掃描電子顯微鏡能譜儀（Scanning Electron Microscope Energy Dispersive System，簡稱SEM-EDS）通過將掃描電子顯微鏡（SEM）和能譜（EDS）組合在一起，是一種對藥物或材料等成分進(jìn)行分析的組合檢測設(shè)備，即能觀察樣品的表面形貌又能對微區(qū)進(jìn)行成分分析。SEM-EDS可以進(jìn)行各種材料的形貌組織觀察，材料斷口分析和失效分析，材料實(shí)時(shí)微區(qū)成分分析，元素定量、定性成分分析，快速的多元素面掃描和線掃描分布測量，晶體、晶粒的相鑒定，晶粒尺寸，晶體、晶粒取向測量等。SEM-EDS已經(jīng)成為形貌分析領(lǐng)域不可或缺的一種技術(shù)手段，廣泛用于材料、化學(xué)、生物醫(yī)學(xué)、地質(zhì)等領(lǐng)域。
今天鑠思百檢測小編整理一些關(guān)于SEM的相關(guān)問題，希望能幫到大家。
1、金相樣品是否需要腐蝕，不腐蝕不利于觀察各個(gè)相的形貌，腐蝕樣品是否影響能譜測試準(zhǔn)確性？
答：金相樣品肯定需要輕微腐蝕，或者通過FIB離子建設(shè)，不然很難看到很好的金相結(jié)構(gòu)。當(dāng)然腐蝕肯定不能腐蝕過，只能說輕微腐蝕，腐蝕太過肯定會影響能譜測試。
2、EDS分析的時(shí)候，物鏡光闌越大越好嗎？
答：不能這么說。如果樣品是塊體，區(qū)域比較大，不存在打到其他地方。鍍層比較大，這個(gè)時(shí)候光闌大沒關(guān)系。但如果鍍層很薄，光闌大，速流就會大，涉及的范圍就會大一些。所以，對EDS測試來說，不是光闌越大越好。
3、C、N、O元素能譜能分析到什么程度？
答：C、N、O元素的檢測限可達(dá)到0.1%，H元素高于0.1%。
4、做表面元素分析，什么時(shí)候選AES，什么時(shí)候選EDS？
答：通常測試表面成分的有4種設(shè)備，分別為SEM-EDS、AES、TOF-SIMS、TEM-EDS。SEM-EDS打的比較深，屬于無機(jī)物分析，樣品需要導(dǎo)電。AES也是無機(jī)物分析，樣品需要導(dǎo)電，但打的淺，樣品表面幾個(gè)納米成分的可以選。TOF-SIMS有機(jī)無機(jī)都可以測試，并且樣品導(dǎo)不導(dǎo)電都行，也是樣品表面幾個(gè)納米成分。TEM-EDS與SEM-EDS一樣，打的比較深，可制作薄片，分辨率更高。
5、導(dǎo)電性不好的粉未顆粒在加速電壓5kV時(shí)進(jìn)行拍攝，在進(jìn)行放大倍數(shù)的增加時(shí)，會有小顆粒漂浮到大顆粒上面，怎么拍好?而且荷電效應(yīng)影響也挺大的。
答：如果說會有小顆粒漂浮到大顆粒上面，說明兩個(gè)問題，一荷電效應(yīng)，二樣品沒備牢。既然都已經(jīng)選擇了5kv，那說明你不在乎是否對樣品進(jìn)行coating，如果不在乎的話，為什么不再鍍厚點(diǎn)呢？樣品沒備牢，說明你樣品太厚了，你試著再把樣品制備的薄一點(diǎn)，或者盡量選薄的地方去拍圖。
6、拍背散射電子工作距離選多大?
答：如果說想要更純的BSE，建議選擇wd 8以上。如果同時(shí)還想看形貌信息，這個(gè)時(shí)候wd盡量小點(diǎn)，3左右。
7、AES和XPS的區(qū)別是什么？
答：X光電子能譜法（XPS）是一種表面分析方法，提供的是樣品表面的元素含量與形態(tài)，而不是樣品整體的成分。其信息深度約為3-5nm。固體樣品中除氫、氦之外的所有元素都可以進(jìn)行XPS分析。俄歇電子能譜法（AES）的優(yōu)點(diǎn)是在靠近表面5-20埃范圍內(nèi)化學(xué)分析的靈敏度高；數(shù)據(jù)分析速度快；能探測周期表上He以后的所有元素。
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