鑠思百檢測

DETECTION OF TECHNICAL SOUSEPAD

透射電子顯微鏡(TEM-EDS)掃描電子顯微鏡(FESEM-EDS)球差電鏡激光共聚焦顯微鏡(LSCM)原子力顯微鏡(AFM)電子探針儀(EPMA)金相顯微鏡電子背散射衍射儀(EBSD)臺階儀,膜厚儀,探針接觸式輪廓儀,3D輪廓儀工業(yè)CT白光干涉儀(非接觸式3D表面輪廓儀)電鏡測試FIB制樣離子減薄制樣冷凍超薄切片制樣樹脂包埋制樣(生物制樣)液氮脆斷制樣金網(wǎng)鉬網(wǎng)銅網(wǎng)超薄碳膜微柵制樣電鏡制樣X射線光電子能譜分析儀(XPS)紫外光電子能譜(UPS)俄歇電子能譜(AES)X射線衍射儀(XRD)X射線散射儀SAXS/WAXSX射線殘余應(yīng)力分析儀X射線熒光光譜分析儀(XRF)電感耦合等離子體光譜儀(ICP-OES)紫外可見反射儀(DRS)拉曼光譜(RAMAN)紫外-可見分光光度計(UV)圓二色譜(CD)傅里葉變換紅外光譜分析儀(FTIR)吡啶紅外(DRIFTS)單晶衍射儀穆斯堡爾光譜儀穩(wěn)態(tài)瞬態(tài)熒光光譜分析儀(PL)原子吸收分光光度計原子熒光光度計(AFS)三維熒光 /熒光分光光度計紅外熱成像儀霧度儀旋光儀橢偏儀光譜測試電感耦合等離子體質(zhì)譜儀(ICP-MS)電噴霧離子化質(zhì)譜儀(ESI-MS)頂空-固相微萃取氣質(zhì)聯(lián)用儀(HS -SPME -GC -MS)二次離子質(zhì)譜(SIMS)基質(zhì)輔助激光解吸電離飛行時間質(zhì)譜儀(MALDI-TOF)裂解氣質(zhì)聯(lián)用儀(PY-GC-MS)氣質(zhì)聯(lián)用儀(GC-MS)同位素質(zhì)譜儀液質(zhì)聯(lián)用儀(LC-MS)質(zhì)譜測試差示掃描量熱儀(DSC)熱重分析儀(TGA)熱分析聯(lián)用儀(DSC-TGA)靜態(tài)/動態(tài)熱機(jī)械分析儀(TMA/DMA)熱重紅外聯(lián)用儀(TG-IR)熱重紅外質(zhì)譜聯(lián)用儀(TG-IR-MS)熱重紅外氣相質(zhì)譜聯(lián)用(TG-IR-GC-MS)紅外熱成像儀激光導(dǎo)熱儀錐形量熱儀(CONE)熱譜測試電子順磁共振波譜儀(EPR、ESR)固體核磁共振儀(NMR)液體核磁共振儀(NMR)微波網(wǎng)絡(luò)矢量分析儀/矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀核磁順磁波譜測試比表面及孔徑分析儀(BET)表面張力儀(界面張力儀)高壓吸附儀化學(xué)吸附儀(TPD TPR)接觸角測量儀納米壓痕儀壓汞儀(MIP)表界面物性測試氣相色譜儀(GC)高效液相色譜儀(HPLC)離子色譜儀(IC)凝膠色譜儀(GPC)液相色譜(LC)色譜測試電導(dǎo)率儀電化學(xué)工作站腐蝕測試儀介電常數(shù)測定儀卡爾費(fèi)休水分測定儀自動電位滴定儀電化學(xué)儀器測試Zeta電位儀工業(yè)分析激光粒度儀流變儀密度測定儀納米粒度儀邵氏 維氏 洛氏硬度計有機(jī)鹵素分析儀(F,Cl,Br,I,At,Ts)有機(jī)元素分析儀(EA)粘度計振動樣品磁強(qiáng)計(VSM)土壤分析測試植物分析測試其他測試同步輻射GIWAXS GISAXS同步輻射XRD,PDF,SAXS同步輻射吸收譜-高能機(jī)時同步輻射吸收譜之軟X射線同步輻射吸收譜之硬X射線同步輻射聚焦離子束掃描電鏡(FIB-SEM)礦物定量分析系統(tǒng)MLA球差校正透射電子顯微鏡高端電鏡類原位XPS測試原位EBSD(in situ -EBSD)原位紅外原位掃描電子顯微鏡(in-situ-SEM)原位透射電子顯微鏡高端原位測試飛行時間二次離子質(zhì)譜儀(TOF-SIMS)輝光放電光譜(GD-OES MS)三維原子探針(APT)高端質(zhì)譜類Micro/Nano /工業(yè)CT飛秒瞬態(tài)吸收光譜儀(fs-TAS)掃描隧道顯微鏡深能級瞬態(tài)譜儀正電子湮滅壽命譜儀其他XPS數(shù)據(jù)分析XRD全巖黏土分析表面成分分析技術(shù)-XPS測試分析常規(guī)XRD數(shù)據(jù)分析成分指紋分析技術(shù)-紅外測試分析二維紅外光譜技術(shù)紅外(IR)數(shù)據(jù)分析拉曼數(shù)據(jù)分析三維熒光數(shù)據(jù)分析圓二色譜(CD)數(shù)據(jù)分析成分含量分析EPR/ESR數(shù)據(jù)分析VSM數(shù)據(jù)分析電化學(xué)數(shù)據(jù)分析矢量網(wǎng)絡(luò)數(shù)據(jù)分析電磁分析CT數(shù)據(jù)分析X射線吸收精細(xì)結(jié)構(gòu)普(XAFS)數(shù)據(jù)分析穆斯堡爾譜數(shù)據(jù)分析小角散射(SAXS/WAXS)數(shù)據(jù)分析高端測試分析固體核磁數(shù)據(jù)分析液體核磁(NMR)測試+分析一體化液體核磁(NMR)數(shù)據(jù)分析化學(xué)結(jié)構(gòu)分析EBSD數(shù)據(jù)分析TEM數(shù)據(jù)分析單晶XRD數(shù)據(jù)分析晶體結(jié)構(gòu)確證技術(shù)-XRD精修XRD定性定量分析晶體結(jié)構(gòu)分析BET數(shù)據(jù)分析其它數(shù)據(jù)分析需求熱分析數(shù)據(jù)處理數(shù)據(jù)分析作圖其他數(shù)據(jù)分析半導(dǎo)體激光器模擬發(fā)光二極管仿真光電探測器仿真太陽能電池仿真半導(dǎo)體器件仿真表面能差分密度磁矩單原子催化電荷密度電解水制氫反應(yīng)(HER)費(fèi)米面(fermi surface)電子局域化函數(shù)(electron localization function)第一性原理分子模擬量子化學(xué)相分析有限元模擬常規(guī)理化-水樣常規(guī)理化-土樣/沉積物常規(guī)理化-氣體常規(guī)理化-植物/蔬果/農(nóng)作物常規(guī)理化-食品常規(guī)理化-肥料/飼料常規(guī)理化-巖礦常規(guī)理化-垃圾常規(guī)理化-職業(yè)衛(wèi)生常規(guī)理化-其它常規(guī)理化項目纖維素、半纖維素、木質(zhì)素含量bcr形態(tài)順序提取/tessier五步提取法土壤水體抗生素微塑料微生物磷脂脂肪酸(PLFA)非標(biāo)理化-其它非標(biāo)理化項目穩(wěn)定同位素放射性同位素同位素-其它金屬同位素同位素多糖的單糖組成測定可溶性寡糖定量土壤氨基糖多糖全套分析多糖甲基化植物糖化學(xué)-常規(guī)指標(biāo)糖化學(xué)液質(zhì)聯(lián)用LCMS高效液相色譜HPLC氣相色譜GC氣質(zhì)聯(lián)用GCMS全二維氣質(zhì)GC×GC-MS氣相色譜-離子遷移譜聯(lián)用儀(GC-IMS)液相色譜-原子熒光聯(lián)用(LC-AFS)制備型HPLC色譜質(zhì)譜數(shù)據(jù)分析液相色譜-電感耦合等離子體質(zhì)譜(LC-ICPMS)色譜質(zhì)譜DOM(FT- ICR- MS)水質(zhì)NOM(LC-OCD-OND)DOM(FT-ICR-MS)數(shù)據(jù)分析環(huán)境高端電池產(chǎn)品整體解決方案正極顆粒表面微觀形貌正極顆粒物截面形貌與元素三元正極顆粒循環(huán)前后晶界裂紋正極顆粒摻雜元素分布正極顆粒截面元素分布和晶格表征正極極片原位晶相分析正極極片截面元素分布和晶格表征正極表面CEI膜測試方法XPS正極極片截面微觀形貌觀察和元素分布正極極片CEI膜成分分析與厚度測定正極極片介電常數(shù)正極極片浸潤性正極極片包覆層觀察正極極片雜質(zhì)含量測定正極極片氧空位測定負(fù)極顆粒表面微觀形貌觀察和元素分布負(fù)極顆粒截面微觀形貌觀察和元素分布石墨類型判定負(fù)極顆粒粒徑分析負(fù)極極片孔洞分析負(fù)極顆粒包覆層觀察負(fù)極顆粒羥基含量測定負(fù)極極片包覆層觀察負(fù)極表面SEI膜分析XPS法負(fù)極極片SEI膜成分分析與厚度測定負(fù)極極片截面微觀形貌觀察和元素分布負(fù)極極片石墨碳和無定型碳比例隔膜表面微觀形貌觀察隔膜循環(huán)前后孔徑變化質(zhì)子交換膜形貌(厚度)觀察 CP+SEM質(zhì)子交換膜雜質(zhì)元素電池循環(huán)后鼓包氣電池循環(huán)后爆炸氣鋰電池極片和集流體間的粘結(jié)強(qiáng)度三元正極材料NCM比例燃料電池-整體解決方案電池產(chǎn)品-隔膜電池產(chǎn)品-優(yōu)勢項目正極材料-PH值正極材料-比表面積正極材料-磁性異物正極材料-化學(xué)成分正極材料-晶體結(jié)構(gòu)正極材料-粒徑分布正極材料-首次放電比容量及首次庫倫效率正極材料-水分含量正極材料-松裝密度正極材料-未知物分析正極材料-形貌,厚度與結(jié)構(gòu)正極材料-壓實密度正極材料-振實密度電池產(chǎn)品-正極材料負(fù)極材料-PH值負(fù)極材料-比表面積負(fù)極材料-層間距 石墨化度負(fù)極材料成分分析負(fù)極材料-磁性異物負(fù)極材料-粉末壓實密度負(fù)極材料-固定碳含量負(fù)極材料-化學(xué)成分負(fù)極材料-粒徑分布負(fù)極材料-石墨鑒定負(fù)極材料-水分負(fù)極材料-限用物質(zhì)含量負(fù)極材料-形貌與結(jié)構(gòu)負(fù)極材料-陰離子的測定負(fù)極材料-有機(jī)物含量負(fù)極材料-真密度負(fù)極材料-振實密度負(fù)極顆粒-石墨取向性(OI值)首次放電比容量及首次庫倫效率電池產(chǎn)品-負(fù)極材料電解液-電導(dǎo)率電解液-化學(xué)元素含量電解液-密度電解液-水分含量電解液-未知物分析電解液-游離酸(HF含量)電池產(chǎn)品-電解液電池產(chǎn)品-隔膜電池產(chǎn)品-隔膜
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一文全面了解球差電鏡

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發(fā)表時間:2019-12-17 10:38作者:武漢鑠思百檢測技術(shù)有限公司來源:鑠思百檢測

一文全面了解球差電鏡

前言

  球差校正透射電子顯微鏡不僅具有亞埃級的空間分辨率,而且兼具多種實驗功能。可以在原子尺度內(nèi)同時研究材料的晶體結(jié)構(gòu)和對應(yīng)的電子結(jié)構(gòu)特征,從而理解樣品的微觀晶體結(jié)構(gòu)與性能之間的關(guān)聯(lián),是研究材料構(gòu)效關(guān)系的一種非常有效的手段,因而在物理學(xué)、材料學(xué)和化學(xué)等學(xué)科領(lǐng)域具有非常廣泛的應(yīng)用。本報告首先將簡要介紹球差校正透射電鏡的一些基本原理和實驗技術(shù),重點介紹球差校正透射電鏡的主要功能。最后簡要介紹球差校正透射電鏡在催化材料中的一些應(yīng)用實例,包括單原子催化劑、異質(zhì)結(jié)構(gòu)、氧化物表面態(tài)等。球差校正透射電鏡(spherical aberration correctedTransmission Electron Microscope: ACTEM)隨著納米材料的興起而進(jìn)入普通研究者的視野。超高的分辨率配合諸多的分析組件使ACTEM成為深入研究納米世界不可或缺的利器。這里將給大家介紹ACTEM的基本原理,何為球差,如何校正,ACTEM的種類,以及如何為ACTEM準(zhǔn)備你的樣品。最后我會介紹一下透射電鏡的最前沿,球差色差校正透射電鏡。


一、球差電鏡的原理及分類

  球差是像差的一種,是影響TEM分辨率的主要原因之一。由于像差(球差、像散、彗形像差和色差)的存在,無論是光學(xué)透鏡還是電磁透鏡,其透鏡系統(tǒng)都無法做到完美。光學(xué)透鏡中,可通過將凸透鏡和凹透鏡組合使用來減少由凸透鏡邊緣匯聚能力強(qiáng)中心匯聚能力弱所致的所有的光線(電子)無法會聚到一個焦點的缺點,可對于電磁透鏡,我們沒有凹透鏡,球差便成了影響TEM分辨率最主要也最難解決的問題。

Schematic diagram of Cs-TEM without Cs-corrected (left side) ,with Cs-corrected (right side)

  用球差校正裝置扮演凹透鏡修正球差的透射電鏡即為球差透射電鏡(Special Aberration Corrected Transmission Electron Microscope, AC-TEM)。由于TEM分為普通的TEM和用于精細(xì)結(jié)構(gòu)成像的STEM,故球差電鏡也可分為AC-TEM(球差校正器安裝在物鏡位置) 和AC-STEM(球差校正裝置安裝在聚光鏡位置)。此外,還有在一臺TEM上同時安裝兩個校正器,同時校正匯聚束(Probe)和成像(Image)的雙球差校正TEM。

Interface of Silicon {Corrected VS Uncorrected}

二、球差透射電鏡(AC-TEM)的優(yōu)勢:超高分辨率

相比傳統(tǒng)TEM,由于AC-TEM有效削減了像差,AC-TEM分辨率顯著提高。傳統(tǒng)TEM、STEM的分辨率在納米、亞納米級,而AC-TEM和AC-STEM的分辨率則能夠達(dá)到埃級和亞埃級別!分辨率的提高意味著能夠?qū)Σ牧线M(jìn)行更精細(xì)更準(zhǔn)確的結(jié)構(gòu)表征。

HAADF STEM imaging of Gallium Nitride in 211 Projection

球差TEM的應(yīng)用:總有一樣適合您

1、STEM:成像上,TEM和HRTEM的光照射范圍是面,而STEM是一點一點的掃射,然后再收集。顯然STEM對結(jié)構(gòu)的表征更加細(xì)致。STEM和常規(guī)TEM一樣也分明場和暗場,但STEM常常和HAADF(一種高角環(huán)狀暗場探測器)連用以獲得材料的微區(qū)結(jié)構(gòu)及元素分布信息。


2、EELS(電子能量損失譜):利用入射電子引起材料表面電子電離、價帶電子激發(fā)、震蕩等,發(fā)生非彈性散射,用損失的能量來獲取表面原子的物理和化學(xué)信息的方法。通過電子能量損失譜(EELS)和X射線能譜儀(EDS)可以獲得樣品的化學(xué)信息,從而替換結(jié)構(gòu)信息。

STEM HAADF像、EDX與EELS像

3HRTEM(高分辨像):用來觀測晶體內(nèi)部結(jié)構(gòu)、原子排布以及位錯、孿晶等精細(xì)結(jié)構(gòu)。高分辨像是相位襯度像,是所有參加成像的衍射束與透射束因相位差而形成的干涉圖像。

a、Au-Pd核殼納米棒的高分辨像及FFT變換圖(相當(dāng)于電子衍射圖),b) a)中的局部放大圖

e-j N-CNT組裝的中空十二面體SEM、TEM和HRTEM圖像

4Mapping(EDS/EDX):用于獲得合金、納米管、殼體材料等的元素分布,進(jìn)而輔助物相鑒定或結(jié)構(gòu)分析等。

左邊是單個Au-Pd核殼納米棒的HAADF-STEM及EDS線掃,右邊是左邊納米棒的元素分布Mapping

5、會聚束電子衍射花樣(CBED):入射電子以非平行光入射樣品并發(fā)生衍射時,物鏡后焦面上的透射斑和衍射斑均擴(kuò)展為圓盤,而圓內(nèi)的各種襯度花樣將反應(yīng)樣品晶體結(jié)構(gòu)的三維信息。會聚束主要應(yīng)用于晶體對稱性、晶體點陣參數(shù)、薄晶片厚度、晶體和準(zhǔn)晶體中位錯矢量的測量及材料應(yīng)變場研究。

6、選區(qū)電子衍射花樣(SAED):用于晶體結(jié)構(gòu)分析,晶格參數(shù)測定,輔助物相鑒定等。

何時才需要用球差校正電鏡呢?


雖然現(xiàn)在ACTEM和ACSTEM正在“大眾化”,但是并非一定要用這么高大上的裝備。如果你想觀察你的樣品的原子級結(jié)構(gòu)并希望知道原子的元素種類(例如納米晶體催化劑等),ACSTEM將會是比較好的選擇。如果你想觀察樣品的形貌電子衍射圖案或者樣品在TEM中的原位反應(yīng),那么物鏡校正的ACTEM將會是更好的選擇。就納米晶的合成而言,球差校正電鏡常用來揭示納米材料的細(xì)微結(jié)構(gòu)信息。比如合成一種納米核殼材料,其中殼層僅有幾個原子層厚度,這個時候普通電鏡下很難觀察到,而球差電鏡則可以拍到這一細(xì)微的結(jié)構(gòu)信息。

鑠思百檢測動態(tài)


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測試流程

1、客戶提出測試要求(在線預(yù)約

2、細(xì)節(jié)溝通(聯(lián)系在線QQ

3下載填寫測試委托單

4、測試委托單和樣品郵寄

5、聯(lián)系客服付款

6、安心等待

7、接受數(shù)據(jù)發(fā)票

8、后期服務(wù)

以上是對于球差電鏡測試的相關(guān)介紹,如有其它檢測需求可以咨詢實驗室工程師,為您一對一服務(wù)。

溫習(xí)提示

1、不定期推出各種優(yōu)惠活動,詳情通過電話、在線客服確認(rèn)測試條件、檢測費(fèi)用、檢測周期等。

檢測咨詢熱線:15071040697      黃工QQ:82187958

公司網(wǎng)站:www.gzbj666.cn

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