鑠思百檢測(cè)

DETECTION OF TECHNICAL SOUSEPAD

透射電子顯微鏡(TEM-EDS)掃描電子顯微鏡(FESEM-EDS)球差電鏡激光共聚焦顯微鏡(LSCM)原子力顯微鏡(AFM)電子探針儀(EPMA)金相顯微鏡電子背散射衍射儀(EBSD)臺(tái)階儀,膜厚儀,探針接觸式輪廓儀,3D輪廓儀工業(yè)CT白光干涉儀(非接觸式3D表面輪廓儀)電鏡測(cè)試FIB制樣離子減薄制樣冷凍超薄切片制樣樹(shù)脂包埋制樣(生物制樣)液氮脆斷制樣金網(wǎng)鉬網(wǎng)銅網(wǎng)超薄碳膜微柵制樣電鏡制樣X射線光電子能譜分析儀(XPS)紫外光電子能譜(UPS)俄歇電子能譜(AES)X射線衍射儀(XRD)X射線散射儀SAXS/WAXSX射線殘余應(yīng)力分析儀X射線熒光光譜分析儀(XRF)電感耦合等離子體光譜儀(ICP-OES)紫外可見(jiàn)反射儀(DRS)拉曼光譜(RAMAN)紫外-可見(jiàn)分光光度計(jì)(UV)圓二色譜(CD)傅里葉變換紅外光譜分析儀(FTIR)吡啶紅外(DRIFTS)單晶衍射儀穆斯堡爾光譜儀穩(wěn)態(tài)瞬態(tài)熒光光譜分析儀(PL)原子吸收分光光度計(jì)原子熒光光度計(jì)(AFS)三維熒光 /熒光分光光度計(jì)紅外熱成像儀霧度儀旋光儀橢偏儀光譜測(cè)試電感耦合等離子體質(zhì)譜儀(ICP-MS)電噴霧離子化質(zhì)譜儀(ESI-MS)頂空-固相微萃取氣質(zhì)聯(lián)用儀(HS -SPME -GC -MS)二次離子質(zhì)譜(SIMS)基質(zhì)輔助激光解吸電離飛行時(shí)間質(zhì)譜儀(MALDI-TOF)裂解氣質(zhì)聯(lián)用儀(PY-GC-MS)氣質(zhì)聯(lián)用儀(GC-MS)同位素質(zhì)譜儀液質(zhì)聯(lián)用儀(LC-MS)質(zhì)譜測(cè)試差示掃描量熱儀(DSC)熱重分析儀(TGA)熱分析聯(lián)用儀(DSC-TGA)靜態(tài)/動(dòng)態(tài)熱機(jī)械分析儀(TMA/DMA)熱重紅外聯(lián)用儀(TG-IR)熱重紅外質(zhì)譜聯(lián)用儀(TG-IR-MS)熱重紅外氣相質(zhì)譜聯(lián)用(TG-IR-GC-MS)紅外熱成像儀激光導(dǎo)熱儀錐形量熱儀(CONE)熱譜測(cè)試電子順磁共振波譜儀(EPR、ESR)固體核磁共振儀(NMR)液體核磁共振儀(NMR)微波網(wǎng)絡(luò)矢量分析儀/矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀核磁順磁波譜測(cè)試比表面及孔徑分析儀(BET)表面張力儀(界面張力儀)高壓吸附儀化學(xué)吸附儀(TPD TPR)接觸角測(cè)量?jī)x納米壓痕儀壓汞儀(MIP)表界面物性測(cè)試氣相色譜儀(GC)高效液相色譜儀(HPLC)離子色譜儀(IC)凝膠色譜儀(GPC)液相色譜(LC)色譜測(cè)試電導(dǎo)率儀電化學(xué)工作站腐蝕測(cè)試儀介電常數(shù)測(cè)定儀卡爾費(fèi)休水分測(cè)定儀自動(dòng)電位滴定儀電化學(xué)儀器測(cè)試Zeta電位儀工業(yè)分析激光粒度儀流變儀密度測(cè)定儀納米粒度儀邵氏 維氏 洛氏硬度計(jì)有機(jī)鹵素分析儀(F,Cl,Br,I,At,Ts)有機(jī)元素分析儀(EA)粘度計(jì)振動(dòng)樣品磁強(qiáng)計(jì)(VSM)土壤分析測(cè)試植物分析測(cè)試其他測(cè)試同步輻射GIWAXS GISAXS同步輻射XRD,PDF,SAXS同步輻射吸收譜-高能機(jī)時(shí)同步輻射吸收譜之軟X射線同步輻射吸收譜之硬X射線同步輻射聚焦離子束掃描電鏡(FIB-SEM)礦物定量分析系統(tǒng)MLA球差校正透射電子顯微鏡高端電鏡類原位XPS測(cè)試原位EBSD(in situ -EBSD)原位紅外原位掃描電子顯微鏡(in-situ-SEM)原位透射電子顯微鏡高端原位測(cè)試飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜儀(TOF-SIMS)輝光放電光譜(GD-OES MS)三維原子探針(APT)高端質(zhì)譜類Micro/Nano /工業(yè)CT飛秒瞬態(tài)吸收光譜儀(fs-TAS)掃描隧道顯微鏡深能級(jí)瞬態(tài)譜儀正電子湮滅壽命譜儀其他XPS數(shù)據(jù)分析XRD全巖黏土分析表面成分分析技術(shù)-XPS測(cè)試分析常規(guī)XRD數(shù)據(jù)分析成分指紋分析技術(shù)-紅外測(cè)試分析二維紅外光譜技術(shù)紅外(IR)數(shù)據(jù)分析拉曼數(shù)據(jù)分析三維熒光數(shù)據(jù)分析圓二色譜(CD)數(shù)據(jù)分析成分含量分析EPR/ESR數(shù)據(jù)分析VSM數(shù)據(jù)分析電化學(xué)數(shù)據(jù)分析矢量網(wǎng)絡(luò)數(shù)據(jù)分析電磁分析CT數(shù)據(jù)分析X射線吸收精細(xì)結(jié)構(gòu)普(XAFS)數(shù)據(jù)分析穆斯堡爾譜數(shù)據(jù)分析小角散射(SAXS/WAXS)數(shù)據(jù)分析高端測(cè)試分析固體核磁數(shù)據(jù)分析液體核磁(NMR)測(cè)試+分析一體化液體核磁(NMR)數(shù)據(jù)分析化學(xué)結(jié)構(gòu)分析EBSD數(shù)據(jù)分析TEM數(shù)據(jù)分析單晶XRD數(shù)據(jù)分析晶體結(jié)構(gòu)確證技術(shù)-XRD精修XRD定性定量分析晶體結(jié)構(gòu)分析BET數(shù)據(jù)分析其它數(shù)據(jù)分析需求熱分析數(shù)據(jù)處理數(shù)據(jù)分析作圖其他數(shù)據(jù)分析半導(dǎo)體激光器模擬發(fā)光二極管仿真光電探測(cè)器仿真太陽(yáng)能電池仿真半導(dǎo)體器件仿真表面能差分密度磁矩單原子催化電荷密度電解水制氫反應(yīng)(HER)費(fèi)米面(fermi surface)電子局域化函數(shù)(electron localization function)第一性原理分子模擬量子化學(xué)相分析有限元模擬常規(guī)理化-水樣常規(guī)理化-土樣/沉積物常規(guī)理化-氣體常規(guī)理化-植物/蔬果/農(nóng)作物常規(guī)理化-食品常規(guī)理化-肥料/飼料常規(guī)理化-巖礦常規(guī)理化-垃圾常規(guī)理化-職業(yè)衛(wèi)生常規(guī)理化-其它常規(guī)理化項(xiàng)目纖維素、半纖維素、木質(zhì)素含量bcr形態(tài)順序提取/tessier五步提取法土壤水體抗生素微塑料微生物磷脂脂肪酸(PLFA)非標(biāo)理化-其它非標(biāo)理化項(xiàng)目穩(wěn)定同位素放射性同位素同位素-其它金屬同位素同位素多糖的單糖組成測(cè)定可溶性寡糖定量土壤氨基糖多糖全套分析多糖甲基化植物糖化學(xué)-常規(guī)指標(biāo)糖化學(xué)液質(zhì)聯(lián)用LCMS高效液相色譜HPLC氣相色譜GC氣質(zhì)聯(lián)用GCMS全二維氣質(zhì)GC×GC-MS氣相色譜-離子遷移譜聯(lián)用儀(GC-IMS)液相色譜-原子熒光聯(lián)用(LC-AFS)制備型HPLC色譜質(zhì)譜數(shù)據(jù)分析液相色譜-電感耦合等離子體質(zhì)譜(LC-ICPMS)色譜質(zhì)譜DOM(FT- ICR- MS)水質(zhì)NOM(LC-OCD-OND)DOM(FT-ICR-MS)數(shù)據(jù)分析環(huán)境高端電池產(chǎn)品整體解決方案正極顆粒表面微觀形貌正極顆粒物截面形貌與元素三元正極顆粒循環(huán)前后晶界裂紋正極顆粒摻雜元素分布正極顆粒截面元素分布和晶格表征正極極片原位晶相分析正極極片截面元素分布和晶格表征正極表面CEI膜測(cè)試方法XPS正極極片截面微觀形貌觀察和元素分布正極極片CEI膜成分分析與厚度測(cè)定正極極片介電常數(shù)正極極片浸潤(rùn)性正極極片包覆層觀察正極極片雜質(zhì)含量測(cè)定正極極片氧空位測(cè)定負(fù)極顆粒表面微觀形貌觀察和元素分布負(fù)極顆粒截面微觀形貌觀察和元素分布石墨類型判定負(fù)極顆粒粒徑分析負(fù)極極片孔洞分析負(fù)極顆粒包覆層觀察負(fù)極顆粒羥基含量測(cè)定負(fù)極極片包覆層觀察負(fù)極表面SEI膜分析XPS法負(fù)極極片SEI膜成分分析與厚度測(cè)定負(fù)極極片截面微觀形貌觀察和元素分布負(fù)極極片石墨碳和無(wú)定型碳比例隔膜表面微觀形貌觀察隔膜循環(huán)前后孔徑變化質(zhì)子交換膜形貌(厚度)觀察 CP+SEM質(zhì)子交換膜雜質(zhì)元素電池循環(huán)后鼓包氣電池循環(huán)后爆炸氣鋰電池極片和集流體間的粘結(jié)強(qiáng)度三元正極材料NCM比例燃料電池-整體解決方案電池產(chǎn)品-隔膜電池產(chǎn)品-優(yōu)勢(shì)項(xiàng)目正極材料-PH值正極材料-比表面積正極材料-磁性異物正極材料-化學(xué)成分正極材料-晶體結(jié)構(gòu)正極材料-粒徑分布正極材料-首次放電比容量及首次庫(kù)倫效率正極材料-水分含量正極材料-松裝密度正極材料-未知物分析正極材料-形貌,厚度與結(jié)構(gòu)正極材料-壓實(shí)密度正極材料-振實(shí)密度電池產(chǎn)品-正極材料負(fù)極材料-PH值負(fù)極材料-比表面積負(fù)極材料-層間距 石墨化度負(fù)極材料成分分析負(fù)極材料-磁性異物負(fù)極材料-粉末壓實(shí)密度負(fù)極材料-固定碳含量負(fù)極材料-化學(xué)成分負(fù)極材料-粒徑分布負(fù)極材料-石墨鑒定負(fù)極材料-水分負(fù)極材料-限用物質(zhì)含量負(fù)極材料-形貌與結(jié)構(gòu)負(fù)極材料-陰離子的測(cè)定負(fù)極材料-有機(jī)物含量負(fù)極材料-真密度負(fù)極材料-振實(shí)密度負(fù)極顆粒-石墨取向性(OI值)首次放電比容量及首次庫(kù)倫效率電池產(chǎn)品-負(fù)極材料電解液-電導(dǎo)率電解液-化學(xué)元素含量電解液-密度電解液-水分含量電解液-未知物分析電解液-游離酸(HF含量)電池產(chǎn)品-電解液電池產(chǎn)品-隔膜電池產(chǎn)品-隔膜
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SEM掃描電鏡的應(yīng)用分析

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發(fā)表時(shí)間:2024-07-12 08:56作者:鑠思百檢測(cè)

掃描電子顯微鏡(Scanning Electron Microscope, 簡(jiǎn)稱SEM)是一種電子顯微鏡,介于透射電鏡和光學(xué)顯微鏡之間的一種微觀形貌觀察手段,可直接利用樣品表面材料的物質(zhì)性能進(jìn)行微觀成像。掃描電鏡作為現(xiàn)代科研中不可或缺的工具,廣泛應(yīng)用于材料學(xué)、物理學(xué)、生物學(xué)、地礦學(xué)、考古學(xué)等多個(gè)領(lǐng)域。今天鑠思百檢測(cè)小編給大家介紹常見(jiàn)的幾種掃描電鏡的應(yīng)用,來(lái)展示SEM在科研中的重要作用。


一、SEM在材料學(xué)中的應(yīng)用

1、納米材料:
分析納米材料的結(jié)構(gòu),顆粒尺寸、分布、均勻度及團(tuán)聚情況,結(jié)合能譜還可對(duì)納米材料的微區(qū)成分進(jìn)行分析,確定材料組成。

案例1:

如圖1所示,Mg/MOF-74 納米復(fù)合物由柱狀和針狀交織在一起的MOF-74 金屬有機(jī)框架材料和外層包覆的鎂納米顆粒組成,整體顆粒尺寸約為數(shù)微米。所用MOF-74 的活性金屬位點(diǎn)為Mg,因此其EDS元素分布圖僅存在C、O 和Mg。

圖1. Mg/MOF-74 納米復(fù)合物的FE-SEM圖和EDS 元素分布圖

[文獻(xiàn)1]王永清. 鎂基納米復(fù)合材料的制備、改性及其儲(chǔ)氫性能研究[D].廣西大學(xué),2021.DOI:10.27034/d.cnki.ggxiu.2020.000374.

2、高分子材料:
觀察高分子材料的微觀形貌,以及高分子材料老化,疲勞,拉伸以及扭轉(zhuǎn)過(guò)程中斷口斷裂與擴(kuò)散情況。

案例2:

從圖2a中可以看出,纖維和基體的斷裂面較為平整垂直于纖維軸向,而且在斷口面下方?jīng)]有出現(xiàn)基體裂紋和纖維斷裂。從圖2b和2c可以看到在斷口面附近出現(xiàn)大量反應(yīng)層開(kāi)裂。雖然SiCf/Ti-200 復(fù)合材料的斷口成不規(guī)則狀,但是也可以依據(jù)基體斷裂面的相對(duì)高度,可以將整個(gè)斷口看作是由若干個(gè)小的平坦區(qū)域組成。

圖2. SiCf/Ti-200 復(fù)合材料縱拋面SEM圖

[文獻(xiàn)2]彭久順. SiC_f/Ti17復(fù)合材料拉伸及疲勞失效行為研究[D].吉林大學(xué),2024.DOI:10.27162/d.cnki.gjlin.2023.005409.
3、金屬材料:
分析金屬材料的微觀組織、斷裂模式和表面磨損,腐蝕和形變情況;還可以分析鋼鐵產(chǎn)品質(zhì)量與缺陷(如氣泡、顯微裂紋、顯微縮孔等);結(jié)合能譜可確定金屬與合金各元素偏析情況,觀察物相并進(jìn)行成分識(shí)別。

案例3:

由于XRD結(jié)果顯示,620℃時(shí)逆變奧氏體的含量最高,所以在此回火溫度的基礎(chǔ)上繼續(xù)增加回火時(shí)間至32h、64h。圖3為這兩個(gè)回火時(shí)間的金相組織圖和SEM圖。由圖3可知,隨著回火時(shí)間的繼續(xù)提升,新的α相繼續(xù)增加,并且該相的體積也逐漸增大。

圖3. 回火溫度為620℃試樣的OM 圖和SEM 圖

[文獻(xiàn)3]李開(kāi)顏. 熱處理工藝對(duì)00Cr13Ni5Mo超級(jí)馬氏體不銹鋼組織和性能的影響[D].中北大學(xué),2024.DOI:10.27470/d.cnki.ghbgc.2023.000462.

4、陶瓷材料:
對(duì)陶瓷材料的顯微結(jié)構(gòu)及缺陷進(jìn)行分析,觀察陶瓷材料中的晶相,晶體大小,雜質(zhì),氣孔及孔隙分布、晶粒取向及晶粒大小等情況。

案例4:

從圖4中可以看出,所有陶瓷均顯示出致密結(jié)構(gòu),并且隨著MgO的加入,陶瓷的平均晶粒尺寸由30~40μm(SYT14)顯著下降至3~4μm(SYT14-9M),平均晶粒尺寸與純ST陶瓷相當(dāng)。結(jié)合EDS能譜圖,可以清晰看到以Mg氧化物為主要成分的物質(zhì)在陶瓷的晶界處形成第二相,這抑制了晶粒的生長(zhǎng)。插圖顯示,ST與SYT14-9M陶瓷樣品呈黃色,而SYT14與SYT14-7M陶瓷樣品呈深藍(lán)色。說(shuō)明ST與 SYT14-9M陶瓷中Ti3+離子較少。主要是因?yàn)镸gO的引入可以穩(wěn)定Ti4+離子價(jià)態(tài),主要是由于當(dāng)Mg2+離子引入ST時(shí),發(fā)生缺陷化學(xué)反應(yīng)。


圖4. 陶瓷的SEM圖,插圖為SYT14-7M和SYT14-9M陶瓷的 EDS能譜

[文獻(xiàn)4]王博. SrTiO3基巨介電低損耗陶瓷缺陷化學(xué)與電導(dǎo)機(jī)制研究[D].陜西科技大學(xué),2024.DOI:10.27290/d.cnki.gxbqc.2022.000514.


二、SEM在物理學(xué)中的應(yīng)用

觀察表面處理對(duì)材料的硬度和光學(xué)等物理性能的影響;還可以觀察經(jīng)鍍膜、光刻蝕后的表面形貌等。

案例5:

從圖5中可以看出,未上漿碳纖維表面光滑無(wú)疵點(diǎn),上漿后碳纖維表面有一層漿膜存在,還存有大小不一的小顆粒。同時(shí),還可看出上漿濃度不同,碳纖維表面微觀結(jié)構(gòu)發(fā)生變化。主要是因?yàn)榈蜐舛葷{料纖維表面形成一層完整的漿膜,能改善纖維表面微孔和裂紋;而過(guò)高濃度漿料將在纖維表面形成麥粒狀小顆粒,使纖維表面相對(duì)粗糙不平。上漿劑對(duì)碳纖維表面形態(tài)的影響是一個(gè)相對(duì)復(fù)雜的過(guò)程。一般來(lái)講,纖維表面粗糙度的變化對(duì)碳纖維復(fù)合材料的界面結(jié)合有重要影響。粗糙度的輕微變化可以極大程度的影響纖維與基體樹(shù)脂間的界面粘結(jié)性。

圖5. 上漿碳纖維表面SEM圖
[文獻(xiàn)5]張煥俠. 碳纖維表面和界面性能研究及評(píng)價(jià)[D].東華大學(xué),2015.



三、SEM在生物學(xué)中的應(yīng)用

研究生物活性材料和生物陶瓷的表面形貌和細(xì)胞生長(zhǎng)情況;還可用于觀察水凝膠的孔洞結(jié)構(gòu),膠原的纖維結(jié)構(gòu),人工骨的孔分布,磁性生物顯影材料的尺度及包覆情況等。

案例6:

由圖6可見(jiàn),細(xì)胞在PGS/PLLA上黏附,但數(shù)量較少,排列稀疏;PGS/PLLA-PDA表面的細(xì)胞數(shù)量和密度較PGS/PLLA有所增加,均有絲狀偽足伸出,細(xì)胞呈多角形,形態(tài)良好;PGS/PLLA-PDA-CoⅡ上細(xì)胞生長(zhǎng)密度明顯增加,排列比較密集,細(xì)胞間相互融合,鋪展面積較大,有較多的絲狀和板狀偽足,細(xì)胞突觸長(zhǎng)度和數(shù)目增高,細(xì)胞與材料孔洞之間、細(xì)胞與細(xì)胞之間有較多樹(shù)枝狀的突起相互交聯(lián),說(shuō)明PGS/PLLA-PDA-CoⅡ材料更有利于細(xì)胞的粘附生長(zhǎng)。


圖6. 羊顳下頜關(guān)節(jié)盤(pán)細(xì)胞與表面處理前后的支架共培養(yǎng)2d的SEM圖(×500)

[文獻(xiàn)6]劉揚(yáng). PGS/PLLA支架負(fù)載聚多巴胺/Ⅰ型膠原復(fù)合涂層的制備及生物學(xué)評(píng)價(jià)[D].蘭州大學(xué),2023.DOI:10.27204/d.cnki.glzhu.2022.001752.

四、SEM在地礦學(xué)中的應(yīng)用

用于觀察巖石礦物的表面形貌、和組成;還可以分析巖土的微觀結(jié)構(gòu)、構(gòu)造和堅(jiān)固性。

案例7:

如圖7所示,3.0%HCI溶蝕后的白云石殘樣表面光滑、無(wú)附著物,3.0%HAC溶蝕后的白云石殘樣表面附著“細(xì)纖維”狀物質(zhì),3.0%混合酸溶蝕后白云石殘樣表面無(wú)“細(xì)纖維”狀固體,但有突出的“簇狀”形態(tài)。3.0%的鹽酸、乙酸、混合酸對(duì)白云石的溶蝕率分別為91.81%,56.74%,69.57%,殘酸pH均在5左右。說(shuō)明在弱酸溶液中,鹽酸與白云石反應(yīng)不會(huì)伴隨生成沉淀的副反應(yīng),乙酸與白云石則可能伴有生成“細(xì)纖維”狀固體的反應(yīng)?;旌纤崤c白云石反應(yīng)生成“纖維”狀固體的量明顯少于乙酸,說(shuō)明混合酸中鹽酸能有效減少“纖維”狀固體的生成。觀察發(fā)現(xiàn)12.0%HAC溶蝕后白云石殘樣至少存在兩種微觀形態(tài)與白云石不同的固體,一種是“細(xì)纖維”簇狀固體(見(jiàn)圖7e),另一種是“小薄片”狀固體(7g)。


圖7. 白云石SEM圖
[文獻(xiàn)7]閆福麗.酸對(duì)巖石礦物的溶蝕機(jī)理及粘彈性表活劑酸化液體系研究[D].陜西科技大學(xué),2022.DOI:10.27290/d.cnki.gxbqc.2022.000014.

五、SEM在微電子工業(yè)中的應(yīng)用

可用于半導(dǎo)體器件的失效分析、微觀形貌的觀察以及失效點(diǎn)和缺陷點(diǎn)的查找。

案例8:

從圖8中可以看出,Sb2Se3晶體由一些大的微米級(jí)晶粒組成。(Sn0.05Sb0.95)2Se3晶體經(jīng)化學(xué)腐蝕后清楚顯示出晶粒分布,且平均晶粒尺寸約為15μm。此外,通過(guò) EDS元素分布圖能觀察到晶體中各元素的空間分布,其中Sb和Se在整個(gè)晶體中均勻分布,而摻雜元素Sn經(jīng)化學(xué)腐蝕后在晶界處存在富集現(xiàn)象。對(duì)于Sn 摻雜濃度更高的(Sn0.10Sb0.90)2Se3晶體,化學(xué)腐蝕后Sn富集區(qū)更加明顯,如圖 8c 所示。圖8d中點(diǎn)1取自圖8b,點(diǎn)2則取自圖 8c,兩個(gè)點(diǎn)的原子比Sn:Sb:Se 分別為14.54:23.74:61.72和15.39:22.22:62.39。由此可知,不同化學(xué)組成的(SnxSb1-x)2Se3晶體得到的Sn富集區(qū)卻呈現(xiàn)類似的元素組成,并且具體的原子比例接近于Sn2Sb4Se8對(duì)應(yīng)的化學(xué)計(jì)量比,即2:4:8。  


圖8. Sb2Se3晶體(a)、(Sn0.05Sb0.95)2Se3晶體(b)和(Sn0.10Sb0.90)2Se3晶體(c)經(jīng)NaOH溶液化學(xué)離蝕后的表面SEM圖,以及兩個(gè)點(diǎn)測(cè)試的EDS 能譜圖(d)
[文獻(xiàn)8]陳爍. 硒化物半導(dǎo)體材料的制備及其光電器件應(yīng)用研究[D].浙江大學(xué),2018.

六、SEM在考古學(xué)中的應(yīng)用

SEM在考古中也有著重要的作用,可以對(duì)文物的微觀結(jié)構(gòu)和化學(xué)成分進(jìn)行無(wú)損檢測(cè),以分析各種文物的成份,年代,材料等。

案例9:

SEM顯示,金飾片的厚度不均勻,牌飾表面有不規(guī)則凹坑和劃痕,穿孔近圓形,圖b和圖e),從正面向背面呈不規(guī)則撕裂狀,金牌飾背面有交錯(cuò)分布的紋理,可能是模具或襯墊物擠壓造成(圖c),圖f羊首形金牌飾背面局部形貌,可見(jiàn)平行的滑移線,說(shuō)明器物發(fā)生過(guò)塑性形變,即受到了切應(yīng)力。獸形和羊首形金牌飾的制作方式可能是在某種材質(zhì)的模具上錘揲而成,鷹首形金牌飾表面有錘揲痕跡,邊緣有粗糙的裁切痕跡,其制作方式是先錘揲后用不太鋒利的工具裁剪成鷹首形狀(圖h)。

圖9. 新疆巴里坤出土金飾片表面形貌觀察

[文獻(xiàn)9]紀(jì)娟,譚盼盼,楊軍昌.先秦至漢代金器文物制作工藝的掃描電鏡能譜分析[J].中國(guó)文物科學(xué)研究,2022(01):64-71.


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