鑠思百檢測

DETECTION OF TECHNICAL SOUSEPAD

透射電子顯微鏡(TEM-EDS)掃描電子顯微鏡(FESEM-EDS)球差電鏡激光共聚焦顯微鏡(LSCM)原子力顯微鏡(AFM)電子探針儀(EPMA)金相顯微鏡電子背散射衍射儀(EBSD)臺階儀,膜厚儀,探針接觸式輪廓儀,3D輪廓儀工業(yè)CT白光干涉儀(非接觸式3D表面輪廓儀)電鏡測試FIB制樣離子減薄制樣冷凍超薄切片制樣樹脂包埋制樣(生物制樣)液氮脆斷制樣金網(wǎng)鉬網(wǎng)銅網(wǎng)超薄碳膜微柵制樣電鏡制樣X射線光電子能譜分析儀(XPS)紫外光電子能譜(UPS)俄歇電子能譜(AES)X射線衍射儀(XRD)X射線散射儀SAXS/WAXSX射線殘余應(yīng)力分析儀X射線熒光光譜分析儀(XRF)電感耦合等離子體光譜儀(ICP-OES)紫外可見反射儀(DRS)拉曼光譜(RAMAN)紫外-可見分光光度計(jì)(UV)圓二色譜(CD)傅里葉變換紅外光譜分析儀(FTIR)吡啶紅外(DRIFTS)單晶衍射儀穆斯堡爾光譜儀穩(wěn)態(tài)瞬態(tài)熒光光譜分析儀(PL)原子吸收分光光度計(jì)原子熒光光度計(jì)(AFS)三維熒光 /熒光分光光度計(jì)紅外熱成像儀霧度儀旋光儀橢偏儀光譜測試電感耦合等離子體質(zhì)譜儀(ICP-MS)電噴霧離子化質(zhì)譜儀(ESI-MS)頂空-固相微萃取氣質(zhì)聯(lián)用儀(HS -SPME -GC -MS)二次離子質(zhì)譜(SIMS)基質(zhì)輔助激光解吸電離飛行時(shí)間質(zhì)譜儀(MALDI-TOF)裂解氣質(zhì)聯(lián)用儀(PY-GC-MS)氣質(zhì)聯(lián)用儀(GC-MS)同位素質(zhì)譜儀液質(zhì)聯(lián)用儀(LC-MS)質(zhì)譜測試差示掃描量熱儀(DSC)熱重分析儀(TGA)熱分析聯(lián)用儀(DSC-TGA)靜態(tài)/動(dòng)態(tài)熱機(jī)械分析儀(TMA/DMA)熱重紅外聯(lián)用儀(TG-IR)熱重紅外質(zhì)譜聯(lián)用儀(TG-IR-MS)熱重紅外氣相質(zhì)譜聯(lián)用(TG-IR-GC-MS)紅外熱成像儀激光導(dǎo)熱儀錐形量熱儀(CONE)熱譜測試電子順磁共振波譜儀(EPR、ESR)固體核磁共振儀(NMR)液體核磁共振儀(NMR)微波網(wǎng)絡(luò)矢量分析儀/矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀核磁順磁波譜測試比表面及孔徑分析儀(BET)表面張力儀(界面張力儀)高壓吸附儀化學(xué)吸附儀(TPD TPR)接觸角測量儀納米壓痕儀壓汞儀(MIP)表界面物性測試氣相色譜儀(GC)高效液相色譜儀(HPLC)離子色譜儀(IC)凝膠色譜儀(GPC)液相色譜(LC)色譜測試電導(dǎo)率儀電化學(xué)工作站腐蝕測試儀介電常數(shù)測定儀卡爾費(fèi)休水分測定儀自動(dòng)電位滴定儀電化學(xué)儀器測試Zeta電位儀工業(yè)分析激光粒度儀流變儀密度測定儀納米粒度儀邵氏 維氏 洛氏硬度計(jì)有機(jī)鹵素分析儀(F,Cl,Br,I,At,Ts)有機(jī)元素分析儀(EA)粘度計(jì)振動(dòng)樣品磁強(qiáng)計(jì)(VSM)土壤分析測試植物分析測試其他測試同步輻射GIWAXS GISAXS同步輻射XRD,PDF,SAXS同步輻射吸收譜-高能機(jī)時(shí)同步輻射吸收譜之軟X射線同步輻射吸收譜之硬X射線同步輻射聚焦離子束掃描電鏡(FIB-SEM)礦物定量分析系統(tǒng)MLA球差校正透射電子顯微鏡高端電鏡類原位XPS測試原位EBSD(in situ -EBSD)原位紅外原位掃描電子顯微鏡(in-situ-SEM)原位透射電子顯微鏡高端原位測試飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜儀(TOF-SIMS)輝光放電光譜(GD-OES MS)三維原子探針(APT)高端質(zhì)譜類Micro/Nano /工業(yè)CT飛秒瞬態(tài)吸收光譜儀(fs-TAS)掃描隧道顯微鏡深能級瞬態(tài)譜儀正電子湮滅壽命譜儀其他XPS數(shù)據(jù)分析XRD全巖黏土分析表面成分分析技術(shù)-XPS測試分析常規(guī)XRD數(shù)據(jù)分析成分指紋分析技術(shù)-紅外測試分析二維紅外光譜技術(shù)紅外(IR)數(shù)據(jù)分析拉曼數(shù)據(jù)分析三維熒光數(shù)據(jù)分析圓二色譜(CD)數(shù)據(jù)分析成分含量分析EPR/ESR數(shù)據(jù)分析VSM數(shù)據(jù)分析電化學(xué)數(shù)據(jù)分析矢量網(wǎng)絡(luò)數(shù)據(jù)分析電磁分析CT數(shù)據(jù)分析X射線吸收精細(xì)結(jié)構(gòu)普(XAFS)數(shù)據(jù)分析穆斯堡爾譜數(shù)據(jù)分析小角散射(SAXS/WAXS)數(shù)據(jù)分析高端測試分析固體核磁數(shù)據(jù)分析液體核磁(NMR)測試+分析一體化液體核磁(NMR)數(shù)據(jù)分析化學(xué)結(jié)構(gòu)分析EBSD數(shù)據(jù)分析TEM數(shù)據(jù)分析單晶XRD數(shù)據(jù)分析晶體結(jié)構(gòu)確證技術(shù)-XRD精修XRD定性定量分析晶體結(jié)構(gòu)分析BET數(shù)據(jù)分析其它數(shù)據(jù)分析需求熱分析數(shù)據(jù)處理數(shù)據(jù)分析作圖其他數(shù)據(jù)分析半導(dǎo)體激光器模擬發(fā)光二極管仿真光電探測器仿真太陽能電池仿真半導(dǎo)體器件仿真表面能差分密度磁矩單原子催化電荷密度電解水制氫反應(yīng)(HER)費(fèi)米面(fermi surface)電子局域化函數(shù)(electron localization function)第一性原理分子模擬量子化學(xué)相分析有限元模擬常規(guī)理化-水樣常規(guī)理化-土樣/沉積物常規(guī)理化-氣體常規(guī)理化-植物/蔬果/農(nóng)作物常規(guī)理化-食品常規(guī)理化-肥料/飼料常規(guī)理化-巖礦常規(guī)理化-垃圾常規(guī)理化-職業(yè)衛(wèi)生常規(guī)理化-其它常規(guī)理化項(xiàng)目纖維素、半纖維素、木質(zhì)素含量bcr形態(tài)順序提取/tessier五步提取法土壤水體抗生素微塑料微生物磷脂脂肪酸(PLFA)非標(biāo)理化-其它非標(biāo)理化項(xiàng)目穩(wěn)定同位素放射性同位素同位素-其它金屬同位素同位素多糖的單糖組成測定可溶性寡糖定量土壤氨基糖多糖全套分析多糖甲基化植物糖化學(xué)-常規(guī)指標(biāo)糖化學(xué)液質(zhì)聯(lián)用LCMS高效液相色譜HPLC氣相色譜GC氣質(zhì)聯(lián)用GCMS全二維氣質(zhì)GC×GC-MS氣相色譜-離子遷移譜聯(lián)用儀(GC-IMS)液相色譜-原子熒光聯(lián)用(LC-AFS)制備型HPLC色譜質(zhì)譜數(shù)據(jù)分析液相色譜-電感耦合等離子體質(zhì)譜(LC-ICPMS)色譜質(zhì)譜DOM(FT- ICR- MS)水質(zhì)NOM(LC-OCD-OND)DOM(FT-ICR-MS)數(shù)據(jù)分析環(huán)境高端電池產(chǎn)品整體解決方案正極顆粒表面微觀形貌正極顆粒物截面形貌與元素三元正極顆粒循環(huán)前后晶界裂紋正極顆粒摻雜元素分布正極顆粒截面元素分布和晶格表征正極極片原位晶相分析正極極片截面元素分布和晶格表征正極表面CEI膜測試方法XPS正極極片截面微觀形貌觀察和元素分布正極極片CEI膜成分分析與厚度測定正極極片介電常數(shù)正極極片浸潤性正極極片包覆層觀察正極極片雜質(zhì)含量測定正極極片氧空位測定負(fù)極顆粒表面微觀形貌觀察和元素分布負(fù)極顆粒截面微觀形貌觀察和元素分布石墨類型判定負(fù)極顆粒粒徑分析負(fù)極極片孔洞分析負(fù)極顆粒包覆層觀察負(fù)極顆粒羥基含量測定負(fù)極極片包覆層觀察負(fù)極表面SEI膜分析XPS法負(fù)極極片SEI膜成分分析與厚度測定負(fù)極極片截面微觀形貌觀察和元素分布負(fù)極極片石墨碳和無定型碳比例隔膜表面微觀形貌觀察隔膜循環(huán)前后孔徑變化質(zhì)子交換膜形貌(厚度)觀察 CP+SEM質(zhì)子交換膜雜質(zhì)元素電池循環(huán)后鼓包氣電池循環(huán)后爆炸氣鋰電池極片和集流體間的粘結(jié)強(qiáng)度三元正極材料NCM比例燃料電池-整體解決方案電池產(chǎn)品-隔膜電池產(chǎn)品-優(yōu)勢項(xiàng)目正極材料-PH值正極材料-比表面積正極材料-磁性異物正極材料-化學(xué)成分正極材料-晶體結(jié)構(gòu)正極材料-粒徑分布正極材料-首次放電比容量及首次庫倫效率正極材料-水分含量正極材料-松裝密度正極材料-未知物分析正極材料-形貌,厚度與結(jié)構(gòu)正極材料-壓實(shí)密度正極材料-振實(shí)密度電池產(chǎn)品-正極材料負(fù)極材料-PH值負(fù)極材料-比表面積負(fù)極材料-層間距 石墨化度負(fù)極材料成分分析負(fù)極材料-磁性異物負(fù)極材料-粉末壓實(shí)密度負(fù)極材料-固定碳含量負(fù)極材料-化學(xué)成分負(fù)極材料-粒徑分布負(fù)極材料-石墨鑒定負(fù)極材料-水分負(fù)極材料-限用物質(zhì)含量負(fù)極材料-形貌與結(jié)構(gòu)負(fù)極材料-陰離子的測定負(fù)極材料-有機(jī)物含量負(fù)極材料-真密度負(fù)極材料-振實(shí)密度負(fù)極顆粒-石墨取向性(OI值)首次放電比容量及首次庫倫效率電池產(chǎn)品-負(fù)極材料電解液-電導(dǎo)率電解液-化學(xué)元素含量電解液-密度電解液-水分含量電解液-未知物分析電解液-游離酸(HF含量)電池產(chǎn)品-電解液電池產(chǎn)品-隔膜電池產(chǎn)品-隔膜
設(shè)為首頁 | 收藏本站

XPS測試結(jié)果展示

 二維碼
發(fā)表時(shí)間:2020-08-21 08:57作者:鑠思百檢測來源:鑠思百檢測

XPS測試結(jié)果展示

?XPS測試結(jié)果分為全譜+精細(xì)譜兩部分,拿到數(shù)據(jù)先看全譜,如下圖:

  • xps結(jié)果

  Survey是全譜數(shù)據(jù),Survey左側(cè)依次是本次是測試中的精細(xì)譜(有些人稱為窄譜)數(shù)據(jù)。用于數(shù)據(jù)擬合和分峰處理,具體見XPS分峰教程。
  表面元素含量定性定量結(jié)果,其中Atomic %是本次可以使用的數(shù)據(jù),PP At. %不用管,俄歇中用的參數(shù),截圖如下:
  • xps結(jié)果


  • xps結(jié)果


  A. 化合物中元素種類的分析——全譜分析

  1. 什么時(shí)候需要進(jìn)行全譜分析(XPS survey)?全譜分析的目的是什么?

  全譜分析一般用來說明樣品中是否存在某種元素。比較極端的,對于某一化學(xué)成分完全未知的樣品,可以通過XPS全譜分析來確定樣品中含有哪些元素(H和He除外)。

  而更多情況下,人們采用已知成分的原料來合成樣品,然后通過XPS全譜來確定樣品中到底含有哪些元素;或者對某一已知成分的樣品進(jìn)行某種處理(摻雜或者脫除),然后通過XPS全譜分析來確定元素組成,最終證實(shí)這種處理手段的有效性。

  • xps結(jié)果


  實(shí)例說明一:J. Appl. Phys. 2014,116, 213911一文中,采用XPS全譜分析來對比AlN和AlN:Er,證實(shí)reactive magnetron sputtering處理后,Er成功摻雜到AlN薄膜中。

  • xps結(jié)果


  實(shí)例說明二:Appl. Catal. B: Environ. 2009, 595–602.一文中采用XPS全譜分析來說明Fe成功摻雜到TiO2 nanorod中。
  從以上兩個(gè)例子中可以看出,全譜分析主要看峰的有無,進(jìn)而確定是否存在該元素。

  2. 全譜分析有何不足之處?

  全譜分析所得到的信號比較粗糙,只是對元素進(jìn)行粗略的掃描,確定元素有無以及大致位置。對于含量較低的元素而言,信噪比很差,不能得到非常精細(xì)的譜圖。通常,全譜分析只能得到表面組成信息,得不到準(zhǔn)確的元素化學(xué)態(tài)和分子結(jié)構(gòu)信息等。

  3. XPS全譜分析與EDS有何異同?

  a. EDS與XPS的相同點(diǎn):兩者均可以用于元素的定性和定量檢測。

  b. EDS與XPS的不同點(diǎn):

  1) 基本原理不一樣: 簡單來說,XPS是用X射線打出電子,檢測的是電子;EDS則是用電子打出X射線,檢測的是X射線。

  2) EDS只能檢測元素的組成與含量,不能測定元素的價(jià)態(tài),且EDX的檢測限較高(含量>2%),即其靈敏度較低。而XPS既可以測定表面元素和含量,又可以測定表其價(jià)態(tài)。XPS的靈敏度更高,最低檢測濃度>0.1%。

  3) 用法不一樣:EDS常與SEM,TEM聯(lián)用,可以對樣品進(jìn)行點(diǎn)掃,線掃,面掃等,能夠比較方便地知道樣品的表面(和SEM聯(lián)用)或者體相(和TEM聯(lián)用)的元素分布情況;而XPS則一般獨(dú)立使用,對樣品表面信息進(jìn)行檢測,可以判定元素的組成,化學(xué)態(tài),分子結(jié)構(gòu)信息等。

  備注:EDS或EDX指能量色散X射線光譜儀,全稱為Energy Dispersive X-ray Spectroscopy。

  B. 化合物中元素化學(xué)態(tài)與結(jié)構(gòu)分析——窄區(qū)掃描(高分辨譜)

  1. 什么叫荷電校正?為什么需要進(jìn)行荷電校正?

  當(dāng)用XPS測量絕緣體或者半導(dǎo)體時(shí),由于光電子的連續(xù)發(fā)射而得不到電子補(bǔ)充,使得樣品表面出現(xiàn)電子虧損,這種現(xiàn)象稱為“荷電效應(yīng)”。荷電效應(yīng)將使樣品表面出現(xiàn)一穩(wěn)定的電勢Vs,對電子的逃離有一定束縛作用。因此荷電效應(yīng)將引起能量的位移,使得測量的結(jié)合能偏離真實(shí)值,造成測試結(jié)果的偏差。在用XPS測量絕緣體或者半導(dǎo)體時(shí),需要對荷電效應(yīng)所引起的偏差進(jìn)行校正(荷電校正的目的),稱之為“荷電校正”。

  2. 如何進(jìn)行荷電校正?

  最常用的,人們一般采用外來污染碳的C1s作為基準(zhǔn)峰來進(jìn)行校準(zhǔn)。以測量值和參考值(284.8 eV)之差作為荷電校正值(Δ)來矯正譜中其他元素的結(jié)合能。

  具體操作:1) 求取荷電校正值:C單質(zhì)的標(biāo)準(zhǔn)峰位(一般采用284.8 eV)-實(shí)際測得的C單質(zhì)峰位=荷電校正值Δ;2)采用荷電校正值對其他譜圖進(jìn)行校正:將要分析元素的XPS圖譜的結(jié)合能加上Δ,即得到校正后的峰位(整個(gè)過程中XPS譜圖強(qiáng)度不變)。

  將校正后的峰位和強(qiáng)度作圖得到的就是校正后的XPS譜圖。

  3. 如何通過高分辨譜判定樣品中某種元素的價(jià)態(tài)?

  高分辨譜定性分析元素的價(jià)態(tài)主要看兩個(gè)點(diǎn):1)可以對照標(biāo)準(zhǔn)譜圖值(NIST數(shù)據(jù)庫或者文獻(xiàn)值)來確定譜線的化合態(tài);2)對于p,d,f等具有雙峰譜線的(自旋裂分),雙峰間距也是判斷元素化學(xué)狀態(tài)的一個(gè)重要指標(biāo)。

  4. 高分辨譜的其他常見用途

  實(shí)際上,多數(shù)情況下,人們關(guān)心的不僅僅是表面某個(gè)元素呈幾價(jià),更多的是對比處理前后樣品表面元素的化學(xué)位移變化,通過這種位移的變化來說明樣品的表面化學(xué)狀態(tài)或者是樣品表面元素之間的電子相互作用。

  一般,某種元素失去電子,其結(jié)合能會(huì)向高場方向偏移,某種元素得到電子,其結(jié)合能會(huì)向低場方向偏移,對于給定價(jià)殼層結(jié)構(gòu)的原子,所有內(nèi)層電子結(jié)合能的位移幾乎相同. 這種電子的偏移偏向可以給出元素之間電子相互作用的關(guān)系。

  實(shí)例說明三:下圖所示是PtPd形成合金后其表面電子結(jié)構(gòu)的變化,從圖中可以看出,形成Pt1Pd3之后,Pd3d向低場偏移,Pt4f向高場偏移,說明Pd得到電子,Pt失去電子,也就是說形成合金后,Pt上的電子部分轉(zhuǎn)移給Pd。PtPd的這種電子轉(zhuǎn)移也是其形成合金的一個(gè)證據(jù)。

  • xps結(jié)果


  C.XPS譜圖一般包括光電子譜線,衛(wèi)星峰(伴峰),俄歇電子譜線,自旋-軌道分裂(SOS)等

  1. 光電子譜線:每一種元素都有自己特征的光電子線,它是元素定性分析的主要依據(jù)。譜圖中強(qiáng)度最大、峰寬最小、對稱性最好的譜峰,稱為XPS的主譜線。

  • xps結(jié)果


  實(shí)例說明四:上圖中,對于In元素而言,In 3d強(qiáng)度最大、峰寬最小,對稱性最好,是In元素的主譜線。而除了主譜線In 3d之外,其實(shí)還有In 4d, In 3p等其它譜線,這是因?yàn)镮n元素有多種內(nèi)層電子,因而可以產(chǎn)生多種In XPS信號。

  2. 衛(wèi)星峰(伴峰):常規(guī)X射線源(Al/Mg Kα1,2)并非是單色的,而是還存在一些能量略高的小伴線(Kα3,4,5和Kβ等),所以導(dǎo)致XPS中,除Kα1,2所激發(fā)的主譜外,還有一些小的伴峰。

  • xps結(jié)果


  實(shí)例說明五:上圖為Mg陽極X射線激發(fā)的C1s主峰(α1,2)及伴峰(α3,4,5和β)。從圖中可以看出,主峰的強(qiáng)度比伴峰要強(qiáng)很多。

  3. 俄歇電子譜線:電子電離后,芯能級出現(xiàn)空位,弛豫過程中若使另一電子激發(fā)成為自由電子,該電子即為俄歇電子。俄歇電子譜線總是伴隨著XPS,但具有比XPS更寬更復(fù)雜的結(jié)構(gòu),多以譜線群的方式出現(xiàn)。特征:其動(dòng)能與入射光hν無關(guān)。

  • xps結(jié)果


  實(shí)例說明六:上圖中O KLL, C KLL即為O和C的俄歇電子譜線,從圖中可以看到O KLL其實(shí)有三組峰,最左邊的為起始空穴的電子層,中間的是填補(bǔ)起始空穴的電子所屬的電子層,右邊的是發(fā)射俄歇電子的電子層。

  備注:關(guān)于俄歇電子能譜的相關(guān)內(nèi)容,等有機(jī)會(huì)咱們再詳細(xì)討論。

  4. 自旋-軌道分裂(SOS):由于電子的軌道運(yùn)動(dòng)和自旋運(yùn)動(dòng)發(fā)生耦合后使軌道能級發(fā)生分裂。對于l>0的內(nèi)殼層來說,用內(nèi)量子數(shù)j(j=|l±m(xù)s|)表示自旋軌道分裂。即若l=0 則j=1/2;若l=1則j=1/2或3/2。除s亞殼層不發(fā)生分裂外,其余亞殼層都將分裂成兩個(gè)峰。

  • xps結(jié)果


  實(shí)例說明七:上圖所示為PbO的XPS譜圖,圖中Pb 4f裂分成4f5/2和4f7/2兩個(gè)峰。

  重要意義:對于某一特定價(jià)態(tài)的元素而言,其p, d, f 等雙峰譜線的雙峰間距及峰高比一般為一定值。p峰的強(qiáng)度比為1:2;d線為2:3;f線為3:4。對于p峰,特別是4p線,其強(qiáng)度比可能小于1:2。

  雙峰間距也是判斷元素化學(xué)狀態(tài)的一個(gè)重要指標(biāo)。

  5. 鬼峰:有時(shí),由于X射源的陽極可能不純或被污染,則產(chǎn)生的X射線不純。因非陽極材料X射線所激發(fā)出的光電子譜線被稱為“鬼峰”。

以上是XPS測試結(jié)果展示的相關(guān)介紹,更多測試需求請聯(lián)系鑠思百檢測工程師。

在線客服
 
 
 工作時(shí)間
周一至周六 :8:00-18:00
 聯(lián)系方式
客服-黃工:150 7104 0697
客服-劉工:18120219335
吉木乃县| 富阳市| 鹤峰县| 镇江市| 林芝县| 铁力市| 临沧市| 甘南县| 德格县| 左云县| 枣阳市| 东乡族自治县| 霍城县| 云和县| 时尚| 丰原市| 杂多县| 海丰县| 乌苏市| 曲沃县| 湘潭市| 南江县| 舒兰市| 白水县| 垦利县| 广安市| 和硕县| 瑞金市| 昔阳县| 肇庆市| 丹东市| 冕宁县| 阿图什市| 惠来县| 措勤县| 安平县| 安福县| 孝感市| 确山县| 霍林郭勒市| 松滋市|