(fā)光二極管仿真光電探測(cè)器仿真太陽(yáng)能電池仿真半導(dǎo)體器件仿真表面能差分密度磁矩單原子催化電荷密度電解水制氫反應(yīng)(HER)費(fèi)米面(fermi surface)電子局域化函數(shù)(electron localization function)第一性原理分子模擬量子化學(xué)相分析有限元模擬常規(guī)理化-水樣常規(guī)理化-土樣/沉積物常規(guī)理化-氣體常規(guī)理化-植物/蔬果/農(nóng)作物常規(guī)理化-食品常規(guī)理化-肥料/飼料常規(guī)理化-巖礦常規(guī)理化-垃圾常規(guī)理化-職業(yè)衛(wèi)生常規(guī)理化-其它常規(guī)理化項(xiàng)目纖維素、半纖維素、木質(zhì)素含量bcr形態(tài)順序提取/tessier五步提取法土壤水體抗生素微塑料微生物磷脂脂肪酸(PLFA)非標(biāo)理化-其它非標(biāo)理化項(xiàng)目穩(wěn)定同位素放射性同位素同位素-其它金屬同位素同位素多糖的單糖組成測(cè)定可溶性寡糖定量土壤氨基糖多糖全套分析多糖甲基化植物糖化學(xué)-常規(guī)指標(biāo)糖化學(xué)液質(zhì)聯(lián)用LCMS高效液相色譜HPLC氣相色譜GC氣質(zhì)聯(lián)用GCMS全二維氣質(zhì)GC×GC-MS氣相色譜-離子遷移譜聯(lián)用儀(GC-IMS)液相色譜-原子熒光聯(lián)用(LC-AFS)制備型HPLC色譜質(zhì)譜數(shù)據(jù)分析液相色譜-電感耦合等離子體質(zhì)譜(LC-ICPMS)色譜質(zhì)譜DOM(FT- ICR- MS)水質(zhì)NOM(LC-OCD-OND)DOM(FT-ICR-MS)數(shù)據(jù)分析環(huán)境高端電池產(chǎn)品整體解決方案正極顆粒表面微觀(guān)形貌正極顆粒物截面形貌與元素三元正極顆粒循環(huán)前后晶界裂紋正極顆粒摻雜元素分布正極顆粒截面元素分布和晶格表征正極極片原位晶相分析正極極片截面元素分布和晶格表征正極表面CEI膜測(cè)試方法XPS正極極片截面微觀(guān)形貌觀(guān)察和元素分布正極極片CEI膜成分分析與厚度測(cè)定正極極片介電常數(shù)正極極片浸潤(rùn)性正極極片包覆層觀(guān)察正極極片雜質(zhì)含量測(cè)定正極極片氧空位測(cè)定負(fù)極顆粒表面微觀(guān)形貌觀(guān)察和元素分布負(fù)極顆粒截面微觀(guān)形貌觀(guān)察和元素分布石墨類(lèi)型判定負(fù)極顆粒粒徑分析負(fù)極極片孔洞分析負(fù)極顆粒包覆層觀(guān)察負(fù)極顆粒羥基含量測(cè)定負(fù)極極片包覆層觀(guān)察負(fù)極表面SEI膜分析XPS法負(fù)極極片SEI膜成分分析與厚度測(cè)定負(fù)極極片截面微觀(guān)形貌觀(guān)察和元素分布負(fù)極極片石墨碳和無(wú)定型碳比例隔膜表面微觀(guān)形貌觀(guān)察隔膜循環(huán)前后孔徑變化質(zhì)子交換膜形貌(厚度)觀(guān)察 CP+SEM質(zhì)子交換膜雜質(zhì)元素電池循環(huán)后鼓包氣電池循環(huán)后爆炸氣鋰電池極片和集流體間的粘結(jié)強(qiáng)度三元正極材料NCM比例燃料電池-整體解決方案電池產(chǎn)品-隔膜電池產(chǎn)品-優(yōu)勢(shì)項(xiàng)目正極材料-PH值正極材料-比表面積正極材料-磁性異物正極材料-化學(xué)成分正極材料-晶體結(jié)構(gòu)正極材料-粒徑分布正極材料-首次放電比容量及首次庫(kù)倫效率正極材料-水分含量正極材料-松裝密度正極材料-未知物分析正極材料-形貌,厚度與結(jié)構(gòu)正極材料-壓實(shí)密度正極材料-振實(shí)密度電池產(chǎn)品-正極材料負(fù)極材料-PH值負(fù)極材料-比表面積負(fù)極材料-層間距 石墨化度負(fù)極材料成分分析負(fù)極材料-磁性異物負(fù)極材料-粉末壓實(shí)密度負(fù)極材料-固定碳含量負(fù)極材料-化學(xué)成分負(fù)極材料-粒徑分布負(fù)極材料-石墨鑒定負(fù)極材料-水分負(fù)極材料-限用物質(zhì)含量負(fù)極材料-形貌與結(jié)構(gòu)負(fù)極材料-陰離子的測(cè)定負(fù)極材料-有機(jī)物含量負(fù)極材料-真密度負(fù)極材料-振實(shí)密度負(fù)極顆粒-石墨取向性(OI值)首次放電比容量及首次庫(kù)倫效率電池產(chǎn)品-負(fù)極材料電解液-電導(dǎo)率電解液-化學(xué)元素含量電解液-密度電解液-水分含量電解液-未知物分析電解液-游離酸(HF含量)電池產(chǎn)品-電解液電池產(chǎn)品-隔膜電池產(chǎn)品-隔膜
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掃描電子顯微鏡能譜儀原理

 二維碼
發(fā)表時(shí)間:2023-02-16 13:36作者:鑠思百檢測(cè)

X射線(xiàn)能量色散譜分析方法是電子顯微技術(shù)最基本和一直使用的,具有成分分析功能的方法,通常稱(chēng)為X射線(xiàn)能譜分析法,簡(jiǎn)稱(chēng)EDS或EDX方法。它是分析電子顯微方法中最基本,最可靠,最重要的分析方法,所以一直被廣泛使用。


1、特征X射線(xiàn)的產(chǎn)生


特征X射線(xiàn)的產(chǎn)生是入射電子使內(nèi)層電子激發(fā)而發(fā)生的現(xiàn)象。即內(nèi)殼層電子被轟擊后跳到比費(fèi)米能高的能級(jí)上,電子軌道內(nèi)出現(xiàn)的空位被外殼層軌道的電子填入時(shí),作為多余的能量放出的就是特征X射線(xiàn)。高能級(jí)的電子落入空位時(shí),要遵從所謂的選擇規(guī)則(selectionrule),只允許滿(mǎn)足軌道量子數(shù)l的變化 l=±1的特定躍遷。特征X射線(xiàn)具有元素固有的能量,所以,將它們展開(kāi)成能譜后,根據(jù)它的能量值就可以確定元素的種類(lèi),而且根據(jù)譜的強(qiáng)度分析就可以確定其含量。另外,從空位在內(nèi)殼層形成的激發(fā)狀態(tài)變到基態(tài)的過(guò)程中,除產(chǎn)生X射線(xiàn)外,還放出俄歇電子。一般來(lái)說(shuō),隨著原子序數(shù)增加,X射線(xiàn)產(chǎn)生的幾率(熒光產(chǎn)額)增大,但是,與它相伴的俄歇電子的產(chǎn)生幾率卻減小。因此,在分析試樣中的微量雜質(zhì)元素時(shí)可以說(shuō),EDS對(duì)重元素的分析特別有效。


2、X射線(xiàn)探測(cè)器的種類(lèi)和原理

對(duì)于試樣產(chǎn)生的特征X射線(xiàn),有兩種展成譜的方法:X射線(xiàn)能量色散譜方法(EDS:energydispersive X-ray spectroscopy)和X射線(xiàn)波長(zhǎng)色散譜方法(WDS:wavelength dispersive X-rayspectroscopy)。在分析電子顯微鏡中均采用探測(cè)率高的EDS。從試樣產(chǎn)生的X射線(xiàn)通過(guò)測(cè)角臺(tái)進(jìn)入到探測(cè)器中。圖1示出EDS探測(cè)器系統(tǒng)的框圖。對(duì)于EDS中使用的X射線(xiàn)探測(cè)器,一般都是用高純單晶硅中摻雜有微量鋰的半導(dǎo)體固體探測(cè)器(SSD:solid state detector)。SSD是一種固體電離室,當(dāng)X射線(xiàn)入射時(shí),室中就產(chǎn)生與這個(gè)X射線(xiàn)能量成比例的電荷。這個(gè)電荷在場(chǎng)效應(yīng)管(TEF: field effect transistor)中聚集,產(chǎn)生一個(gè)波峰值比例于電荷量的脈沖電壓。用多道脈沖高度分析器(multichannel pulse height analyzer)來(lái)測(cè)量它的波峰值和脈沖數(shù)。這樣,就可以得到橫軸為X射線(xiàn)能量,縱軸為X射線(xiàn)光子數(shù)的譜圖。為了使硅中的鋰穩(wěn)定和降低FET的熱噪聲,平時(shí)和測(cè)量時(shí)都必須用液氮冷卻EDS探測(cè)器。保護(hù)探測(cè)器的探測(cè)窗口有兩類(lèi),其特性和使用方法各不相同。


3、EDS的分析技術(shù)


(1)X射線(xiàn)的測(cè)量


連續(xù)X射線(xiàn)和從試樣架產(chǎn)生的散射X射線(xiàn)也都進(jìn)入X射線(xiàn)探測(cè)器,形成譜的背底,因此要根據(jù)情況注意是否形成人為的假象。為了要減少?gòu)脑嚇蛹苌⑸涞腦射線(xiàn),可以采用鈹制的試樣架。對(duì)于支持試樣的柵網(wǎng),也采用與分析對(duì)象的元素不同的材料制作。當(dāng)用強(qiáng)電子束照射試樣,產(chǎn)生大量的X射線(xiàn)時(shí),系統(tǒng)的漏計(jì)數(shù)的百分比就稱(chēng)為死時(shí)間Tdead,它可以用輸入側(cè)的計(jì)數(shù)率RIN和輸出側(cè)的計(jì)數(shù)率ROUT來(lái)表示:Tdead=(1-ROUT/RIN)×100%  


(2)空間分辨率


對(duì)于分析電子顯微鏡使用的試樣厚度入射電子幾乎都透過(guò)薄膜試樣。因此,入射電子在試樣內(nèi)的擴(kuò)展不像圖41-2左邊大塊試樣中擴(kuò)展的那樣大,分析的空間的分辨率比較高。在分析電子顯微鏡的分析中,電子束在試樣中的擴(kuò)展對(duì)空間分辨率是有影響的,加速電壓,入射電子束直徑,試樣厚度,試樣的密度等都是決定空間分辨率的因素。圖41-2 入射電子束在試樣內(nèi)的擴(kuò)散


(3)峰/背比(P/B)


特征X射線(xiàn)的強(qiáng)度與背底強(qiáng)度之比稱(chēng)為峰背比P/B,在進(jìn)行高精度分析時(shí),希望峰背比P/B高。按照札盧澤克(Zaluzec)理論,探測(cè)到的薄膜試樣中元素的X射線(xiàn)強(qiáng)度N的表示式如下: N=(IσωpN0ρCt )/4επM

式中:I——入射電子束強(qiáng)度;σ——離化截面;ω——熒光產(chǎn)額;

p——關(guān)注的特征X射線(xiàn)產(chǎn)生的比值;N0——阿弗加德羅常數(shù);ρ——密度;

C——化學(xué)組成(濃度)(質(zhì)量分?jǐn)?shù),%);t——試樣厚度; ——探測(cè)立體角;

ε——探測(cè)器效率;M——相對(duì)原子質(zhì)量。

如果加速電壓增高,產(chǎn)生的特征X射線(xiàn)強(qiáng)度稍有下降,但是,來(lái)自試樣的背底X射線(xiàn)卻大大減小,結(jié)果峰背比P/B提高了。


(4)定性分析


譜圖中的譜峰代表的是樣品中存在的元素。定性分析是分析未知樣品的第一步,即鑒別所含的元素。如果不能正確地鑒別樣品的元素組成,最后定量分析的精度就毫無(wú)意義。通常能夠可靠地鑒別出一個(gè)樣品的主要成份,但對(duì)于確定次要或微量元素,只有認(rèn)真地處理譜線(xiàn)干擾,失真和每個(gè)元素的譜線(xiàn)系等問(wèn)題,才能做到準(zhǔn)確無(wú)誤。為保證定性分析的可靠性,采譜時(shí)必須注意兩條:第一,采譜前要對(duì)能譜儀的能量刻度進(jìn)行校正,使儀器的零點(diǎn)和增益值落在正確值范圍內(nèi);第二,選擇合適的工作條件,以獲得一個(gè)能量分辨率好,被分析元素的譜峰有足夠計(jì)數(shù),無(wú)雜峰和雜散輻射干擾或干擾最小的EDS譜。


①自動(dòng)定性分析


自動(dòng)定性分析是根據(jù)能量位置來(lái)確定峰位,直接單擊"操作/定性分析"按鈕,即可實(shí)現(xiàn)自動(dòng)定性分析,在譜的每個(gè)峰的位置顯示出相應(yīng)的元素符號(hào)。


②手動(dòng)定性分析


自動(dòng)定性分析優(yōu)點(diǎn)是識(shí)別速度快,但由于能譜譜峰重疊干擾嚴(yán)重,自動(dòng)識(shí)別極易出錯(cuò),比如把某元素的L系誤識(shí)別為另一元素的K系,這是它的缺點(diǎn)。為此分析者在儀器自動(dòng)定性分析過(guò)程結(jié)束后,還必須對(duì)識(shí)別錯(cuò)了的元素用手動(dòng)定性分析進(jìn)行修正。所以雖然有自動(dòng)定性分析程序,但對(duì)分析者來(lái)說(shuō),具有一定的定性分析技術(shù)實(shí)在是必不可少的。


(5)定量分析


定量分析是通過(guò)X射線(xiàn)強(qiáng)度來(lái)獲取組成樣品材料的各種元素的濃度。根據(jù)實(shí)際情況,人們尋求并提出了測(cè)量未知樣品和標(biāo)樣的強(qiáng)度比方法,再把強(qiáng)度比經(jīng)過(guò)定量修正換算呈濃度比。最廣泛使用的一種定量修正技術(shù)是ZAF修正。本軟件中提供了兩種定量分析方法:無(wú)標(biāo)樣定量分析法和有標(biāo)樣定量分析析法。


(6)元素的面分布分析方法


電子束只打到試樣上一點(diǎn),得到這一點(diǎn)的X射線(xiàn)譜的分析方法是點(diǎn)分析方法。與此不同的是,用掃描像觀(guān)察裝置,使電子束在試樣上做二維掃描,測(cè)量特征X射線(xiàn)的強(qiáng)度,使與這個(gè)強(qiáng)度對(duì)應(yīng)的亮度變化與掃描信號(hào)同步在陰極射線(xiàn)管CRT上顯示出來(lái),就得到特征X射線(xiàn)強(qiáng)度的二維分布的像。這種觀(guān)察方法稱(chēng)為元素的面分布分析方法,它是一種測(cè)量元素二維分布的非常方便的方法。


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