XPS刻蝕深度分析相關(guān)問(wèn)題

XPS刻蝕深度分析過(guò)程?XPS刻蝕的深度測(cè)定?

(a)XPS是表面分析方法，探測(cè)深度通常小于10nm，所以在需要結(jié)合離子源刻蝕進(jìn)行深度分析，例如先用XPS測(cè)試表面信息，然后用離子源刻蝕移除表面，之后重復(fù)XPS測(cè)試和刻蝕過(guò)程。

(b)離子源的刻蝕速率會(huì)采用標(biāo)準(zhǔn)樣品進(jìn)行測(cè)定，刻蝕的深度可以用刻蝕速率x刻蝕時(shí)間得到。但是需要注意的是，對(duì)于不同材料，刻蝕速率會(huì)有較大差別，特別是對(duì)于復(fù)雜材料會(huì)很困難得到的真實(shí)刻蝕速率。在深度分析時(shí)，通常是關(guān)注組分或化學(xué)態(tài)隨刻蝕時(shí)間的變化趨勢(shì)。另外，可以采用參照樣品標(biāo)定刻蝕速率或者通過(guò)膜厚儀測(cè)試刻蝕坑的深度來(lái)計(jì)算刻蝕深度。

XPS刻蝕應(yīng)該會(huì)造成新的缺陷，怎么避免呢?

這是XPS刻蝕中的常見(jiàn)問(wèn)題。離子束刻蝕對(duì)樣品會(huì)存在破壞性，如破壞化學(xué)鍵和擇優(yōu)刻蝕，建議根據(jù)材料選擇合適的刻蝕離子源，盡可能降低對(duì)樣品的損傷，例如對(duì)有機(jī)材料進(jìn)行深度分析時(shí)建議選擇團(tuán)簇離子源。另外，可以選擇非破壞性的深度分析方法，例如角度分辨的XPS或者硬X射線XPS。

XPS粉末樣品深度分析相關(guān)問(wèn)題?

采用刻蝕方法進(jìn)行深度分析，通常是針對(duì)薄膜樣品。如果粉末樣品是由納米顆粒所組成的，對(duì)于刻蝕而言其表面到內(nèi)部是混亂無(wú)序的，所以不建議采用刻蝕方法對(duì)粉末樣品進(jìn)行深度分析。如果是具有core-shell結(jié)構(gòu)的樣品，建議采用調(diào)變?nèi)肷鋁射線的能量進(jìn)行深度分析。

怎么調(diào)節(jié)氬離子團(tuán)簇聚集程度，直接調(diào)節(jié)氬氣瓶上面的壓力嗎?怎么知道團(tuán)簇中原子個(gè)數(shù)?

對(duì)于PHI團(tuán)簇離子槍，可以通過(guò)軟件直接控制流量計(jì)調(diào)節(jié)團(tuán)簇離子大小。對(duì)于離子個(gè)數(shù)的測(cè)量需要專用的配件。

以核殼結(jié)構(gòu)的材料為例子時(shí)，為什么要比較兩個(gè)不同激光源的譜圖信息?單獨(dú)使用Cr激光比較不同深度材料化學(xué)結(jié)構(gòu)的差別是不是可以說(shuō)明了?

核殼結(jié)構(gòu)是由核和殼兩部分構(gòu)成，在表征時(shí)需要確定核和殼兩部分的組成和含量差異。只用單一能量的XPS給出的測(cè)試結(jié)果，只能說(shuō)明在這個(gè)深度下的元素組分，無(wú)法給出組分變化趨勢(shì)。調(diào)變?nèi)肷鋁射線能量可以得到不同探測(cè)深度的信息，低能星的X射線探測(cè)表面信息，高能量X射線探測(cè)更深的信息，這也是核殼結(jié)構(gòu)表征中常用的分析方法。

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